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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M29W800DB70ZM6E Micron Technology Inc. M29W800DB70ZM6E -
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント - M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 187 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
M29W800FB70N3E Micron Technology Inc. M29W800FB70N3E -
RFQ
ECAD 4272 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
M29W800FT70N3E Micron Technology Inc. M29W800FT70N3E -
RFQ
ECAD 6588 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
M36L0R7050T4ZSPE Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZSPE -
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 M36L0R7050 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,560
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 M36W0R6050 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
M39L0R8090U3ZE6E Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6E -
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 133-VFBGA M39L0R8090 フラッシュ -モバイルLPDDRSDRAM 1.7V〜1.95V 133-VFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性、揮発性 256mbit 、512mbit 70 ns フラッシュ、ラム 16m x 16、32m x 16 平行 -
M45PE40S-VMP6G Micron Technology Inc. M45PE40S-VMP6G -
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN (6x5) - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
M58LR256KT70ZQ5E Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZQ5E -
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C(TA) 表面マウント 88-TFBGA M58LR256 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 253 66 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
M58LT128KSB7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KSB7ZA6E -
RFQ
ECAD 4649 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
M58LT128KSB8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KSB8ZA6E -
RFQ
ECAD 8359 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
M58LT128KST8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6E -
RFQ
ECAD 2815 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
M58LT256KSB8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256KSB8ZA6E -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
M58LT256KST7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256KST7ZA6E -
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
M58WR032KB70ZB6Z Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZB6Z -
RFQ
ECAD 3540 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR032 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA (7.7x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
M58WR032KB7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR032KB7AZB6E -
RFQ
ECAD 5823 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR032 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA (7.7x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E AAT:G TR -
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E XIT:G TR -
RFQ
ECAD 1425 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT41K128M16JT-125 M:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 M:K Tr -
RFQ
ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT41K128M16JT-125:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125:K Tr 3.7064
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT41K1G4RH-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G4RH-107:E TR -
RFQ
ECAD 1743 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MT41K1G8TRF-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-107:E TR -
RFQ
ECAD 4950 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9.5x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT41K256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125:E Tr -
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT41K256M4JP-15E:G TR Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-15E:G TR -
RFQ
ECAD 1648 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M4 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 1gbit 13.5 ns ドラム 256m x 4 平行 -
MT41K256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107:K Tr 4.0302
RFQ
ECAD 6361 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AIT:K Tr 7.2100
RFQ
ECAD 517 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT41K2G4TRF-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K2G4TRF-107:E TR -
RFQ
ECAD 2947 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9.5x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 2g x 4 平行 -
MT41K512M16TNA-125 IT:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 IT:E TR -
RFQ
ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MT41K512M16TNA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125:E Tr -
RFQ
ECAD 3160 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR -
RFQ
ECAD 2093 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 134-wfbga MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LF-25 WT:TR -
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 168-wfbga MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 168-FBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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