SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C4M16S-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-7TCNTR -
RFQ
ECAD 9189 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS7C4096A-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-12JINTR 4.7627
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) AS7C4096 sram-非同期 4.5v〜5.5V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 12 ns sram 512k x 8 平行 12ns
AS4C256M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2-25bin 14.3949
RFQ
ECAD 4732 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 136 400 MHz 揮発性 2Gbit 57.5 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C64M32MD1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5BCN 15.6000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA AS4C64 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 90-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 348 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
AS4C64M32MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5BCNTR 11.7000
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA AS4C64 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 90-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
AS4C64M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5bin 13.3971
RFQ
ECAD 6161 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA AS4C64 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 90-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 348 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
AS4C64M8D2-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BAN 5.6950
RFQ
ECAD 3088 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 264 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
AS4C16M16SA-6BAN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6BAN 6.3000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA AS4C16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1249 ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
AS4C16M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6bin 5.8900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
AS4C4M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6TCN 3.0900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1259 ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS4C4M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-7BCN 3.4400
RFQ
ECAD 851 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1261 ear99 8542.32.0002 348 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS4C8M16SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-7TCN 3.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1269 ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
AS4C512M16D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3L-12BCN -
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 170 800 MHz 揮発性 8gbit 13.75 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BCN -
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1083 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12bin -
RFQ
ECAD 7019 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1084 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12bin -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1086 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12bin -
RFQ
ECAD 2793 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1092 ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C256M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-12bin -
RFQ
ECAD 7187 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1101 ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C32M16D2A-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BAN 4.3507
RFQ
ECAD 5257 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BAN -
RFQ
ECAD 6145 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-FBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1105 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12bin -
RFQ
ECAD 5332 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1109 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C128M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BANTR -
RFQ
ECAD 6479 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M8D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BANTR -
RFQ
ECAD 9900 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C128M8D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BCNTR -
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BINTR 5.1909
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 90-VFBGA AS4C16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
AS4C256M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BINTR -
RFQ
ECAD 8653 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M8D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-12BCNTR -
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜90°C 表面マウント 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C256M8D3-15BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-15BCNTR -
RFQ
ECAD 9650 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜90°C 表面マウント 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BINTR -
RFQ
ECAD 1530 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C64M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BCNTR -
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫