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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84C16 Fairchild Semiconductor BZX84C16 -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 11.2 v 16 v 40オーム
BZX84C4V3 Fairchild Semiconductor BZX84C4V3 0.0200
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C4 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
1N4731A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4731A-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4731 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 1 V 4.3 v 9オーム
BAW76 Fairchild Semiconductor BAW76 1.0000
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BAW76 標準 DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 75 v 1 V @ 100 MA 4 ns 100 Na @ 50 V 175°C （最大） 300mA 2PF @ 0V、1MHz
1N4744A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50R 0.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4744 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 11.4 v 15 V 14オーム
MBR2535CT Fairchild Semiconductor MBR2535CT 1.0000
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 MBR2535 ショットキー TO-220-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 25a 820 mv @ 25 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
MMBZ5235B Fairchild Semiconductor MMBZ5235B 0.0200
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
MMSZ4697 Fairchild Semiconductor MMSZ4697 0.0200
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 1 µA @ 7.6 v 10 v
1N5254B Fairchild Semiconductor 1N5254B 3.7600
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0050 80 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 21 V 27 v 41オーム
1N5253BTR Fairchild Semiconductor 1N5253BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 100 na @ 19 v 25 v 35オーム
1N5257B-FS Fairchild Semiconductor 1N5257B-FS 2.0200
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 58オーム
MMBZ5226B Fairchild Semiconductor MMBZ5226B 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
BZX85C11TR5K Fairchild Semiconductor BZX85C11TR5K 0.0200
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 5,000
MBR1545CT Fairchild Semiconductor MBR1545CT 1.0000
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 ショットキー TO-220-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 15a 840 mV @ 15 a 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
1N5261B Fairchild Semiconductor 1N5261B 1.8600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 36 V 47 v 105オーム
MM5Z8V2 Fairchild Semiconductor MM5Z8v2 0.0200
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 MM5Z8 200 MW SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15オーム
1N4730A Fairchild Semiconductor 1N4730A 0.0300
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して 軸 1N4730 1 W do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
MM5Z6V8 Fairchild Semiconductor MM5Z6V8 1.0000
RFQ
 ECAD 6251 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 MM5Z6 200 MW SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 2 µA @ 4 V 6.8 v 15オーム
MBRS130L Fairchild Semiconductor MBRS130L -
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB MBRS130 ショットキー SMB （DO-214AA） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 445 mV @ 2 a 1 mA @ 30 v -65°C〜125°C 2a -
1MD2 Fairchild Semiconductor 1MD2 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 0000.00.0000 10,000
MMSZ5245 Fairchild Semiconductor MMSZ5245 0.0400
RFQ
 ECAD 7893 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 11 v 15 V 16オーム
1MD2_FDH3369C Fairchild Semiconductor 1MD2_FDH3369C 0.0200
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 0000.00.0000 9,992
MM5Z22V Fairchild Semiconductor MM5Z22V -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F MM5Z2 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 15.4 v 22 v 55オーム
MM5Z33V Fairchild Semiconductor MM5Z33V -
RFQ
 ECAD 6709 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.06％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 23.2 v 33 v 80オーム
SS16 Fairchild Semiconductor SS16 -
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA SS16 ショットキー sma（do-214ac） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 3,316 高速回復= <500ns 60 V 700 mV @ 1 a 200 µA @ 60 V -65°C〜125°C 1a -
SS22 Fairchild Semiconductor SS22 -
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 20 v 500 mV @ 2 a 400 µA @ 20 V -65°C〜125°C 2a -
MBR2050CT Fairchild Semiconductor MBR2050CT 0.5900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 MBR2050 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v - 800 mV @ 10 a 1 MA @ 50 V -65°C〜150°C
MMSZ5254B-FS Fairchild Semiconductor MMSZ5254B-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX85C4V3-FS Fairchild Semiconductor BZX85C4V3-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 1 V 4.3 v 13オーム
1N4730A-T50A-FS Fairchild Semiconductor 1N4730A-T50A-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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