画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79C10 | 0.0300 | ![]() | 203 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||
![]() | MDB6S | - | ![]() | 3110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5245B | 0.0300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||||||||
![]() | MMBD6050 | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1.1 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜150°C | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | GBPC1210 | 1.0000 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 1 V | 12 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | FES6D | - | ![]() | 4553 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 標準 | TO-277-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.05 V @ 6 a | 25 ns | 2 µA @ 200 v | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SB380 | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,219 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 3a | 180pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | RGP10J | 0.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
MMSZ5250B | - | ![]() | 7912 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 17オーム | ||||||||||||||||
![]() | FES6G | - | ![]() | 8840 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 標準 | TO-277-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 6 a | 25 ns | 2 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | MBR4050PT | - | ![]() | 2430 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR4050 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 190 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 40a | 720 mv @ 20 a | 1 MA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | RGF1B | 0.1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,392 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | ES1G | 1.0000 | ![]() | 1761 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4748ATR | 0.0300 | ![]() | 3946 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム | |||||||||||||||||
![]() | DF10S1 | 0.3400 | ![]() | 82 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 882 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 1 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | MMBZ5221B | 0.0200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX84C20 | 0.0200 | ![]() | 5579 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT23-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5243B | 0.0300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 mV @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||||||||
![]() | DF02S1 | 0.2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,033 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 200 V | 1 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | FFPF10UA60ST | 1.0000 | ![]() | 8081 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.3 V @ 10 a | 120 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N5235B | 0.0200 | ![]() | 561 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||||
![]() | SB3100 | 0.2600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | SB31 | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 780 mV @ 3 a | 600 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | RHRG1560-F085 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.3 V @ 15 a | 55 ns | 100 µA @ 1 V | -55°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||
![]() | BZX85C12 | 0.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,230 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 8.4 v | 12 v | 9オーム | ||||||||||||||||
![]() | EGP20B | 0.2400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,348 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 2a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | NSR01F30NXT5G | 0.0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 0201 (0603 メトリック) | ショットキー | 2-DSN (0.60x0.30 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 4,157 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 500 mV @ 100 Ma | 50 µA @ 30 V | 125°C (最大) | 100mA | 7PF @ 5V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | MM3Z56VC | - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 39.2 v | 56 v | 188オーム | ||||||||||||||||
![]() | SS36 | 0.2300 | ![]() | 73 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,436 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | RS1KFA | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | rs1k | 標準 | SOD-123FA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 800 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | S2D | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 2a | - |
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