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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
RURD620CCS9A Fairchild Semiconductor rurd620ccs9a -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 標準 TO-252 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 6a 1 V @ 6 a 30 ns 100 µA @ 200 V -65°C〜175°C
FLZ36VB Fairchild Semiconductor FLZ36VB 0.0200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 27 V 33.6 v 63オーム
1N457 Fairchild Semiconductor 1N457 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0070 8,172 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1 V @ 20 mA 25 na @ 60 v 175°C （最大） 200mA 8pf @ 0V、1MHz
MMSZ5234B Fairchild Semiconductor MMSZ5234B 0.0200
RFQ
 ECAD 426 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ5234 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7オーム
MMSZ5232B Fairchild Semiconductor MMSZ5232B 0.0200
RFQ
 ECAD 303 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 3 V 5.6 v 17オーム
MMSZ5252B Fairchild Semiconductor MMSZ5252B 0.0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
MBR1645 Fairchild Semiconductor MBR1645 1.0000
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 MBR1645 ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 45 v 630 mv @ 16 a 1 MA @ 45 v -65°C〜175°C 16a 1400pf @ 5V、1MHz
MBR2545CT Fairchild Semiconductor MBR2545CT -
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 MBR2545 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 214 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 25a 820 mv @ 25 a 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C
1N5817 Fairchild Semiconductor 1N5817 5.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 1N5817 ショットキー do15/do204ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 57 高速回復= <500ns 20 v 750 mV @ 3 a 1 mA @ 20 v -50°C〜150°C 1a -
BZX85C5V1 Fairchild Semiconductor BZX85C5V1 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C5 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 1.5 v 5.1 v 10オーム
BZX85C9V1 Fairchild Semiconductor BZX85C9V1 0.0300
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C9 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 6.8 v 9.1 v 5オーム
MMBZ5227B Fairchild Semiconductor MMBZ5227B -
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 15 µA @ 1 V 3.6 v 24オーム
MMBZ5231B Fairchild Semiconductor MMBZ5231B -
RFQ
 ECAD 1027 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17オーム
SS26 Fairchild Semiconductor SS26 -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB SS26 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 700 mV @ 2 a 400 µA @ 60 V -65°C〜125°C 2a -
BZX79C3V0 Fairchild Semiconductor BZX79C3V0 0.0200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C3 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 3 v 95オーム
BAT54A Fairchild Semiconductor bat54a -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT54 ショットキー SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 30 V 200mA 1 V @ 100 MA 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C
1N5820 Fairchild Semiconductor 1N5820 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA 1N58 ショットキー DO-2011 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 5 高速回復= <500ns 20 v 850 mV @ 9.4 a 2ma @ 20 v -50°C〜150°C 3a -
1N4731A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4731A-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4731 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 1 V 4.3 v 9オーム
BAW76 Fairchild Semiconductor BAW76 1.0000
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BAW76 標準 DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 75 v 1 V @ 100 MA 4 ns 100 Na @ 50 V 175°C （最大） 300mA 2PF @ 0V、1MHz
1N4744A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50R 0.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4744 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 11.4 v 15 V 14オーム
MBR2535CT Fairchild Semiconductor MBR2535CT 1.0000
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 MBR2535 ショットキー TO-220-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 25a 820 mv @ 25 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
BAS16 Fairchild Semiconductor BAS16 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS16 標準 SC-59-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 75 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 100 Na @ 80 V 150°C （最大） 215ma 1.2pf @ 0V、1MHz
BZX84C16 Fairchild Semiconductor BZX84C16 -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 11.2 v 16 v 40オーム
BZX84C4V3 Fairchild Semiconductor BZX84C4V3 0.0200
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C4 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
1N5257B-FS Fairchild Semiconductor 1N5257B-FS 2.0200
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 58オーム
1N5261B Fairchild Semiconductor 1N5261B 1.8600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 36 V 47 v 105オーム
MMBZ5254B Fairchild Semiconductor MMBZ5254B 0.0200
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 21 V 27 v 41オーム
BZX79C24 Fairchild Semiconductor BZX79C24 0.0200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 16.8 v 24 v 70オーム
RURD4120S9A-SB82080 Fairchild Semiconductor RURD4120S9A-SB82080 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,500
1N4733A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4733A-T50R 0.0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4733 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 1 V 5.1 v 7オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

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