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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULKEM4-ITF:K Tr 136.1250
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ECAD 4726 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF:KTR 2,000
M29W640GB60ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB60ZA6E -
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ECAD 1849 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT48LC16M8A2BB-6A:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A:L TR -
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ECAD 4570 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-FBGA MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA (8x16) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 12ns
MTFC4GMVEA-WT Micron Technology Inc. mtfc4gmvea-wt -
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ECAD 9450 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga(11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT47H128M8CF-3 L:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 L:h -
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ECAD 8424 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABJ2-10Z:TR -
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ECAD 6219 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR -
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ECAD 9950 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 14ns
MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G08888ABAGAWP-AAT:g 2.7962
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ECAD 3989 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F2G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT29F2G08888ABAGAWP-AAT:g 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 20ns
MT41J512M8RA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J512M8RA-15E IT:d -
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ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(10.5x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 4gbit 13.5 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR -
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ECAD 2476 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA(13x10.5) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit(nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR -
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ECAD 9604 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました -20°C〜75°C(TA) 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT48LC8M32B2B5-7 IT TR Micron Technology Inc. mt48lc8m32b2b5-7 it tr -
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ECAD 2341 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
MT41K256M8DA-125 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AAT:k 7.5500
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ECAD 4354 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT -
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ECAD 1045 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA (8x9) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR -
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ECAD 9834 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - 1 (無制限) ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT51J256M32HF-70:B Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-70:b -
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ECAD 8825 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V 170-FBGA(12x14) ダウンロード ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT51K256M32HF-50 N:A Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-50 N:a -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC - - MT51K256 sgram -gddr5 1.3V〜1.545V - - 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,260 1.25 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT -
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ECAD 2921 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.9V 168-VFBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,008 208 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit(nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
M29W128GH7AZA6E Micron Technology Inc. M29W128GH7AZA6E -
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ECAD 3844 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT46V32M16TG-6T IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T IT:F TR -
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ECAD 9792 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-6 IT:b -
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ECAD 1636 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga (10x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT40A2G4WE-075E:D TR Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E:D Tr -
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ECAD 7099 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (8x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 2g x 4 平行 -
MT41J256M16HA-107:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-107:E Tr -
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ECAD 7618 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫