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ダイオード（545）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84J-C24,115 NXP Semiconductors BZX84J-C24,115 0.0300
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 550 MW SOD-323F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX84J-C24,115-954 11,823 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 16.8 v 24 v 30オーム
PZU3.0B2A,115 NXP Semiconductors PZU3.0B2A 、115 -
RFQ
 ECAD 1522 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU3.0B2A 、115-954 1 1.1 V @ 100 MA 10 µA @ 1 V 3 v 95オーム
NZX6V2C133 NXP Semiconductors NZX6V2C133 -
RFQ
 ECAD 8589 0.00000000 NXP半導体 NZX バルク アクティブ ±2.42％ 175°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW ALF2 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-NZX6V2C133-954 1 1.5 V @ 200 mA 3 µA @ 4 V 6.15 v 15オーム
BZX79-B15,133 NXP Semiconductors BZX79-B15,133 -
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 NXP半導体 BZX79 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX79-B15,133-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 10.5 v 15 V 30オーム
PZU12BA,115 NXP Semiconductors PZU12BA 、115 -
RFQ
 ECAD 6428 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU12BA、115-954 1 1.1 V @ 100 MA 100 na @ 9 v 12 v 10オーム
BZV90-C8V2,115 NXP Semiconductors BZV90-C8V2,115 -
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 NXP半導体 BZV90 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SC-73 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZV90-C8V2,115-954 1 1 V @ 50 mA 700 na @ 5 v 8.2 v 15オーム
PDZ33BGWX NXP Semiconductors PDZ33BGWX -
RFQ
 ECAD 8602 0.00000000 NXP半導体 自動車、AEC-Q101、PDZ-GW バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 365 MW SOD-123 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDZ33BGWX-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 25 V 33 v 40オーム
BZV90-C16115 NXP Semiconductors BZV90-C16115 -
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 NXP半導体 BZV90 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SC-73 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZV90-C16115-954 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 11.2 v 16 v 40オーム
PZU2.4BL,315 NXP Semiconductors PZU2.4BL 、315 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-882 250 MW DFN1006-2 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU2.4BL 、315-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
PZU9.1B2,115 NXP Semiconductors PZU9.1B2,115 -
RFQ
 ECAD 9806 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-90、SOD-323F 310 MW SC-90 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU9.1B2,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 500 NA @ 6 V 9.1 v 10オーム
TDZ16J,115 NXP Semiconductors TDZ16J 、115 -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 NXP半導体 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ バルク アクティブ ±1.88％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-90、SOD-323F 500 MW SC-90 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-TDZ16J、115-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 11.2 v 16 v 20オーム
BAS70-04W,115 NXP Semiconductors BAS70-04W 、115 -
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 ショットキー SC-70 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BAS70-04W 、115-954 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 70 v 70ma 1 V @ 15 mA 10 µA @ 70 V 150°C
BZT52H-B62,115 NXP Semiconductors BZT52H-B62,115 -
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 NXP半導体 BZT52H バルク アクティブ ±1.94％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123F 375 MW SOD-123F - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZT52H-B62,115-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 43.4 v 62 v 140オーム
BZX384-C11,115 NXP Semiconductors BZX384-C11,115 -
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 NXP半導体 BZX384 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 300 MW SOD-323 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX384-C11,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 100 Na @ 8 V 11 v 20オーム
BZX84J-C13,115 NXP Semiconductors BZX84J-C13,115 -
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-90、SOD-323F 550 MW SC-90 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX84J-C13,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 100 Na @ 8 V 13 v 10オーム
BZV49-C11,115 NXP Semiconductors BZV49-C11,115 -
RFQ
 ECAD 4934 0.00000000 NXP半導体 BZV49 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W SOT-89 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZV49-C11,115-954 1 1 V @ 50 mA 100 Na @ 8 V 11 v 20オーム
BZV49-C22,115 NXP Semiconductors BZV49-C22,115 -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 NXP半導体 BZV49 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W SOT-89 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZV49-C22,115-954 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 15.4 v 22 v 55オーム
BZX884-B2V7,315 NXP Semiconductors BZX884-B2V7,315 -
RFQ
 ECAD 6297 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-882 250 MW DFN1006-2 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX884-B2V7,315-954 1 900 mV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
PZU22B1,115 NXP Semiconductors PZU22B1,115 -
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-90、SOD-323F 310 MW SC-90 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU22B1,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 17 V 22 v 20オーム
BZX79-C47,113 NXP Semiconductors BZX79-C47,113 0.0200
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-C47,113-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 NA @ 700 mV 47 v 170オーム
PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010ESBYL 0.0400
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 2-xdfn PMEG6010 ショットキー DSN1006-2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMEG6010ESBYL-954 ear99 8541.10.0080 8,126 高速回復= <500ns 60 V 730 mv @ 1 a 2.4 ns 30 µA @ 60 V 150°C （最大） 1a 20pf @ 10V、1MHz
BZV85-C27,133 NXP Semiconductors BZV85-C27,133 0.0400
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ 200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV85-C27,133-954 1 1 V @ 50 mA 50 na @ 19 v 27 v 40オーム
BZB84-C6V2,215 NXP Semiconductors BZB84-C6V2,215 0.0200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 300 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZB84-C6V2,215-954 ear99 8541.10.0050 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 v 10オーム
BZX79-B3V6,113 NXP Semiconductors BZX79-B3V6,113 0.0200
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-B3V6,113-954 1 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90オーム
PMBD914,215 NXP Semiconductors PMBD914,215 0.0200
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 PMBD914 標準 TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMBD914,215-954 1 高速回復= <500ns 100 V 1.25 V @ 150 MA 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C （最大） 215ma 1.5pf @ 0V、1MHz
BZX84J-B62,115 NXP Semiconductors BZX84J-B62,115 0.0300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 550 MW SOD-323F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX84J-B62,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 43.4 v 62 v 140オーム
TDZ4V7J,115 NXP Semiconductors TDZ4V7J、115 -
RFQ
 ECAD 1229 0.00000000 NXP半導体 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ バルク アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F TDZ4v7 500 MW SOD-323F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-TDZ4V7J、115-954 1 1.1 V @ 100 MA 3 µA @ 2 V 4.7 v 80オーム
NZH16C,115 NXP Semiconductors NZH16C 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±3％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123F 500 MW SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-NZH16C、115-954 1 900 mV @ 10 Ma 40 na @ 12 v 16 v 18オーム
BZX884-C18,315 NXP Semiconductors BZX884-C18,315 -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-882 250 MW DFN1006-2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX884-C18,315-954 ear99 8541.10.0070 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 12.6 v 18 v 45オーム
BZX79-C18,133 NXP Semiconductors BZX79-C18,133 0.0200
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-C18,133-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 12.6 v 18 v 45オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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