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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT46V32M16TG-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B:J TR -
RFQ
ECAD 4425 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR Micron Technology Inc. mt29c8g96mazbbdjv-48 it tr -
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.9V 168-VFBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit(nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFDD-48 AIT:C Tr 14.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 14.4ns
MTFC16GJGEF-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16gjgef-ait z tr -
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 AIT:c 9.8850
RFQ
ECAD 3730 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 14.4ns
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 WT:c -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 14.4ns
MTFC4GLGDM-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait z -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MTFC8GLDDQ-4M IT Micron Technology Inc. mtfc8glddq-4m it -
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 100-lbga(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT:c -
RFQ
ECAD 9972 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 208 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 14.4ns
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR -
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 14.4ns
MT49H32M9FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-25:B TR -
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 32m x 9 平行 -
MT49H8M36FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25:B TR -
RFQ
ECAD 3165 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT49H8M36FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-33:B TR -
RFQ
ECAD 3960 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR Micron Technology Inc. mt29c4g96mazbbcjg-48 it tr -
RFQ
ECAD 4943 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-wfbga MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit(nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
N25Q032A13ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESEA0F TR -
RFQ
ECAD 7534 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ4B2 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA(10.5x8) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit(nand フラッシュ、ラム 128m x 32(nand)、64m x 32(lpddr2) 平行 -
MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CKCCBH2-12Z:c -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-TBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCDBJ6-6:d -
RFQ
ECAD 6885 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-lbga MT29F256G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 132-lbga(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6:d -
RFQ
ECAD 6569 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCDBJ6-6R:d -
RFQ
ECAD 5708 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 132-lbga(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT41K64M16TW-107 IT:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 IT:J -
RFQ
ECAD 8187 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,368 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
MTFC32GJDED-3M WT Micron Technology Inc. mtfc32gjded-3m wt -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-VFBGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MTFC64GJDDN-4M IT Micron Technology Inc. mtfc64gjddn-4m it -
RFQ
ECAD 6226 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8523.51.0000 980 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 MMC -
MTFC8GLDEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GLDEA-1M WT -
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 153-wfbga(11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR Micron Technology Inc. mt29pzzz4d4bkesk-18 w.94h tr -
RFQ
ECAD 7364 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント 168-VFBGA 168-VFBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT41K128M8DA-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107:J TR 5.0100
RFQ
ECAD 214 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
MTFC32GJDED-3M WT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjded-3m wt tr -
RFQ
ECAD 8542 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-VFBGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G088888ABABAWP-IT:B TR -
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR 3.9000
RFQ
ECAD 737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT41J128M16HA-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E:D Tr -
RFQ
ECAD 8224 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 128m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫