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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
MM5Z24V Fairchild Semiconductor MM5Z24V 0.0200
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F MM5Z2 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 16.8 v 24 v 70オーム
MMSZ5251B Fairchild Semiconductor MMSZ5251B 1.0000
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 17 V 22 v 19オーム
MM5Z27V Fairchild Semiconductor MM5Z27V 1.0000
RFQ
 ECAD 8487 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±7％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F MM5Z2 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 18.9 v 27 v 80オーム
EGP10J Fairchild Semiconductor EGP10J 0.0600
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 EGP10 標準 do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜150°C 1a -
1N4729A Fairchild Semiconductor 1N4729A 0.0300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して 軸 1N4729 1 W do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 MA 100 µA @ 1 V 3.6 v 10オーム
FDH333_Q Fairchild Semiconductor FDH333_Q 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1
BZX84C24 Fairchild Semiconductor BZX84C24 -
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 16.8 v 24 v 70オーム
RHRG5060F085 Fairchild Semiconductor RHRG5060F085 2.5900
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 標準 TO-247-2 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10 高速回復= <500ns 600 V 2.1 V @ 50 a 60 ns 250 µA @ 600 V -55°C〜175°C 50a -
GBPC1208 Fairchild Semiconductor GBPC1208 1.1600
RFQ
 ECAD 760 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C シャーシマウント 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 800 V 12 a 単相 800 V
FDH300_Q Fairchild Semiconductor FDH300_Q 1.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
MMBZ5252B Fairchild Semiconductor MMBZ5252B 0.0200
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 659 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
1N5821 Fairchild Semiconductor 1N5821 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA 1N58 ショットキー DO-2011 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,603 高速回復= <500ns 30 V 900 mV @ 9.4 a 2 mA @ 30 v -50°C〜150°C 3a -
1N5256BTR Fairchild Semiconductor 1N5256BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5256 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 23 V 30 V 49オーム
BZX85C33 Fairchild Semiconductor BZX85C33 1.0000
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C33 1.3 w do-41g - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 24 V 33 v 35オーム
SB320 Fairchild Semiconductor SB320 0.1500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA SB32 ショットキー DO-2011 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 2,049 高速回復= <500ns 20 v 490 mV @ 3 a 500 µA @ 20 V -50°C〜150°C 3a -
1N5406 Fairchild Semiconductor 1N5406 1.0000
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 1N5406 標準 do15/do204ac - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,250 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 3 a 1.5 µs 200 Na @ 600 V -50°C〜175°C 3a -
1N5257BTR Fairchild Semiconductor 1N5257BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 241 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 58オーム
MMSD4148-D87Z-FS Fairchild Semiconductor MMSD4148-D87Z-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C〜150°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
RHRG5060-F085 Fairchild Semiconductor RHRG5060-F085 -
RFQ
 ECAD 4183 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 RHRG5060 標準 TO-247-2 - 適用できない 3 （168 時間） 2156-RHRG5060-F085 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2.1 V @ 50 a 60 ns 250 µA @ 600 V -55°C〜175°C 50a -
MMBZ5246B-NL Fairchild Semiconductor MMBZ5246B-NL 0.7100
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 12 v 16 v 17オーム
MMSZ5237B Fairchild Semiconductor MMSZ5237B 0.0200
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 6.5 v 8.2 v 6オーム
MMSZ5240B Fairchild Semiconductor MMSZ5240B -
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 8 V 10 v 10オーム
MMSZ5230B Fairchild Semiconductor MMSZ5230B 1.0000
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19オーム
MMSZ5235B Fairchild Semiconductor MMSZ5235B 0.0200
RFQ
 ECAD 361 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
MMSZ5233B Fairchild Semiconductor MMSZ5233B 0.0200
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 3.5 v 6 v 11オーム
MMBZ5246B Fairchild Semiconductor MMBZ5246B 0.0200
RFQ
 ECAD 525 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 12 v 16 v 17オーム
MMSD4148 Fairchild Semiconductor MMSD4148 -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 MMSD41 標準 SOD-123 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V 150°C （最大） 200mA 4PF @ 0V、1MHz
FYPF2010DNTU Fairchild Semiconductor FYPF2010DNTU -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック FYPF20 ショットキー TO-220F - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 20a 770 mV @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
BZX85C3V9 Fairchild Semiconductor BZX85C3V9 0.0300
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 3.9 v 15オーム
RB521S30 Fairchild Semiconductor RB521S30 -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 ショットキー SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 10 V -55°C〜125°C 200mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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