SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電流 -出力が高く、低い 現在 -出力 /チャネル データレート チャネルタイプ 現在 -ピーク出力 立ち上がり /上下時間(タイプ) 電圧 -出力(最大) 電圧 -フォワード( vf)(タイプ) 現在-dc フォワード( if )( max) 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 現在 - 孤立した電力 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫(最小) 伝播遅延tplh / tphl (最大) パルス幅の歪み(最大) 電圧 -出力供給 現在の転送比(最小) 現在の転送比(最大) オン /ターンオフ時間(タイプ) vce 飽和(最大) ゼロ交差回路 dv/dt(min) 現在 -led トリガー( ift )(最大) 時間をかけます
TLP523-4(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4 -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP523 - 1 (無制限) 264-TLP523-4 ear99 8541.49.8000 50
TLP5771(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771 2.3800
RFQ
ECAD 5395 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) TLP5771 光カップリング cqc 1 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP5771(D4E ear99 8541.49.8000 125 1a、1a 1a 15ns 、8ns 1.65V 8 Ma 5000VRMS 35kv/µs 150ns、150ns 50ns 10V〜30V
TLP352(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (LF1、F) 1.9500
RFQ
ECAD 7861 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP352 光カップリング csa 1 8-SMD ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 2a 、2a 2.5a 15ns 、8ns 1.55V 20 ma 3750VRMS 20kv/µs 200ns、200ns 50ns 15V〜30V
TLP705F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp705f -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.268 "、幅6.80mm) TLP705F 光カップリング ウル 1 6スディップカモメの翼 - ROHS準拠 1 (無制限) TLP705F (TPF) ear99 8541.49.8000 2,500 - 450ma - - 5000VRMS 10kv/µs 200ns、200ns - 10V〜20V
TLP5231(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231 5.5100
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) TLP5231 光カップリング CQC 2 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 1,500 1a、1a 2.5a 50ns 、50ns 1.7V (最大) 25 Ma 5000VRMS 25kv/µs 300ns、300ns 150ns 21V〜30V
TLP250(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 -
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP250 - 1 (無制限) 264-TLP250 ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 2989 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP781 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 75% @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP532(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 -
RFQ
ECAD 8121 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP532 - 1 (無制限) 264-TLP532 ear99 8541.49.8000 50
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (LF6、F -
RFQ
ECAD 7433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 (LF6F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 0.1515
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C TLP785 DC 1 トランジスタ ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 gr-tp6ftr ear99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B -
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLP9114B ear99 8541.49.8000 1
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 -
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP552 - 1 (無制限) 264-TLP552 ear99 8541.49.8000 50
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4GB-TL 0.6100
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP383 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP383(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp383 -
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP383 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP383 (D4-GBETR ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP292-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 1.8100
RFQ
ECAD 6387 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
DCL541B01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL541B01 6.3000
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DCL541X01 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) 汎用 DCL541 磁気結合 4 2.25V〜5.5V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 1,500 150Mbps 単方向 0.9ns、0.9ns 5000VRMS はい 3/1 100kv/µs 18.3ns、18.3ns 2.8ns
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 -
RFQ
ECAD 4746 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP2200 - 1 (無制限) 264-TLP2200 ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP781 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 (D4-LF6F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5100
RFQ
ECAD 1248 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP183 yhe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 75% @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP5751(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 2.4300
RFQ
ECAD 9678 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) TLP5751 光カップリング cqc 1 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 125 1a、1a 1a 15ns 、8ns 1.55V 20 ma 5000VRMS 35kv/µs 150ns、150ns 50ns 15V〜30V
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 1.6300
RFQ
ECAD 8340 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 500µA 600% @ 500µA 3µs、3µs 300mv
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 1.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) TLP2745 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜30V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 1,500 50 Ma - 3ns、3ns 1.55V 15ma 5000VRMS 1/0 30kv/µs 120ns、120ns
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(V4-TPL、e 1.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.179 "、幅4.55mm )、 5リード TLP104 DC 1 オープンコレクター 4.5V〜30V 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 8 Ma 1Mbps - 1.61V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 550ns 、400ns
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHF7、F -
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785F (D4GHF7F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP121(GRH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
ECAD 3273 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD (4 リード)、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP121 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5000
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP183 gbe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP3031(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3031 -
RFQ
ECAD 8120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm )、 5リード TLP3031 semko 、ur 1 トライアック 6-dip (カット)、 5リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP3031 ear99 8541.49.8000 50 - 5000VRMS 250 v 100 Ma - はい - 15ma -
TLP9114B(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B -
RFQ
ECAD 9858 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - ear99 8541.49.8000 1
TLP620-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 -
RFQ
ECAD 8282 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) AC 、DC 2 トランジスタ 8ディップ ダウンロード 264-TLP620-2 ear99 8541.49.8000 1 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 50 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫