画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EN-20 128GB Iグレード | - | ![]() | 8925 | 0.00000000 | swissbit | - | バルク | アクティブ | EN-20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | EN-20128GBI-GRADE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-11-STD | 19.8400 | ![]() | 8871 | 0.00000000 | swissbit | EM-20 | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM4096 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SFEM004GB2ED1TO-I-5E-11-STD | 11.7200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | ||||||
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD | 132.5300 | ![]() | 7519 | 0.00000000 | swissbit | EM-20 | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM064 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | |||
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-11-E16 | 68.6200 | ![]() | 7608 | 0.00000000 | swissbit | EM-26 | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM032 | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | EN-20 32GB Iグレード | - | ![]() | 4616 | 0.00000000 | swissbit | - | バルク | アクティブ | EN-20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | EN-2032GBI-GRADE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||
![]() | EN-20 64GB Iグレード | - | ![]() | 3466 | 0.00000000 | swissbit | - | バルク | アクティブ | EN-20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | EN-2064GBI-GRADE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||
![]() | EN-20 256GB Iグレード | - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | swissbit | - | バルク | アクティブ | EN-20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | EN-20256GBI-GRADE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||
![]() | SFEM128GB1ED1TO-I-7G-311-STD | 50.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | SFEM005GB2ED1TO-I-5E-11P-STD | 16.5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | swissbit | EM-36 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SFEM010GB1ED1TO-I-5E-31P-STD | 18.8500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | swissbit | EM-36 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SFEM005GB1ED1TO-I-5E-31P-STD | 16.5600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-36 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SFEM080GB1ED1TO-I-8H-31P-STD | 120.3400 | ![]() | 8135 | 0.00000000 | swissbit | EM-36 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SFEM032GB1ED1TO-I-5E-311-STD | 18.8500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SFEM040GB1ED1TO-I-7G-31P-STD | 50.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-36 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | sfem128gb2ed1to-a-7g-111-std | 48.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | SFEM256GB2ED1TB-I-VG-111-STD | 72.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SFEM128GB2ED1TB-A-EF-11-STD | 42.8900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SFEM005GB2ED1TO-A-5E-11P-STD | 15.3400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-36 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SFEM128GB2ED1TB-I-EF-111-STD | 40.8500 | ![]() | 1532 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SFEM256GB1ED1ED1 TO-A-8H-111-STD | 127.1400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | swissbit | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 153-TFBGA | SFEM256 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | sfem008gb1em1to-i-hg-11p-std | - | ![]() | 5455 | 0.00000000 | swissbit | EM-16 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-LFBGA | SFEM008 | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1052-SFEM008GB1EM1TO-I-HG-11P-STD | 廃止 | 8542.32.0071 | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SFEM2048B1EM1TO-I-GE-11P-SSP | - | ![]() | 2345 | 0.00000000 | swissbit | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1052-SFEM2048B1EM1TO-I-GE-11P-SSP | 廃止 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | SFEM2048B1EM1TO-I-GE-11P-STD | - | ![]() | 4687 | 0.00000000 | swissbit | EM-16 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-LFBGA | SFEM2048 | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1052-SFEM2048B1EM1TO-I-GE-11P-STD | 廃止 | 8542.32.0071 | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | EMMC | - | ||
SFEM008GB1EA1TO-I-GE-12P-STD | 38.2200 | ![]() | 278 | 0.00000000 | swissbit | EM-26 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM008 | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | |||
SFEM2048B1EA1TO-I-GE-12P-STD | 16.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | swissbit | EM-26 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM2048 | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | EMMC | - | |||
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-121-STD | 19.3100 | ![]() | 223 | 0.00000000 | swissbit | EM-20 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM4096 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | |||
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-121-STD | 101.2000 | ![]() | 109 | 0.00000000 | swissbit | EM-20 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM064 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | |||
SFEM032GB1EA1TO-I-HG-12P-STD | 110.6500 | ![]() | 201 | 0.00000000 | swissbit | EM-26 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | SFEM032 | フラッシュ-Nand (PSLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SFEM005GB1ED1TO-I-5E-11P-STD | 19.1200 | ![]() | 3279 | 0.00000000 | swissbit | EM-36 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SFEM005 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - |
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