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アイソレータ（ 2050）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大） ゼロ交差回路 dv/dt（min） 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） 時間をかけます
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2761 AC 、DC 1 2.7V〜5.5V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP2761（D4-LF4E ear99 8541.49.8000 1,500 10 Ma 15Mbd 3ns、3ns 1.5V 10ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 80ns、80ns
TLP785(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP731(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm） TLP731 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 60 Ma 4000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5500
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） tlp385（ye ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 -
RFQ
 ECAD 4049 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、 5リード TLP2066 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 3V〜3.6V 6-MFSOP 、5リード - 264-TLP2066 ear99 8541.49.8000 1 10 Ma 20Mbps 5ns 、4ns 1.6V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 60ns、60ns
TLP781(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP781 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） TLP781F 5A991G 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 -
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP127 DC 1 ダーリントン 6-MFSOP 、4リード - 1 （無制限） 264-tlp127 fjdk-tluf ear99 8541.49.8000 1 150ma 40µs、15µs 300V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 1000％ @ 1MA - 50µs、15µs 1.2V
TLP716(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 -
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP716 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5v〜5.5V 6スディップカモメの翼 - ROHS準拠 1 （無制限） 5A991G 8541.49.8000 100 10 Ma 15Mbd 15ns、15ns 1.65V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 75ns、75ns
TLP2748(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2748 1.1500
RFQ
 ECAD 3907 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2748 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜30V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 50 Ma - 3ns、3ns 1.55V 15ma 5000VRMS 1/0 30kv/µs 120ns、120ns
TLP3063SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3063SCF -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm ）、 5リード TLP3063 bsi、semko 1 トライアック 6-dip （カット）、 5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000VRMS 600 V 100 Ma 600µA （タイプ） はい 200V/µs 5MA -
TLP265J(T7-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J 0.8200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP265 cqc 1 トライアック 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 Ma 3750VRMS 600 V 70 Ma 1ma（タイプ） いいえ 500V/µs 7ma 100µs （最大）
TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 1.2800
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP109 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 5A991 8541.49.8000 125 8ma - 20V 1.64V 20 ma 3750VRMS 20％ @ 16ma - 800ns 、800ns -
TLP3062A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A 1.6600
RFQ
 ECAD 2451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、ガルウィング TLP3062 cqc 1 トライアック 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50 Ma 5000VRMS 600 V 100 Ma 600µA （タイプ） はい 2kv/µs（タイプ） 10ma -
TLP2530(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 1.7600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2530 DC 2 トランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 7％ @ 16ma - 300NS 、500ns -
TLP124(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 -
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP124 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 200％ @ 1ma 1200％ @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP548J(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP548J 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm） TLP548 ウル 1 scr 6-dip ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50 Ma 2500VRMS 600 V 150 Ma 1ma いいえ 5V/µs 7ma 10µs
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5500
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 75％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP9118(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 -
RFQ
 ECAD 4527 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLP9118 ear99 8541.49.8000 1
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（LGB e 1.7900
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 500µA 600％ @ 500µA 3µs、3µs 300mv
TLP121(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
 ECAD 6997 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP121 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP626(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 -
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP626 AC 、DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 50ma 8µs 、8µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200％ @ 1ma 1200％ @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP2361(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2361 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 10 Ma 15Mbd 3ns、3ns 1.5V 10ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 80ns、80ns
TLP759(TP1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 -
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP759 DC 1 トランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 適用できない TLP759 ear99 8541.49.8000 1,500 8ma - 20V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20％ @ 16ma - 200ns、300ns -
TLP266J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J 0.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TLP テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP266 1 トライアック 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 Ma 3750VRMS 600 V 70 Ma 600µA （タイプ） はい 200V/µs 10ma 30µs
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 1.4600
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP291 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.2V 50 Ma 2500VRMS 100 @ @ 5ma 400％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP109(IGM-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 1.9200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP109 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 8ma - 20V 1.64V 20 ma 3750VRMS 25％ @ 10MA 75％ @ 10MA 450ns 、450ns -
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 0.6100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP185 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP183(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5100
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP183 ble ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 200％ @ 5MA 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP121(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP121 ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2770(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 e 2.2400
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2770 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP2770 ear99 8541.49.8000 125 10 Ma 20MBD 1.3ns、1ns 1.5V 8ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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196-LFBGA露出パッド

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