画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C256M16D3C-12BCN | 10.5100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C256M16D3C-12BCN | ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | AS4C256M16MD4-062BAN | 16.9500 | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | AS4C256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C256M16MD4-062BAN | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |
![]() | AS4C1G8D3LA-10BCNTR | 23.3250 | ![]() | 2031 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C1G8D3LA-10BCNTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | |
![]() | AS4C8M16MSB-6BIN | 6.0800 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | sdram- sdram | 1.7V〜1.95V | 54-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS4C8M16MSB-6bin | 319 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 16 | lvcmos | 15ns | |||||
![]() | AS9F18G08SA-45BAN | 8.1900 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-FBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS9F18G08SA-45BAN | 210 | 不揮発性 | 4gbit | 30 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 45ns 、700µs | ||||||
![]() | AS7C1026B-20TIN | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS7C1026B-20TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | AS4C512M16MD4V-053BIN | 11.6200 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA (10x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS4C512M16MD4V-053BIN | ear99 | 8542.32.0036 | 120 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 16 | LVSTLE_06 | 18ns | |||
![]() | AS4C16M16MSB-6bin | 7.2100 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | sdram- sdram | 1.7V〜1.95V | 54-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS4C16M16MSB-6bin | 319 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | lvcmos | 15ns | |||||
![]() | AS7C1026B-15TIN | - | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS7C1026B-15TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | AS6C1608B-55TIN | 13.4900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS6C1608B-55TIN | ear99 | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | AS5F32G04SNDB-08LIN | 6.3800 | ![]() | 352 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wlga | フラッシュ-nand(slc) | 3V〜3.6V | 8-lga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS5F32G04SNDB-08LIN | 352 | 120 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 512m x 4 | spi -quad i/o | 700µs | |||||
![]() | ASFC16G31M-51bin | 10.5000 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-ASFC16G31M-51bin | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||
![]() | AS4C1G8D3LA-12bin | - | ![]() | 1552 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS4C1G8D3LA-12bin | 220 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | AS4C1G8MD3L-12BCN | - | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x13.2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 170 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.75 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||
![]() | AS7C3256A-15TIN | 2.1753 | ![]() | 5440 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AS7C3256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | |||
AS6C4016-55zin | 5.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS6C4016 | sram-非同期 | 2.7V〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1032 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | AS4C32M16SA-7BINTR | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | AS4C2M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 2ns | ||
AS7C32098A-20TIN | 5.0129 | ![]() | 4379 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C32098 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 20 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | AS4C128M16D2-25BCNTR | 11.0250 | ![]() | 8175 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(10.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AS7C3513B-15JCN | 4.1694 | ![]() | 4021 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | AS7C3513 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 512kbit | 15 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AS6C1008-55TINL | 3.2630 | ![]() | 2670 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AS6C1008 | sram-非同期 | 2.7V〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | AS4C32M16SM-7TINTR | - | ![]() | 5502 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C2M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS4C512M8D3LB-12BAN | - | ![]() | 6693 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
AS4C256M16D3-12BANTR | - | ![]() | 5008 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AS4C32M16SA-7bin | - | ![]() | 8671 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | AS4C2M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1299 | ear99 | 8542.32.0028 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 2ns | |
![]() | AS4C64M16D2-25BCNTR | - | ![]() | 1939年 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | AS4C64 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
AS7C316096B-10TINTR | 18.6750 | ![]() | 6401 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C316096 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | AS6C4016A-55BINTR | - | ![]() | 4525 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | AS6C4016 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
AS6C8016-55zin | 7.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS6C8016 | sram-非同期 | 2.7V〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
AS4C128M16D3L-12BINTR | - | ![]() | 7390 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns |
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