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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS7C34098B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10TIN 5.3647
RFQ
ECAD 2265 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
AS7C34098B-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10TINTR 4.8763
RFQ
ECAD 2193 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
AS4C32M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12bin 4.7491
RFQ
ECAD 4590 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA AS4C32 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1428 ear99 8542.32.0028 190 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 32m x 16 平行
AS4C64M8D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3-12BCN 5.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C(TA) 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1429 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AS4C64M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BCN 4.4684
RFQ
ECAD 1884年 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C(TA) 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1431 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AS4C64M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12bin 4.8188
RFQ
ECAD 1787 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(タタ 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1432 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AS7C316096B-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C316096B-10bin 19.5663
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C316096 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1433 3A991B2A 8542.32.0041 156 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
AS7C325632-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C325632-10bin 20.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA AS7C325632 sram-非同期 2.7V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1434 3A991B2A 8542.32.0041 240 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
AS7C34098B-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10bin 6.7300
RFQ
ECAD 496 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1436 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
AS4C32M16MD1A-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1A-5BCNTR 4.1866
RFQ
ECAD 1184 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜85°C(TJ 表面マウント 60-VFBGA AS4C32 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C1G8D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1485 ear99 8542.32.0032 220 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
AS4C512M16D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
ECAD 641 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.275V〜1.425V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1487 ear99 8542.32.0036 180 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
AS4C8M32MD2A-25BPCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MD2A-25BPCN 5.5100
RFQ
ECAD 2293 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-VFBGA AS4C8M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-FBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C8M32MD2A-25BPCN ear99 8542.32.0024 168 400 MHz 揮発性 256mbit 18 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
AS4C256M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-12BCN 11.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LC-12BCN ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LC-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LC-12BINTR 12.1500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ AS4C512 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500
AS4C512M8D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LC-12bin 12.0500
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ AS4C512 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LC-12bin ear99 8542.32.0036 242
M29F400FT5AN6E2 Alliance Memory, Inc. M29F400FT5AN6E2 4.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-M29F400FT5AN6E2 ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
M29F800FB5AN6F2 Alliance Memory, Inc. M29F800FB5AN6F2 4.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
AS4C512M16D3LB-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BCN 28.3700
RFQ
ECAD 129 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1493 ear99 8542.32.0036 180 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
N25Q032A13ESC40F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13ESC40F 1.6200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-N25Q032A13ESC40FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 5ms
M45PE16-VMW6TG Alliance Memory, Inc. M45PE16-VMW6TG 1.9700
RFQ
ECAD 892 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) M45PE16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-M45PE16-VMW6TGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 3ms
N25Q032A13EF4A0F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13EF4A0F 2.0800
RFQ
ECAD 461 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-UFDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-N25Q032A13EF4A0FTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 5ms
M45PE80-VMP6TG Alliance Memory, Inc. M45PE80-VMP6TG 1.8600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-M45PE80-VMP6TGTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 3ms
N25Q032A13EF640F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13EF640F 1.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 5ms
N25Q064A13EF640E Alliance Memory, Inc. N25Q064A13EF640E 1.3263
RFQ
ECAD 4178 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-N25Q064A13EF640E 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 5ms
AS4C256M16D3C-93BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-93BCN 8.8996
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-93BCN ear99 8542.32.0036 209 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 15ns
AS4C128M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BCN 8.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BCN ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 15ns
M29F800FB55M3F2 Alliance Memory, Inc. M29F800FB55M3F2 4.5800
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 55ns
AS5F31G04SND-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F31G04SND-08LIN 7.7200
RFQ
ECAD 792 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga AS5F31 フラッシュ-nand(slc) 3V〜3.6V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS5F31G04SND-08LIN ear99 8542.32.0071 352 120 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
AS4C512M8D4-75BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-75bin 9.3806
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D4-75bin ear99 8542.32.0036 242 1.333 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫