SIC
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統合サーキット（ICS ）（1624）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C256M16D3C-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12bin 11.2800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-12bin ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3C-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-10BCN 11.2300
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-10BCN ear99 8542.32.0036 209 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LC-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LC-12BCNTR 11.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ AS4C512 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LC-12BCNTR ear99 8542.32.0036 2,500
AS4C256M16D3C-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12BCN 10.5100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-12BCN ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3LC-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-12BANTR 11.0250
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LC-12BANTR ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LC-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LC-12BANTR 11.0250
RFQ
 ECAD 7025 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LC-12BANTR ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
N25Q032A13ESFA0F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13ESFA0F -
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-N25Q032A13ESFA0FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 5ms
N25Q064A13ESFA0F Alliance Memory, Inc. N25Q064A13ESFA0F 1.9700
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-N25Q064A13ESFA0FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 5ms
N25Q064A13EF8A0F Alliance Memory, Inc. N25Q064A13EF8A0F 1.7500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-N25Q064A13EF8A0FTR 3A991B 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 5ms
N25Q032A13ESC40G Alliance Memory, Inc. N25Q032A13ESC40G 2.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-N25Q032A13ESC40G 3A991B1A 8542.32.0071 100 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 5ms
AS4C128M16D3C-93BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3C-93BCN 10.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3C-93BCN ear99 8542.32.0036 209 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 15ns
AS5F18G04SND-10LIN Alliance Memory, Inc. AS5F18G04SND-10LIN 13.3800
RFQ
 ECAD 352 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wlga AS5F18 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.98V 8-lga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS5F18G04SND-10LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 100 MHz 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 spi -quad i/o 700µs
AS5F12G04SND-10LIN Alliance Memory, Inc. AS5F12G04SND-10LIN 7.7200
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wlga AS5F12 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.98V 8-lga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS5F12G04SND-10LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 100 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
AS4C256M16D4-75BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-75bin 12.4500
RFQ
 ECAD 798 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D4-75bin ear99 8542.32.0036 209 1.333 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS7C3256A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15TIN 2.1753
RFQ
 ECAD 5440 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
AS4C1G8MD3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8MD3L-12BCN -
RFQ
 ECAD 2877 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 170 800 MHz 揮発性 8gbit 13.75 ns ドラム 1g x 8 平行 -
AS4C32M16SA-7BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7BINTR -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 54-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 2ns
AS6C4016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C4016-55zin 5.2700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS6C4016 sram-非同期 2.7V〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1032 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
AS7C32098A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-20TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C32098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 20 ns sram 128k x 16 平行 20ns
ASFC8G31M-51BIN Alliance Memory, Inc. ASFC8G31M-51bin 9.9900
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA AS8C803625 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-FBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-ASFC8G31M-51bin 3A991B1A 8542.32.0071 160 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
JS28F640J3F75A Alliance Memory, Inc. JS28F640J3F75A -
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-JS28F640J3F75A 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 4m x 16、8m x 8 平行 75ns
AS4C256M16MD4-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16MD4-062BAN 16.9500
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA AS4C256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16MD4-062BAN ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
AS4C1G8D3LA-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCNTR 23.3250
RFQ
 ECAD 2031 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C1G8D3LA-10BCNTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2-25BCNTR 11.0250
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（10.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS7C3513B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-15JCN 4.1694
RFQ
 ECAD 4021 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） AS7C3513 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 16 揮発性 512kbit 15 ns sram 32k x 16 平行 15ns
PC28F512P30TFA Alliance Memory, Inc. PC28F512P30TFA 7.6500
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 Alliance Memory axcell™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga フラッシュ-MLCもありません） 1.7V〜2V 64-lbga（11x13） - 3 （168 時間） 1450-PC28F512P30TFA 96 40 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 CFI -
PC28F512P30BFA Alliance Memory, Inc. PC28F512P30BFA 7.6500
RFQ
 ECAD 9073 0.00000000 Alliance Memory axcell™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga フラッシュ-MLCもありません） 1.7V〜2V 64-lbga（11x13） - 3 （168 時間） 1450-PC28F512P30BFA 96 40 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 CFI -
PC28F640P30BF65A Alliance Memory, Inc. PC28F640P30BF65A 6.1500
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 Alliance Memory axcell™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） - 3 （168 時間） 1450-PC28F640P30BF65A 96 52 MHz 不揮発性 64mbit 65 ns フラッシュ 4m x 16 CFI 65ns
JS28F128P33TF70A Alliance Memory, Inc. JS28F128P33TF70A 5.4721
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 Alliance Memory Strataflash™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-MLCもありません） 2.3V〜3.6V 56-tsop - 3 （168 時間） 1450-JS28F128P33TF70A 96 40 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 CFI -
AS6C1008-55PCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55PCNTR 2.7884
RFQ
 ECAD 4417 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） sram-非同期 2.7V〜5.5V 32-PDIP ダウンロード 1 （無制限） 1450-AS6C1008-55PCNTR 1,000 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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