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アイソレータ（840）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 承認機関 | チャネルの数 | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | データレート | 立ち上がり /上下時間（タイプ） | 電圧 -出力（最大） | 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） | 現在-dc フォワード（ if ）（ max） | 電圧 -分離 | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 現在 - | 入力-1/サイド2 | 一般的なモード過渡免疫（最小） | 伝播遅延tplh / tphl （最大） | 現在の転送比（最小） | 現在の転送比（最大） | オン /ターンオフ時間（タイプ） | vce 飽和（最大） | ゼロ交差回路 | dv/dt（min） | 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） | 時間をかけます |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FOD816SD | 1.0000 |  | 2384 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -30°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | AC 、DC | 1 | ダーリントン | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80ma | 60µs 、53µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000VRMS | 600％ @ 1MA | 7500 @ 1MA | - | 1V | ||||||||||||||||
 | H11G1300W | 0.3200 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 100V | 1.3V | 60 Ma | 5300VRMS | 1000％ @ 10MA | - | 5µs 、100µs | 1V | ||||||||||||||||
 | FOD2741BT | 1.0000 | | 8970 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| MOC8080 | 1.0000 | | 9451 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 55V | 1.2V | 100 Ma | 5300VRMS | 50％ @ 10ma | - | 3.5µs 、25µs | 1V | ||||||||||||||||
 | FOD2741CSDV | - | | 9605 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 452 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | H11D2SR2M | - | | 7679 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 435 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 7500VPK | 20％ @ 10MA | - | 5µs 、5µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | FODM3053 | 1.0000 | | 3149 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 5MA | - | |||||||||||||||
 | H11A817300 | 0.1200 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 4-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50ma | 2.4µs 、2.4µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300VRMS | 50％ @ 5ma | 600％ @ 5ma | - | 200mv | ||||||||||||||||
| FOD2741CV | 0.3700 | | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| MCT5201SR2M | 0.7000 | | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150ma | 2.5µs 、16µs | 30V | 1.25V | 50 Ma | 7500VPK | 120％ @ 5ma | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | FOD2711S | 0.3200 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | FODM3052R4 | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 10ma | - | |||||||||||||||
 | mocd208vm | 0.4400 | | 9567 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 2156-MOCD208VM-FS | ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 2500VRMS | 40％ @ 10ma | 125％ @ 10ma | 7.5µs.5.7µs | 400mv | |||||||||||||||
| FODM3011R1 | 0.3000 | | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 250 v | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 10ma | - | |||||||||||||||
| MOC8104 | 0.1000 | | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50ma | 2µs 、2µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 5300VRMS | 160 @ 10ma | 256 @ @ 10ma | 3µs 、2.3µs | 400mv | ||||||||||||||||
| H11D1SD | 0.3400 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 5300VRMS | 20％ @ 10MA | - | 5µs 、5µs | 400mv | ||||||||||||||||
| FODM3010R3 | - | | 2106 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 250 v | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 15ma | - | |||||||||||||||
| FOD053LR1 | 1.5500 | | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8ma | - | 7V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 15 @ 16ma | 50％ @ 16ma | 1µs、1µs （最大） | - | ||||||||||||||||
| HCPL0600R1 | 1.0000 | | 9378 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | オープンコレクター | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns、12ns | 1.75V （最大） | 50ma | 3750VRMS | 1/0 | 5kv/µs | 75ns、75ns | ||||||||||||||||
| FOD2200 | 1.8700 | | 357 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トライステート | 4.5V〜20V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 25 Ma | 2.5Mbd | 80ns 、25ns | 1.4V | 10ma | 5000VRMS | 1/0 | 10kv/µs | 300ns、300ns | ||||||||||||||||
| CNY171300W | 0.2200 | | 4650 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.35V | 100 Ma | 5300VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | 2µs、3µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | MOC3052TM | - | | 4044 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | MOC305 | ウル | 1 | トライアック | 6-dip | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.18V | 60 Ma | 4170VRMS | 600 V | 220µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 10ma | - | ||||||||||||||||
| 6N135 | 0.6000 | | 122 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 503 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000VRMS | 7％ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 350NS、350ns | - | ||||||||||||||||
| MOC211R1M | 1.0000 | | 8232 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500VRMS | 20％ @ 10MA | - | 7.5µs.5.7µs | 400mv | ||||||||||||||||
| FODM3011R3 | - | | 6317 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 250 v | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 10ma | - | |||||||||||||||
| CNY173W | 0.2000 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.35V | 100 Ma | 5300VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | 2µs、3µs | 300mv | ||||||||||||||||
| HCPL4502V | 0.7500 | | 773 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns、300ns | - | ||||||||||||||||
 | FOD2743AT | 0.5100 | | 998 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 592 | 50ma | - | 70V | 1.07V | 5000VRMS | 50％ @ 1ma | 100％ @ 1ma | - | 400mv | |||||||||||||||||
| CNW139 | 0.1500 | | 2887 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | 8-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 596 | 60ma | - | 18V | - | 100 Ma | 1000VRMS | 500％ @ 1.6ma | - | - | - | ||||||||||||||||
| MOC8030 | 1.0000 | | 6498 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ダーリントン | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150ma | - | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5300VRMS | 300％ @ 10MA | - | 3.5µs 、95µs | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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