画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGP10B | 0.0700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 4,991 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | S310 | 0.3400 | ![]() | 378 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 948 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | SB5100 | 0.5600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 790 mV @ 5 a | 500 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||
![]() | UF4007 | 1.0000 | ![]() | 6139 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | US2DA | 0.1100 | ![]() | 9688 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,984 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1.5 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | UF4005 | 0.0900 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,386 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | BZX84C6V2 | - | ![]() | 1299 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-BZX84C6V2-600039 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 6オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5257B | - | ![]() | 7381 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N5257B-600039 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSD4148-D87Z | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | SOD-123 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MMSD4148-D87Z-600039 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX84C12 | - | ![]() | 6397 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5.42% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-BZX84C12-600039 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5246et1g | - | ![]() | 3310 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MMSZ5246ET1G-600039 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4744A-T50A | - | ![]() | 6004 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N4744A-T50A-600039 | 1 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5259B | - | ![]() | 5042 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N5259B-600039 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | ISL9R1560G2-F085 | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | 自動車、AEC-Q101、ステルス™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 116 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.2 V @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||
![]() | fypf1010dntu | 0.6300 | ![]() | 383 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | ショットキー | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 477 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5228B | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 24オーム | |||||||||||
MMSZ5244B | - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 622 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 10 V | 14 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | MBRS340 | - | ![]() | 5928 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 525 mV @ 3 a | 2 MA @ 40 V | -65°C〜125°C | 4a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N5242BTR | 0.0200 | ![]() | 103 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4448 | 0.0300 | ![]() | 115 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4446 | 0.0600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 179 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | fep16cta | 0.6100 | ![]() | 130 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 150 v | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MBR2060CT | - | ![]() | 9805 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SwitchMode™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR2060 | ショットキー | TO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | - | 850 mv @ 10 a | 1 MA @ 60 v | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | 1N756A | 1.9200 | ![]() | 141 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX85C6V2-T50A | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6.45% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | - | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | EGP20J | 0.2200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,385 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜150°C | 2a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | FFP06U20DNTU | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 1.2 V @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | RHRD460S9A | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 雪崩 | TO-252-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 4 a | 35 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 4a | - | ||||||||||
![]() | 1N754A | 1.9300 | ![]() | 129 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||
![]() | bax16tr | - | ![]() | 3191 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | Bax16 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 650 mV @ 1 Ma | 120 ns | 100 Na @ 150 V | 175°C (最大) | 200mA | - |
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