SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4-ITX：e -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ITX：d -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT46V16M16CY-5B XIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B XIT：M -
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,368 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT46V16M16P-5B XIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B XIT：M -
RFQ
 ECAD 5780 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,080 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT47H256M8EB-25E XIT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E XIT：c -
RFQ
 ECAD 7469 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0036 1,320 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
N25Q032A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13EF640F TR -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q032A13ESC40F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESC40F TR -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q064A11ESE40G Micron Technology Inc. N25Q064A11ESE40G -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） N25Q064A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q064A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q128A11ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ESE40F TR -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q128A13EF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF840F TR -
RFQ
 ECAD 8622 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
NAND128W3A2BNXE Micron Technology Inc. NAND128W3A2BNXE -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
NAND256W3A2BNXE Micron Technology Inc. NAND256W3A2BNXE -
RFQ
 ECAD 1063 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND256 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 256mbit 50 ns フラッシュ 32m x 8 平行 50ns
NAND512W3A2SZAXE Micron Technology Inc. NAND512W3A2SZAXE -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
PC28F128M29EWHF Micron Technology Inc. PC28F128M29EWHF -
RFQ
 ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 128mbit 60 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT41J128M16JT-125:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-125：K Tr 5.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT41K256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125：k 5.3700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT46H64M32LFMA-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5それ：a -
RFQ
 ECAD 9449 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT46V64M8CV-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8CV-5B IT：J -
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT46V64M8TG-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B IT：J -
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT41K1G8THE-15E:D Micron Technology Inc. mt41k1g8the-15e：d -
RFQ
 ECAD 4182 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA（10.5x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT49H16M36BM-25:A Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-25：a -
RFQ
 ECAD 1236 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 16m x 36 平行 -
N25Q256A73ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A73ESF40G -
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A73 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1576-5 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q00AA13GSF40G Micron Technology Inc. N25Q00AA13GSF40G -
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q00AA13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1571-5 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 256m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q512A13G1240E Micron Technology Inc. N25Q512A13G1240E -
RFQ
 ECAD 8918 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1568 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q128A11EF840E Micron Technology Inc. N25Q128A11EF840E -
RFQ
 ECAD 6016 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1559 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q256A13EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A13EF840E -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1565 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q256A13ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A13ESF40G -
RFQ
 ECAD 1954年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1575-5 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q128A13ESF40E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESF40E -
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1563 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT41K256M16HA-125 IT:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 IT：e -
RFQ
 ECAD 5652 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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