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統合サーキット（ICS ）（1624）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C4M32S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6TIN -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C4M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 2ns
AS4C2M32S-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-5TCNTR -
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 2ns
AS4C32M16MD1-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-6BCNTR -
RFQ
 ECAD 8576 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C （TJ 表面マウント 60-TFBGA AS4C2M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C4M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BINTR -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS4C4M32S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6TINTR -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C4M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 2ns
AS4C2M32S-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6TCN -
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 2ns
AS4C128M16D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BAN -
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1082 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BCN -
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1085 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2-25bin -
RFQ
 ECAD 5832 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1087 ear99 8542.32.0032 264 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C128M8D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BAN -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1088 ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C256M16D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BAN -
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1094 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BCN -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1097 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3L-12BCN -
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1102 ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BCN -
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1106 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C64M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BCN -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA（13x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1111 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12bin -
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1114 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS6C1608-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C1608-55TIN -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS6C1608 sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1116 3A991B2A 8542.32.0036 135 揮発性 16mbit 55 ns sram 2m x 8 平行 55ns
AS4C128M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2-25BINTR 12.8250
RFQ
 ECAD 3863 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（10.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BINTR -
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C256M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 2033 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BINTR -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-12BINTR -
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C32M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BCNTR 3.8060
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C32M16D2-25BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25BANTR -
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C2M32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C32M16MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-5BCNTR -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TJ 表面マウント 60-TFBGA AS4C2M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BANTR -
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BINTR -
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C64M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BINTR -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS6C1616-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616-55BINTR -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga AS6C1616 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 16mbit 55 ns sram 1m x 16 平行 55ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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