画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4738A-T50R | 0.0500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||||||
![]() | RB521S30T5G | - | ![]() | 3609 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | ショットキー | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 500 mV @ 200 mA | 30 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 200mA | - | ||||||||||||
![]() | DF02S | 1.0000 | ![]() | 7019 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | DF-S | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1.5 a | 10 µA @ 200 v | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | US2FA | - | ![]() | 9112 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,977 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1 V @ 1.5 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | FFH50US60S | 1.0000 | ![]() | 8423 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.54 V @ 50 a | 124 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 50a | - | |||||||||||
![]() | GBPC1504 | 2.5800 | ![]() | 150 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 150 | 1.1 V @ 7.5 a | 10 µA @ 400 V | 15 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | gbu6g | 0.7000 | ![]() | 532 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 4.2 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | DF06S | - | ![]() | 5151 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | DF-S | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 1 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | GBPC3501W | 1.0000 | ![]() | 8739 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 100 V | 35 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | MB2S | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | MB2 | 標準 | MD-S | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.05 V @ 400 MA | 5 µA @ 200 V | 500 Ma | 単相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | 1N5282TR | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 80 v | 900 mV @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 55 V | 175°C (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | GBPC15005W | 2.6200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC15005 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 125 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 50 V | 15 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||
![]() | MM3Z75VC | 0.0400 | ![]() | 172 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 7,340 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 52.5 v | 75 v | 240オーム | |||||||||||||
![]() | FES10G | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 標準 | TO-277-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 10 a | 30 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 10a | 140pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | GBPC1204W | 2.4800 | ![]() | 626 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 122 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 12 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | GBPC25005 | 1.0000 | ![]() | 3803 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 50 V | 25 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | FFSH15120ADN-F155 | 7.3100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 42 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 8a(dc) | 1.75 V @ 8 a | 200 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | EGP30K | 0.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 3a | 75pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | DFB2520 | 1.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 190 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 200 v | 25 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | 1N4746ATR | - | ![]() | 7736 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5228btr | 0.0200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5228 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5236B | 0.0300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 500 MW | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4749ATR | 0.0300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,053 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | SS35 | 1.0000 | ![]() | 7093 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | SB550 | - | ![]() | 9934 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 670 mV @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | DFB2010 | 1.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 50 V | 20 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | MMSD3070 | 1.0000 | ![]() | 6659 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 200 v | 1 V @ 100 MA | 50 ns | 100 Na @ 175 v | 150°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | FYP2006DNTU | 0.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | FYP2006 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 412 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 1 MA @ 60 v | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MMBD1401A | 0.0300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 175 v | 1 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 175 v | 150°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | US1AFA | 1.0000 | ![]() | 4051 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | 標準 | SOD-123FA | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz |
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