画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 電流に結合された電圧 - @ vr | 電圧に結合された電流-worward vf )( max @ if |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5238B | 0.0300 | ![]() | 115 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 500 MW | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5237B | 0.0300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 500 MW | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 3 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 8オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR0520L | - | ![]() | 1880 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 385 mV @ 500 Ma | 250 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 500mA | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4745A | 0.0300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 1 W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,616 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SB520 | - | ![]() | 1587 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N457A | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1 | 1 | -65°C〜150°C | 150ma | - | 70 | 100 | |||||||||||||
![]() | ES1DAF | 0.2600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AD、SMAF | ES1D | 標準 | do-214ad(smaf) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,152 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 1 a | 34 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | ffpf10up20stu | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 567 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 10 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||||
![]() | FDH444TR | 0.0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | FDH444 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 9,779 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1.2 V @ 300 MA | 60 ns | 50 Na @ 100 V | 175°C (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | MM3Z68VC | 0.0200 | ![]() | 58 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 47.6 v | 68 v | 226オーム | ||||||||||||||||||
![]() | S3K | - | ![]() | 3073 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||
![]() | SB560 | 1.0000 | ![]() | 3074 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 670 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -50°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||
![]() | GF1D | 0.1300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,441 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | UF4004 | - | ![]() | 3909 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | SB130 | 0.0900 | ![]() | 60 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | ショットキー | do15/do204ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,386 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||
![]() | MM3Z4V7B | 0.0200 | ![]() | 7141 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 75オーム | ||||||||||||||||||
![]() | SB540 | - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MM3Z62VB | 0.0200 | ![]() | 3951 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | MM3Z62 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 43.4 v | 62 v | 202オーム | |||||||||||||||||
![]() | FDH3595 | - | ![]() | 3915 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 200 mA | 1 Na @ 125 v | 175°C (最大) | 200mA | 8pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | GBPC1202 | 3.1600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 95 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 12 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5244B | 0.0300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 mV @ 200 mA | 100 na @ 11 v | 14 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79C4V3 | 0.0200 | ![]() | 167 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4756A | 0.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79C7V5-T50A | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | RS1MFP | 1.0000 | ![]() | 4998 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | rs1m | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1.2 a | 300 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.2a | 18pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MB8S | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-269AA | 標準 | TO-269AA MINIDIL SLIM | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,526 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 800 V | 500 Ma | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||||
![]() | FDH400TR | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 9,779 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 1.1 V @ 300 Ma | 50 ns | 100 Na @ 150 V | 175°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | MMBD1405A | 0.0700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 4,594 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 175 v | 200mA | 1.1 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 175 v | 150°C (最大) | ||||||||||||||||
![]() | GBPC1201 | 1.0000 | ![]() | 9896 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 12 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||||
![]() | ES3C | - | ![]() | 9992 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 150 v | -50°C〜150°C | 3a | - |
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