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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C64M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BCNTR -
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BINTR -
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16MD1-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-6BCNTR -
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M8D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BINTR 4.4911
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
AS62V256A-70SINTR Alliance Memory, Inc. AS62V256A-70SINTR 1.8128
RFQ
ECAD 5347 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) AS62V256 sram-非同期 2.5V〜3.6V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
AS7C316096C-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316096C-10TINTR 18.6750
RFQ
ECAD 7070 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C316096 sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
AS7C316098B-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316098B-10TINTR 18.6750
RFQ
ECAD 6335 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C316098 sram-非同期 2.7V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
AS4C16M32MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BCNTR 4.5617
RFQ
ECAD 8825 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C (TJ 表面マウント 90-VFBGA AS4C16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
AS62V256A-70SIN Alliance Memory, Inc. AS62V256A-70SIN 1.7995
RFQ
ECAD 3606 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) AS62V256 sram-非同期 2.5V〜3.6V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1130-5 ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
AS7C38096B-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C38096B-10bin 11.6463
RFQ
ECAD 6454 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C38096 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1137 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
AS4C2M32SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32SA-6TCN 3.7500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1283 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 2ns
AS4C32M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TIN 5.2500
RFQ
ECAD 6296 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1287 3A991B2A 8542.32.0024 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C32M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BCN 4.4700
RFQ
ECAD 220 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 84-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C2M32SA-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32SA-6TINTR 4.0533
RFQ
ECAD 3326 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 2ns
AS4C32M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TCNTR 3.5570
RFQ
ECAD 4556 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C32M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BCNTR 3.2736
RFQ
ECAD 8412 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 84-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT46V32M16CV-5B IT:J Alliance Memory, Inc. MT46V32M16CV-5B IT:J -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA (8x12.5) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 55 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC16M16A2F4-6A:G Alliance Memory, Inc. MT48LC16M16A2FF4-6A:g -
RFQ
ECAD 3045 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-LFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR Alliance Memory, Inc. MT48LC32M16A2P-75 IT:C Tr -
RFQ
ECAD 9821 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC32M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 (72 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25bin 15.6000
RFQ
ECAD 663 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(10.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1313 ear99 8542.32.0036 209 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C8M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BCN 3.3415
RFQ
ECAD 5806 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA AS4C8M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1321 ear99 8542.32.0002 240 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 8m x 16 平行 15ns
AS4C32M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M8D1-5TCN -
RFQ
ECAD 9354 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C2M32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1325 ear99 8542.32.0024 108 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
AS4C32M8D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M8D1-5TIN -
RFQ
ECAD 7647 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1326 ear99 8542.32.0024 108 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
AS4C32M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5bin 6.1800
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1327 ear99 8542.32.0028 240 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C64M8D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BCN 4.2446
RFQ
ECAD 3028 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1330 ear99 8542.32.0028 240 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
AS4C64M16D1-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1-6TIN 29.7100
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C64 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1333 ear99 8542.32.0032 108 166 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D1A-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6TCN 20.1100
RFQ
ECAD 7091 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C64 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1334 ear99 8542.32.0032 108 166 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C8M32S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-7TCN 5.8044
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C8M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1336 ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
AS4C256M8D3LB-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LB-12BCNTR -
RFQ
ECAD 9589 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BINTR -
RFQ
ECAD 4311 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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