画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ES1H | 0.0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,209 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||
![]() | S1D | 1.0000 | ![]() | 8487 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | DO-214AC、SMA | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | S1G | 0.0500 | ![]() | 186 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | DO-214AC、SMA | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 6,217 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | 1N4148 | - | ![]() | 4088 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N414 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4752ATR | 0.0300 | ![]() | 9158 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,208 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5260B | 2.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 159 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93オーム | |||||||||||||
![]() | gbu8g | - | ![]() | 2664 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 146 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 400 V | 5.6 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | BZX85C11 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,095 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 7.7 v | 11 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | GBPC2506W | - | ![]() | 6685 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 600 v | 25 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | DFB2020 | 1.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 200 v | 20 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | gbu6k | 0.5800 | ![]() | 1860年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 58 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 4.2 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | SB380 | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,219 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 3a | 180pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MM3Z33VC | 0.0300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,663 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 23 v | 33 v | 75オーム | |||||||||||||
![]() | MM3Z2V4C | 0.0300 | ![]() | 106 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,663 | 1 V @ 10 mA | 45 µA @ 1 V | 2.4 v | 94オーム | |||||||||||||
![]() | MMBD2838 | - | ![]() | 6233 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 75 v | 200mA | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRD835LG | - | ![]() | 2545 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SwitchMode™ | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 35 v | 510 mv @ 8 a | 1.4 mA @ 35 v | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | MDB6S | - | ![]() | 3110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5245B | 0.0300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | ||||||||||||||
![]() | MMBD6050 | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1.1 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜150°C | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | GBPC1210 | 1.0000 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 1 V | 12 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | MM3Z10VC | 0.0300 | ![]() | 57 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 180 na @ 7 v | 10 v | 18オーム | |||||||||||||
![]() | SS25 | 0.1600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,876 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 50 V | -65°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | MM3Z6V2B | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 4 V | 6.2 v | 9オーム | |||||||||||||
![]() | S1KFP | 0.0700 | ![]() | 7976 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | S1K | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 1.2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.2a | 18pf @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5393 | 0.0200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | do15/do204ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.3 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 1.5a | - | |||||||||||
![]() | 1N4734a | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5249btr | 0.0200 | ![]() | 138 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | |||||||||||||
![]() | DF08M | - | ![]() | 3254 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | 標準 | DFM | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,202 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 800 V | 1 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | ES1J | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX79C18-T50A | 0.0300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム |
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