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統合サーキット（ICS ）（1624）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C128M16MD4-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16MD4-062BAN 9.4389
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA AS4C128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16MD4-062BAN ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
AS4C256M32MD4-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M32MD4-062BAN 29.3700
RFQ
 ECAD 821 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA AS4C256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M32MD4-062BAN ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
JS28F128P33BF70A Alliance Memory, Inc. JS28F128P33BF70A -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 Alliance Memory Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-JS28F128P33BF70A 3A991B1A 8542.32.0071 96 52 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
PC28F512P30BFB Alliance Memory, Inc. PC28F512P30BFB -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 40 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 -
JS28F320J3F75A Alliance Memory, Inc. JS28F320J3F75A -
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F320J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-JS28F320J3F75A 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
AS4C256M8D3LC-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12BCNTR 6.8250
RFQ
 ECAD 1921年年 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M8D3LC-12BCNTR ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C256M8D3LC-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12BINTR 7.2750
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M8D3LC-12BINTR ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C128M16D3LC-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BCNTR 6.6224
RFQ
 ECAD 5376 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BCNTR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D3C-93BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3C-93BCNTR 7.2000
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3C-93BCNTR ear99 8542.32.0036 2,500 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C512M16D3LA-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCNTR 23.3250
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA（13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LA-10BCNTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS7C3256A-10JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10JCNTR 2.0183
RFQ
 ECAD 4760 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 10 ns sram 32k x 8 平行 10ns
AS4C512M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12bin -
RFQ
 ECAD 9561 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1107 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C8M16MSA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16MSA-6BIN 5.2569
RFQ
 ECAD 3981 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA AS4C8M16 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1456 ear99 8542.32.0002 319 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
AS7C164A-15PCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C164A-15PCNTR 4.0533
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.300 "、7.62mm） AS7C164 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 64kbit 15 ns sram 8k x 8 平行 15ns
AS4C64M32MD1A-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1A-5bin 8.6000
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 90-VFBGA AS4C64 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C64M32MD1A-5bin ear99 8542.32.0036 240 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
AS4C8M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SB-6TIN 4.4700
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C8M16SB-6TIN ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 lvttl 12ns
AS4C32M16D1-5BAN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BAN 6.9500
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C32M16D1-5BAN ear99 8542.32.0028 240 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 SSTL_2 15ns
AS4C128M16D2A-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25BAN 17.6100
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D2A-25BAN ear99 8542.32.0036 209 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 SSTL_18 15ns
AS7C38096A-10TAN Alliance Memory, Inc. AS7C38096A-10TAN 15.9000
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS7C38096A-10TAN 135 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
AS7C31026B-10JIN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-10JIN 4.1200
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS7C31026B-10ジン 3A991B2B 8542.32.0041 16 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
AS4C256M8D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2A-25BCN 14.1900
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C256M8D2A-25BCN ear99 8542.32.0036 264 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 SSTL_18 15ns
AS4C128M16D3LD-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LD-12BCN 9.1300
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ AS4C128 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LD-12BCN ear99 8542.32.0036 190
AS4C64M16D1A-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6BIN 25.4000
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C64M16D1A-6BIN ear99 8542.32.0032 240 166 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 SSTL_2 15ns
AS5F34G04SNDA-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F34G04SNDA-08LIN 9.1700
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 表面マウント 8-wlga 8-lga （6x8） ダウンロード 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 352
AS4C32M16D2C-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2C-25BCN 3.7800
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS4C32M16D2C-25BCN ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 揮発性 512mbit 0.4 ns ドラム 32m x 16 SSTL_18 15ns
AS4C512M16D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-12bin 25.8000
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS4C512M16D3LC-12bin ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LC-12bin 6.9500
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS4C64M16D3LC-12bin ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D4A-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4A-75BCN 9.5500
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS4C256M16D4A-75BCN ear99 8542.32.0036 198 1.333 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 256m x 16 ポッド 15ns
AS6C2016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55zin 4.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS6C2016 sram-非同期 2.7V〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1025 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 55 ns sram 128k x 16 平行 55ns
AS4C64M16D3LA-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12bin -
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1371 ear99 8542.32.0032 209 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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