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統合サーキット（ICS ）（1624）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C64M8SC-7TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8SC-7TINTR 12.8250
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C64 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 17 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
AS1C1M16P-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C1M16P-70bin 4.2400
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA AS1C1M16 psram（pseudo sram 2.6V〜3.3V 48-FBGA （6x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1476 3A991B2A 8542.32.0041 364 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
AS1C2M16P-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C2M16P-70bin 4.5800
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA AS1C2M16 psram（pseudo sram 2.6V〜3.3V 48-FBGA （6x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1477 3A991B2A 8542.32.0041 364 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
CY62256NLL-70PXC Alliance Memory, Inc. cy62256nll-70pxc -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Alliance Memory mobl® チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） Cy62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1450-1480 廃止 8542.32.0041 42 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
AS4C32M32MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD2A-25BIN 8.2800
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA AS4C32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1470 ear99 8542.32.0032 128 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
AS4C256M16D3LB-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-10bin -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA（13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1492 ear99 8542.32.0036 180 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M16D3LA-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10bin 31.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.275V〜1.425V 96-FBGA（13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1488 ear99 8542.32.0036 180 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
AS4C128M16D3LC-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BAN 11.1300
RFQ
 ECAD 646 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1541 ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS29CF040-55CCIN Alliance Memory, Inc. AS29CF040-55CCIN 7.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc AS29CF040 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS29CF040-55ccin ear99 8542.32.0071 30 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512k x 8 平行 55ns
AS4C256M16D4-83BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-83BCN 10.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D4-83BCN ear99 8542.32.0036 209 1.2 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D4-83BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-83BCN 11.2300
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D4-83BCN ear99 8542.32.0036 242 1.2 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS29CF800B-55TIN Alliance Memory, Inc. AS29CF800B-55TIN 9.1000
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AS29CF800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS29CF800B-55TIN ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT41K512M16HA-125:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-125：a 26.2900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-125：a ear99 8542.32.0036 170 800 MHz 揮発性 8gbit 13.75 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS29CF010-55CCIN Alliance Memory, Inc. AS29CF010-55ccin 5.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc AS29CF010 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS29CF010-55ccin ear99 8542.32.0071 30 不揮発性 1mbit 55 ns フラッシュ 128k x 8 平行 55ns
AS4C32M16SB-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-7BCN -
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA AS4C32 SDRAM 3V〜3.6V 54-FBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C32M16SB-7BCN ear99 8542.32.0028 348 143 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 32m x 16 平行 14ns
AS4C256M32MD4V-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M32MD4V-062BAN 22000
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA AS4C256 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M32MD4V-062BAN ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
AS4C256M16D3C-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-10bin 12.0500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-10bin ear99 8542.32.0036 209 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3LC-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-10BCN 11.2300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LC-10BCN ear99 8542.32.0036 209 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3C-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12BCNTR 11.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-12BCNDKR ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3C-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12BINTR 12.1500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-12BINCT ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
M29F160FT55N3E2 Alliance Memory, Inc. M29F160FT55N3E2 4.4100
RFQ
 ECAD 671 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F160 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-M29F160FT55N3E2 ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 55 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 55ns
M29F800FT55N3E2 Alliance Memory, Inc. M29F800FT55N3E2 4.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-M29F800FT55N3E2 ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
PC28F256P33TFE Alliance Memory, Inc. PC28F256P33TFE 6.1500
RFQ
 ECAD 5057 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F256 フラッシュ-MLCもありません） 2.3V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-PC28F256P33TFE 3A991B1A 8542.32.0071 96 52 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 CFI -
ASFC4G31M-51BIN Alliance Memory, Inc. ASFC4G31M-51bin 7.8400
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA AS8C803625 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-FBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-ASFC4G31M-51bin 3A991B1A 8542.32.0071 160 200 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
AS7C31026B-12TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12TINTR 2.9779
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C31026 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS7C31026B-12TINTR ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
AS5F34G04SNDA-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F34G04SNDA-08LIN 9.1700
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 表面マウント 8-wlga 8-lga （6x8） ダウンロード 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 352
AS6C8008B-45ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8008B-45ZIN 8.2800
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS6C8008 sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS6C8008B-45ZIN ear99 8542.32.0041 135 揮発性 8mbit 45 ns sram 1m x 8 平行 45ns
AS4C64M32MD1A-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1A-5bin 8.6000
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 90-VFBGA AS4C64 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C64M32MD1A-5bin ear99 8542.32.0036 240 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
AS4C8M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SB-6TIN 4.4700
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C8M16SB-6TIN ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 lvttl 12ns
AS4C32M16D1-5BAN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BAN 6.9500
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C32M16D1-5BAN ear99 8542.32.0028 240 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 SSTL_2 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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