画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N748ATR | - | ![]() | 2616 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 7,503 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | FLZ15VB | 0.0200 | ![]() | 113 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 11 v | 14.3 v | 13.3オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N6013B | 2.0000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 95オーム | ||||||||||||||
![]() | MMBD1504 | 0.0900 | ![]() | 37 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 200 v | 200mA | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 180 v | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | flz15va | 0.0200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 11 v | 13.8 v | 13.3オーム | ||||||||||||||
![]() | FLZ39VB | 0.0200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 30 V | 36.3 v | 72オーム | ||||||||||||||
![]() | flz9v1c | 1.0000 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 27,500 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 9.1 v | 6.6オーム | ||||||||||||||
![]() | flz10vc | 1.0000 | ![]() | 2225 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 110 na @ 7 v | 10.1 v | 6.6オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N965B | - | ![]() | 5550 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 16オーム | ||||||||||||||
![]() | FFPF06U20DPTU | 0.2000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 6a | 1.2 V @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 1N5231B_NL | 0.0200 | ![]() | 135 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | 1N914_NL | 0.0200 | ![]() | 5289 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,835 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜175°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N756A_NL | - | ![]() | 5328 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 16,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||||
![]() | 1n970bnl | 0.0600 | ![]() | 4802 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,830 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | 1N6024B | - | ![]() | 5035 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 76 v | 100 V | 500オーム | ||||||||||||
![]() | 1N754A_NL | 0.0200 | ![]() | 7505 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | rurd660s | 1.0000 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 雪崩 | TO-252 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 6 a | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | ISL9R860S3ST_NL | 0.7000 | ![]() | 583 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.4 V @ 8 a | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | 1N457A_NL | - | ![]() | 6215 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 10 mA | 25 na @ 60 v | 175°C (最大) | 200mA | 6PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4750A_NL | 0.0500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 6,662 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5235BTA | 0.0600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 4.8 v | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4747A_NL | 0.0400 | ![]() | 5486 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,940 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 22オーム | |||||||||||||
![]() | Rurp1520 | - | ![]() | 7164 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 雪崩 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | NTSV20120CTG | 0.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-NTSV20120CTG-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NSR15405NXT5G | 0.1200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 2-xdfn | ショットキー | 2-DSN (1.4x0.6 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-NSR15405NXT5G-600039 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 590 mV @ 1.5 a | 33 ns | 75 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 1.5a | 85pf @ 2V、1MHz | ||||||||||
![]() | bav21-t50r | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-BAV21-T50R-600039 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | 175°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | UF4001 | 0.0800 | ![]() | 47 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-UF4001-600039 | 3,899 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MM5Z16V | 0.0900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | 200 MW | SOD-523F | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MM5Z16V-600039 | 1 | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | MM5Z4V7 | 0.0300 | ![]() | 3685 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | 500 MW | SOD-523F | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MM5Z4V7-600039 | 1 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | rurd420S9a | 0.4600 | ![]() | 61 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-RURD420S9A-600039 | 1 |
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