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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
GBPC1506 Fairchild Semiconductor GBPC1506 -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC15 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 7.5 a 5 µA @ 600 v 15 a 単相 600 V
FYA3010DNTU Fairchild Semiconductor fya3010dntu 1.2300
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 ショットキー to-3pn ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 30a 1.05 V @ 30 a 1 MA @ 100 V -65°C〜150°C
FDH444 Fairchild Semiconductor FDH444 0.0300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 FDH444 標準 DO-35 ダウンロード ear99 8542.39.0001 9,521 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 125 v 1.2 V @ 300 MA 60 ns 50 Na @ 100 V 175°C （最大） 200mA 2.5pf @ 0V、1MHz
MMSZ28VCF Fairchild Semiconductor MMSZ28VCF 0.0600
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123F MMSZ28 1 W SOD-123F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1,853 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 21 V 28 v 15オーム
EGF1B Fairchild Semiconductor egf1b 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,205 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 1 a 50 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
S2M Fairchild Semiconductor S2M -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB S2M 標準 do-214aa ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1000 V 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 2a 30pf @ 4V、1MHz
MBR460MFST3G Fairchild Semiconductor MBR460MFST3G -
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 8-powertdfn MBR460 ショットキー 5-dfn ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 740 mV @ 4 a 200 µA @ 60 V -55°C〜175°C 4a -
FLZ2V4A Fairchild Semiconductor flz2v4a 0.0300
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±4％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,092 1.2 V @ 200 mA 84 µA @ 1 V 2.4 v 35オーム
1N5396 Fairchild Semiconductor 1N5396 0.0200
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,195 標準回復> 500ns 500 V 1.4 V @ 1.5 a 5 µA @ 500 V -55°C〜150°C 1.5a 25pf @ 4V、1MHz
FLZ6V2A Fairchild Semiconductor flz6v2a 0.0200
RFQ
 ECAD 6234 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 11,324 1.2 V @ 200 mA 3.3 µA @ 3 V 5.9 v 8.5オーム
FFAF20U20DNTU Fairchild Semiconductor FFAF20U20DNTU 0.8300
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 20a 1.2 V @ 20 a 40 ns 20 µA @ 200 v -65°C〜150°C
BZX55C47 Fairchild Semiconductor BZX55C47 0.0200
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 35 V 47 v 110オーム
FEP16DT Fairchild Semiconductor FEP16DT 0.5200
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 16a 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 200 v -55°C〜150°C
FLZ3V0B Fairchild Semiconductor FLZ3V0B -
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 - ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 35 µA @ 1 V 3.1 v 35オーム
FFPF15UP20STTU Fairchild Semiconductor ffpf15up20sttu 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F-2L ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 200 v 1.15 V @ 15 a 45 ns 100 µA @ 200 V -65°C〜150°C 15a -
FFPF12UP20DNTU Fairchild Semiconductor FFPF12UP20DNTU 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 6a 1.15 V @ 6 a 12 ns 100 µA @ 200 V -65°C〜150°C
BZX79C22 Fairchild Semiconductor BZX79C22 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 15.4 v 22 v 55オーム
1N5994B Fairchild Semiconductor 1N5994B 2.0000
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 2 µA @ 3 V 5.6 v 25オーム
FLZ6V8A Fairchild Semiconductor flz6v8a 0.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 1.1 µA @ 3.5 V 6.5 v 6.6オーム
1N4154 Fairchild Semiconductor 1N4154 1.2700
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 237 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 35 v 1 V @ 30 mA 4 ns 100 Na @ 25 V 175°C （最大） 100mA 4PF @ 0V、1MHz
FLZ12VB Fairchild Semiconductor FLZ12VB 0.0200
RFQ
 ECAD 1854年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 9 v 11.7 v 9.5オーム
BZX55C3V6 Fairchild Semiconductor BZX55C3V6 1.0000
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 2 µA @ 1 V 3.6 v 85オーム
FFPF15U20DPTU Fairchild Semiconductor FFPF15U20DPTU -
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 15a 1.2 V @ 15 a 40 ns 15 µa @ 200 v -65°C〜150°C
FLZ2V7A Fairchild Semiconductor flz2v7a 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±4％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 70 µA @ 1 V 2.6 v 35オーム
1N914A Fairchild Semiconductor 1N914A 0.0200
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 2,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1 V @ 20 mA 4 ns 5 µA @ 75 V 175°C （最大） 200mA 4PF @ 0V、1MHz
1N6015B Fairchild Semiconductor 1N6015B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 33 V 43 v 150オーム
1N6010B Fairchild Semiconductor 1N6010B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 21 V 27 v 70オーム
3N259 Fairchild Semiconductor 3N259 1.0000
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 1 V 2 a 単相 1 kV
2W10G Fairchild Semiconductor 2w10g 1.0000
RFQ
 ECAD 1856年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4 円形、 wob 標準 ぐらつき ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 a 5 µA @ 1 V 2 a 単相 1 kV
BZX55C7V5 Fairchild Semiconductor BZX55C7V5 0.0200
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 4,335 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 5 V 7.5 v 7オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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