SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C256M16D3C-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12BCN 10.5100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-12BCN ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16MD4-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16MD4-062BAN 16.9500
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-TFBGA AS4C256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA (10x14.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16MD4-062BAN ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
AS4C1G8D3LA-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCNTR 23.3250
RFQ
ECAD 2031 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C1G8D3LA-10BCNTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
AS4C8M16MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16MSB-6BIN 6.0800
RFQ
ECAD 319 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA sdram- sdram 1.7V〜1.95V 54-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS4C8M16MSB-6bin 319 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 lvcmos 15ns
AS9F18G08SA-45BAN Alliance Memory, Inc. AS9F18G08SA-45BAN 8.1900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-FBGA (9x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS9F18G08SA-45BAN 210 不揮発性 4gbit 30 ns フラッシュ 512m x 8 平行 45ns 、700µs
AS7C1026B-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-20TIN -
RFQ
ECAD 5032 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS7C1026B-20TIN 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 20 ns sram 64k x 16 平行 20ns
AS4C512M16MD4V-053BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16MD4V-053BIN 11.6200
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-FBGA (10x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS4C512M16MD4V-053BIN ear99 8542.32.0036 120 1.866 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 512m x 16 LVSTLE_06 18ns
AS4C16M16MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MSB-6bin 7.2100
RFQ
ECAD 319 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA sdram- sdram 1.7V〜1.95V 54-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS4C16M16MSB-6bin 319 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 16m x 16 lvcmos 15ns
AS7C1026B-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15TIN -
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS7C1026B-15TIN 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
AS6C1608B-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C1608B-55TIN 13.4900
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS6C1608B-55TIN ear99 8542.32.0041 135 揮発性 16mbit 55 ns sram 2m x 8 平行 55ns
AS5F32G04SNDB-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F32G04SNDB-08LIN 6.3800
RFQ
ECAD 352 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga フラッシュ-nand(slc) 3V〜3.6V 8-lga (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS5F32G04SNDB-08LIN 352 120 MHz 不揮発性 2Gbit 7.5 ns フラッシュ 512m x 4 spi -quad i/o 700µs
ASFC16G31M-51BIN Alliance Memory, Inc. ASFC16G31M-51bin 10.5000
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 153-FBGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-ASFC16G31M-51bin 3A991B1A 8542.32.0071 160 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC_5.1 -
AS4C1G8D3LA-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-12bin -
RFQ
ECAD 1552 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS4C1G8D3LA-12bin 220 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
AS4C1G8MD3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8MD3L-12BCN -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 170 800 MHz 揮発性 8gbit 13.75 ns ドラム 1g x 8 平行 -
AS7C3256A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15TIN 2.1753
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
AS6C4016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C4016-55zin 5.2700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS6C4016 sram-非同期 2.7V〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1032 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
AS4C32M16SA-7BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7BINTR -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 54-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 2ns
AS7C32098A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-20TIN 5.0129
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C32098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 20 ns sram 128k x 16 平行 20ns
AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2-25BCNTR 11.0250
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(10.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS7C3513B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-15JCN 4.1694
RFQ
ECAD 4021 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) AS7C3513 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 16 揮発性 512kbit 15 ns sram 32k x 16 平行 15ns
AS6C1008-55TINL Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55TINL 3.2630
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) AS6C1008 sram-非同期 2.7V〜5.5V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 156 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
AS4C32M16SM-7TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SM-7TINTR -
RFQ
ECAD 5502 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 4 (72 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BAN -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C256M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BANTR -
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C32M16SA-7BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7bin -
RFQ
ECAD 8671 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 54-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1299 ear99 8542.32.0028 348 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 2ns
AS4C64M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BCNTR -
RFQ
ECAD 1939年 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS7C316096B-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316096B-10TINTR 18.6750
RFQ
ECAD 6401 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C316096 sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
AS6C4016A-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4016A-55BINTR -
RFQ
ECAD 4525 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS6C4016 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55zin 7.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS6C8016 sram-非同期 2.7V〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
AS4C128M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BINTR -
RFQ
ECAD 7390 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫