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統合サーキット（ICS ）（364）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NSEC53K008-AT | 18.8618 |  | 4589 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53K008-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| NLQ46PFS-8NIT TR | 15.7000 | | 7252 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NSEC53K004-ITJ | 17.3574 | | 8203 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （PSLC） | 3.3V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53K004-ITJ | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| NDB26PFC-4DET TR | 10.1300 | | 8424 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB2 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | SSTL_18 | - | |||||||
| NLQ26PFS-8NET TR | 10.3100 | | 2405 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NSEC00K016-AT | 25.5360 | | 4250 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC00K016-AT | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| NLQ26PFS-6NAT | 8.6106 | | 4435 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ26PFS-6NAT | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| nlq46pfs-6nit tr | 15.2500 | | 2 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||
| nlq43pfs-8nat tr | 18.3000 | | 9245 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| nlq43pfs-6nit tr | 15.2500 | | 9530 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NLQ83PFS-6NET | 17.8885 | | 9122 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ83PFS-6NET | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| NSEC53T016-AT | 19.1520 | | 3994 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T016-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| NLQ26PFS-6NET | 7.1215 | | 8184 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ26PFS-6NET | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | ndl88pfo-9met tr | 18.6200 | | 6333 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL88P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDL88PFO-9METTR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
| nds63pt9-16et tr | 3.0982 | | 2482 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS63PT9-16ETTR | 1,000 | |||||||||||||||||||
| NDS66PBA-20IT | 2.5776 | | 1621 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS66PBA-20IT | 348 | |||||||||||||||||||
 | ndq48pfq-7nit tr | 7.9800 | | 2200 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ48P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDQ48PFQ-7NITTR | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||
 | NDL28PFR-8KIT TR | 6.2016 | | 7407 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL28P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-VFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDL28PFR-8KITTR | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||||
 | NDS76PT5-16IT | 2.2048 | | 2923 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS76P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS76PT5-16IT | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | lvttl | 12ns | |||||
| NDS76PBA-16AT | 2.5039 | | 5919 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS76PBA-16AT | 348 | |||||||||||||||||||
| nlq26pfs-8nat tr | 12.4700 | | 5179 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NDD56PT6-2AET | 2.5508 | | 1576 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | - | 1982-NDD56PT6-2AET | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 32m x 16 | SSTL_2 | - | ||||||||
| NSEC53T064-AT | 73.1250 | | 6346 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T064-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
 | NDQ86PFI-7NET | 10.6400 | | 3602 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ86P | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDQ86PFI-7NET | 198 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | ポッド | 15ns | |||||
| NSEC53T016-IT | 18.0000 | | 6510 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | - | 1982-NSEC53T016-IT | 1,520 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| NLQ26PFS-8NAT | 8.8663 | | 7230 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ26PFS-8NAT | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| ndl46pfp-9mit tr | 9.0000 | | 3354 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13.5） | - | 1982-NDL46PFP-9MITTR | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||
| nlq83pfs-6net tr | 24.5100 | | 6862 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NDL28PFR-8KIT | - | | 6555 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-VFBGA | NDL28 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.5 | - | 影響を受けていない | 1982-NDL28PFR-8KIT | ear99 | 8542.32.0036 | 210 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | NSEC53K008-IT | 24.1600 | | 1 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | NSEC53 | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1982-1029 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | EMMC | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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