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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
BAT54-FS Fairchild Semiconductor bat54-fs 1.0000
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ BAT54 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
MMSZ5226B-FS Fairchild Semiconductor MMSZ5226B-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
1N4730A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4730A-T50A -
RFQ
 ECAD 1513 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-1N4730A-T50A-600039 1 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
BZX85C3V3 Fairchild Semiconductor BZX85C3V3 -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX85C3V3-600039 1 1.2 V @ 200 mA 60 µA @ 1 V 3.3 v 20オーム
1N5254BTR Fairchild Semiconductor 1N5254BTR -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-1N5254BTR-600039 1 100 Na @ 21 V 27 v 41オーム
MM3Z16VC Fairchild Semiconductor MM3Z16VC -
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 フェアチャイルド半導体 c バルク アクティブ ±5％ 150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MM3Z16VC-600039 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 11.2 v 16 v 37オーム
BZX85C24 Fairchild Semiconductor BZX85C24 0.0300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C24 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 18 V 24 v 25オーム
MMSZ5229B Fairchild Semiconductor MMSZ5229B -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 23オーム
MMSZ4689 Fairchild Semiconductor MMSZ4689 -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 3 V 5.1 v
BZX85C30 Fairchild Semiconductor BZX85C30 0.0300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C30 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 22 V 30 V 30オーム
MM5Z2V4 Fairchild Semiconductor MM5Z2V4 1.0000
RFQ
 ECAD 1130 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±8.33％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
BZX85C20 Fairchild Semiconductor BZX85C20 1.0000
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C20 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 15 V 20 v 24オーム
BZX84C5V6-FS Fairchild Semiconductor BZX84C5V6-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C5 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,003 900 mV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 10オーム
MMSZ5245B Fairchild Semiconductor MMSZ5245B -
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 11 v 15 V 13オーム
BZX84C3V3 Fairchild Semiconductor BZX84C3V3 0.0200
RFQ
 ECAD 9022 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 9,160 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 v 95オーム
1N5256B Fairchild Semiconductor 1N5256B 1.8600
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5256 500 MW - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 900 mV @ 200 mA 100 Na @ 23 V 30 V 49オーム
1N5263B Fairchild Semiconductor 1N5263B 1.8600
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5263 500 MW - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 900 mV @ 200 mA 100 Na @ 41 v 56 v 150オーム
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1.0000
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
MMBZ5249B Fairchild Semiconductor MMBZ5249B 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
BZX85C4V7 Fairchild Semiconductor BZX85C4V7 0.0300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C4 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 1 V 4.7 v 13オーム
RB751S40 Fairchild Semiconductor RB751S40 -
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523F RB751 ショットキー SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 370 mV @ 1 Ma 500 NA @ 10 V -55°C〜125°C 30ma -
MMBZ5248B Fairchild Semiconductor MMBZ5248B 0.0200
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 14 V 18 v 21オーム
MMSD459A Fairchild Semiconductor MMSD459A -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 MMSD45 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 150°C （最大） - -
MMBZ5242B Fairchild Semiconductor MMBZ5242B -
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 1 µA @ 9.1 v 12 v 30オーム
MMBZ5253B Fairchild Semiconductor MMBZ5253B 0.0200
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 756 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 19 v 25 v 35オーム
FYD0504SATM Fairchild Semiconductor FYD0504SATM -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 FYD05 ショットキー d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 40 v 550 mv @ 5 a 1 MA @ 40 V -65°C〜150°C 5a -
1N4937 Fairchild Semiconductor 1N4937 0.0200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4937 標準 軸 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 600 V 1.2 V @ 1 a 300 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜150°C 1a -
GBU6J Fairchild Semiconductor gbu6j -
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-ESIP 、GBU 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 445 1 V @ 6 a 5 µA @ 600 v 4.2 a 単相 600 V
RHRP860-R4647 Fairchild Semiconductor RHRP860-R4647 -
RFQ
 ECAD 8543 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-RHRP860-R4647-600039 1
ES1D-F080 Fairchild Semiconductor ES1D-F080 -
RFQ
 ECAD 2274 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-ES1D-F080-600039 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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