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統合サーキット（ICS ）（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NSEC53K004-ITJ	17.3574	RFQ	8203	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA	フラッシュ-Nand （PSLC）	3.3V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	1982-NSEC53K004-ITJ			152	200 MHz	不揮発性	32gbit		フラッシュ	4g x 8	EMMC_5	-
NDB26PFC-4DET TR	10.1300	RFQ	8424	Insignis Technology Corporation	NDB2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）				2,500	400 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	SSTL_18	-
NLQ26PFS-8NET TR	10.3100	RFQ	2405	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）				2,000	1.2 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
NSEC00K016-AT	25.5360	RFQ	4250	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	100-lbga	フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	1982-NSEC00K016-AT			98	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5	-
NLQ26PFS-6NAT	8.6106	RFQ	4435	Insignis Technology Corporation	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	1982-NLQ26PFS-6NAT			136	1.6 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
nlq46pfs-6nit tr	15.2500	RFQ	2	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns
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ndb18pfb-4dit tr	3.8250	RFQ	9402	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	60-TFBGA	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x10）	-			1982-NDB18PFB-4DITTR			2,000	400 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	128m x 8	SSTL_18	15ns
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ndl16pfj-9met tr	3.7465	RFQ	7004	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-			1982-NDL16PFJ-9METTR			1,500	933 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	-
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NDQ46PFP-8XIT	-	RFQ	6354	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13.5）	-			1982-NDQ46PFP-8XIT	廃止		2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
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NDD36PT6-2AET TR	2.3914	RFQ	1830	Insignis Technology Corporation	ndd	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-			1982-NDD36PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	SSTL_2	-