画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F4T08EULKEM4-ITF:K Tr | 136.1250 | ![]() | 4726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF:KTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | M29W640GB60ZA6E | - | ![]() | 1849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | MT48LC16M8A2BB-6A:L TR | - | ![]() | 4570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-FBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-FBGA (8x16) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 12ns | ||
![]() | mtfc4gmvea-wt | - | ![]() | 9450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga(11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
MT47H128M8CF-3 L:h | - | ![]() | 8424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT29F128G08AMCABJ2-10Z:TR | - | ![]() | 6219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-TBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR | - | ![]() | 9950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 14ns | ||
MT29F2G08888ABAGAWP-AAT:g | 2.7962 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F2G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F2G08888ABAGAWP-AAT:g | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | MT41J512M8RA-15E IT:d | - | ![]() | 4304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J512M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA(10.5x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR | - | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 137-VFBGA | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-VFBGA(13x10.5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit(nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR | - | ![]() | 9604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -20°C〜75°C(TA) | 表面マウント | 90-VFBGA | mt48v4m32 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | |||
mt48lc8m32b2b5-7 it tr | - | ![]() | 2341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 14ns | |||
![]() | MT41K256M8DA-125 AAT:k | 7.5500 | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit(nand | フラッシュ、ラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR | - | ![]() | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||||||||
![]() | MT51J256M32HF-70:b | - | ![]() | 8825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V | 170-FBGA(12x14) | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.75 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
![]() | MT51K256M32HF-50 N:a | - | ![]() | 1041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | - | - | MT51K256 | sgram -gddr5 | 1.3V〜1.545V | - | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.25 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT | - | ![]() | 2921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.9V | 168-VFBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,008 | 208 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit(nand | フラッシュ、ラム | 512M x 16 | 平行 | - | |||
![]() | M29W128GH7AZA6E | - | ![]() | 3844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT46V32M16TG-6T IT:F TR | - | ![]() | 9792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT46H128M16LFB7-6 IT:b | - | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H128M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-vfbga (10x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
MT40A2G4WE-075E:D Tr | - | ![]() | 7099 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 2g x 4 | 平行 | - | ||||
![]() | MT41J256M16HA-107:E Tr | - | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - |
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