画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDLL3595 | - | ![]() | 1666 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | 1 Na @ 125 v | -65°C〜200°C | 200mA | 8pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N914BTR | 0.0300 | ![]() | 186 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1 | - | ![]() | 5914 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C5 | 300 MW | SOT23-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||||
![]() | MM3Z24VC | 0.0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 16.8 v | 24 v | 65オーム | ||||||||||||||||
![]() | gbu8a | 0.8200 | ![]() | 890 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 367 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 5.6 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V3B | 1.0000 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | MM3Z3V3 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 4.5 µA @ 1 V | 3.3 v | 89オーム | |||||||||||||||
![]() | rurg3060cc-f085 | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | TO-247 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 30a | 1.5 V @ 30 a | 80 ns | 250 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | 1N5232B | 0.0300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 500 MW | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | 1.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 279 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01S1 | 0.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||||
![]() | MBRP1545NTU | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 570 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 800 mV @ 15 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | MM5Z30V | 1.0000 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX85C11 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,095 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 7.7 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | MM3Z6V2B | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 4 V | 6.2 v | 9オーム | ||||||||||||||||
![]() | S1KFP | 0.0700 | ![]() | 7976 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | S1K | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 1.2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.2a | 18pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5249btr | 0.0200 | ![]() | 138 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||||||
![]() | DF08M | - | ![]() | 3254 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | 標準 | DFM | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,202 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 800 V | 1 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | ES1J | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | GBPC2506W | - | ![]() | 6685 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 600 v | 25 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | DFB2020 | 1.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 200 v | 20 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | gbu6k | 0.5800 | ![]() | 1860年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 58 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 4.2 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C18-T50A | 0.0300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C3V6 | 0.0300 | ![]() | 153 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,849 | 1.5 V @ 100 MA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4734a | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4148-T50A | 0.0300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4148 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5380bg | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 170オーム | ||||||||||||||||
![]() | DFB2080 | 1.3600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 222 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 800 V | 20 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C13 | 0.0300 | ![]() | 89 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,230 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.1 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C4V7 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | GBPC3504 | 3.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 90 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 400 V | 35 a | 単相 | 400 V |
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