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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
SB2003M-TL-E Fairchild Semiconductor SB2003M-TL-E 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 6-SMD 、フラットリード ショットキー 6 MCPH ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-SB2003M-TL-E-600039 1 高速回復= <500ns 30 V 500 mV @ 2 a 20 ns 30 µA @ 15 V -55°C〜125°C 2a 75pf @ 10V、1MHz
S3M-F065 Fairchild Semiconductor S3M-F065 1.0000
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-S3M-F065-600039 1
BAS21HT1G Fairchild Semiconductor BAS21HT1G -
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ BAS21 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BAS21HT1G-600039 ear99 8541.10.0070 1
MBR2045CT Fairchild Semiconductor MBR2045CT 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MBR2045CT-600039 ear99 0000.00.0000 1
BZX85C4V3 Fairchild Semiconductor BZX85C4V3 0.0300
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して 1 W ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BZX85C4V3-600039 1 3 µA @ 1 V 4.3 v 13オーム
RURD620CCS9A-SB82215 Fairchild Semiconductor RURD620CCS9A-SB82215 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-RURD620CCS9A-SB82215-600039 1
EGP20F Fairchild Semiconductor EGP20F 0.2200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-EGP20F-600039 1,348 高速回復= <500ns 300 V 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µA @ 300 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V、1MHz
MM5Z51V Fairchild Semiconductor MM5Z51V -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 200 MW ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MM5Z51V-600039 1 50 Na @ 35.7 v 51 v 180オーム
BAS16-D87Z Fairchild Semiconductor BAS16-D87Z 0.0600
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ BAS16 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BAS16-D87Z-600039 1
BZX79C30-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C30-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX79C30-T50A ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
FDH333 Fairchild Semiconductor FDH333 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDH333 ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 125 v 1.05 V @ 200 mA 3 Na @ 125 v 175°C 200mA 6PF @ 0V、1MHz
1N4737A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4737A-T50A 0.0500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - 2156-1N4737A-T50A 6,231 10 µA @ 5 V 7.5 v 4オーム
SS26 Fairchild Semiconductor SS26 -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB SS26 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 700 mV @ 2 a 400 µA @ 60 V -65°C〜125°C 2a -
BZX79C3V0 Fairchild Semiconductor BZX79C3V0 0.0200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C3 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 3 v 95オーム
BAT54A Fairchild Semiconductor bat54a -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT54 ショットキー SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 30 V 200mA 1 V @ 100 MA 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C
MMBZ5229B Fairchild Semiconductor MMBZ5229B -
RFQ
 ECAD 7436 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22オーム
MMBZ5241B Fairchild Semiconductor MMBZ5241B 0.0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 961 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 8.4 v 11 v 22オーム
1N5820 Fairchild Semiconductor 1N5820 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA 1N58 ショットキー DO-2011 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 5 高速回復= <500ns 20 v 850 mV @ 9.4 a 2ma @ 20 v -50°C〜150°C 3a -
MMSD485B Fairchild Semiconductor MMSD485B 0.0600
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 MMSD48 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 150°C （最大） - -
MMSZ36VCF-FS Fairchild Semiconductor MMSZ36VCF-FS -
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123F 1 W SOD-123F ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0050 2,535 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 27 V 36 v 40オーム
BZX85C18-T50A-FS Fairchild Semiconductor BZX85C18-T50A-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.39％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 500 na @ 12.5 v 18 v 20オーム
MM5Z18V-FS Fairchild Semiconductor MM5Z18V-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.39％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 12.6 v 18 v 45オーム
BAS70SL-FS Fairchild Semiconductor BAS70SL-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-923 ショットキー SOD-923F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1 V @ 15 mA 8 ns 200 Na @ 50 V -55°C〜150°C 70ma 3PF @ 0V、1MHz
BZX85C15TR5K-FS Fairchild Semiconductor BZX85C15TR5K-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 1
BZX85C33-FS Fairchild Semiconductor BZX85C33-FS -
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX85C33-FS ear99 8541.10.0050 1
MMBZ5231B Fairchild Semiconductor MMBZ5231B -
RFQ
 ECAD 1027 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17オーム
BZX85C9V1 Fairchild Semiconductor BZX85C9V1 0.0300
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C9 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 6.8 v 9.1 v 5オーム
MMBZ5239B Fairchild Semiconductor MMBZ5239B 0.0200
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10オーム
MMBZ5255B Fairchild Semiconductor MMBZ5255B 0.0200
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 21 V 28 v 44オーム
BAS16 Fairchild Semiconductor BAS16 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS16 標準 SC-59-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 75 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 100 Na @ 80 V 150°C （最大） 215ma 1.2pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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