画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29W800DB70ZM6E | - | ![]() | 6512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | ||
![]() | M29W800FB70N3E | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | M29W800FT70N3E | - | ![]() | 6588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | M36L0R7050T4ZSPE | - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | M36L0R7050 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | ||||||||||||||||
![]() | M36W0R6050U4ZSE | - | ![]() | 1521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | M36W0R6050 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,304 | ||||||||||||||||
![]() | M39L0R8090U3ZE6E | - | ![]() | 2688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 133-VFBGA | M39L0R8090 | フラッシュ -モバイルLPDDRSDRAM | 1.7V〜1.95V | 133-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | 不揮発性、揮発性 | 256mbit 、512mbit | 70 ns | フラッシュ、ラム | 16m x 16、32m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | M45PE40S-VMP6G | - | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M45PE40 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VFQFPN (6x5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
![]() | M58LR256KT70ZQ5E | - | ![]() | 1774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | 88-TFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | |
![]() | M58LT128KSB7ZA6E | - | ![]() | 4649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 70ns | ||
![]() | M58LT128KSB8ZA6E | - | ![]() | 8359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | M58LT128KST8ZA6E | - | ![]() | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | M58LT256KSB8ZA6E | - | ![]() | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | M58LT256KST7ZA6E | - | ![]() | 4120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | ||
![]() | M58WR032KB70ZB6Z | - | ![]() | 3540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | M58WR032 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-VFBGA (7.7x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |
![]() | M58WR032KB7AZB6E | - | ![]() | 5823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | M58WR032 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-VFBGA (7.7x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR | - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR | - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
MT41K128M16JT-125 M:K Tr | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
MT41K128M16JT-125:K Tr | 3.7064 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | MT41K1G4RH-107:E TR | - | ![]() | 1743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | ||
![]() | MT41K1G8TRF-107:E TR | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9.5x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | |
![]() | MT41K256M16HA-125:E Tr | - | ![]() | 7256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |
![]() | MT41K256M4JP-15E:G TR | - | ![]() | 1648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 13.5 ns | ドラム | 256m x 4 | 平行 | - | ||
![]() | MT41K256M8DA-107:K Tr | 4.0302 | ![]() | 6361 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | |
![]() | MT41K256M8DA-125 AIT:K Tr | 7.2100 | ![]() | 517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | |
![]() | MT41K2G4TRF-107:E TR | - | ![]() | 2947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9.5x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | - | ||
![]() | MT41K512M16TNA-125 IT:E TR | - | ![]() | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |
![]() | MT41K512M16TNA-125:E Tr | - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |
![]() | MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR | - | ![]() | 2093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 134-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | MT42L128M32D1LF-25 WT:TR | - | ![]() | 8471 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 168-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - |
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