画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N962B | 2.3000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 131 | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 9.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N756ATR | 0.0500 | ![]() | 170 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 8.2 v | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N751A | - | ![]() | 3959 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N964BTR | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||||||||
![]() | fep16jtd | 1.0000 | ![]() | 6909 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 600 V | 16a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | FDH700 | 1.2000 | ![]() | 47 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 20 v | 1.25 V @ 50 MA | 900 PS | 50 na @ 20 v | -65°C〜175°C | 150ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N969B | 1.8400 | ![]() | 168 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 16.7 v | 22 v | 29オーム | ||||||||||||||||
![]() | FFP05U60DNTU | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,719 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 5a | 2.3 V @ 5 a | 80 ns | 2.5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | FFPF04F150STU | 1.0000 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1500 v | 1.5 V @ 4 a | 170 ns | 5 µA @ 1500 V | -65°C〜150°C | 4a | - | |||||||||||||
![]() | flz7v5b | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 300 NA @ 4 V | 7.3 v | 6.6オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N6001B | 1.8400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.4 v | 11 v | 18オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5995B | 1.8400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N973B | 1.8400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 58オーム | ||||||||||||||||
![]() | FES16BT | - | ![]() | 6801 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | 170pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | flz6v8c | 0.0200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 17,006 | 1.2 V @ 200 mA | 1.1 µA @ 3.5 V | 6.8 v | 6.6オーム | |||||||||||||||
![]() | FFAF15U120DNTU | 2.1400 | ![]() | 360 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 15a | 3.5 V @ 15 a | 100 ns | 15 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | flz9v1b | 0.0200 | ![]() | 4948 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,433 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 8.8 v | 6.6オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5249B | 1.8400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | |||||||||||||||
![]() | FFA10U120DNTU | 1.6200 | ![]() | 902 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 10a | 3.5 V @ 10 a | 100 ns | 10 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | flz3v6a | 1.0000 | ![]() | 9916 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 2.8 µA @ 1 V | 3.6 v | 48オーム | |||||||||||||||
![]() | FES16HT | 0.2700 | ![]() | 7271 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 801 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65°C〜150°C | 16a | 145pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5998B | 3.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 104 | 1.2 V @ 200 mA | 500 na @ 6.5 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX55C4V3 | 0.0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 75オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX85C27 | 0.0500 | ![]() | 82 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 19 V | 27 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | FES16JT | 0.8700 | ![]() | 7947 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2156-FES16JT-FS | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 16a | 145pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | KBL005 | 1.0000 | ![]() | 9950 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbl | 標準 | KBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||||
![]() | KBP08M | - | ![]() | 7543 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||
![]() | 1N5991B | 2.0000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 88オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRP745TU | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 650 mV @ 7.5 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜150°C | 7.5a | - | ||||||||||||||
![]() | FFA120UP60DNTU | 0.9600 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 91 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 120a | 2.2 V @ 60 a | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -65°C〜150°C |
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