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ダイオード（166326）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4744A-TAP | 0.3600 |  | 61 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C （TJ） | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4744 | 1.3 w | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||
| 1N4747A-TAP | 0.3600 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C （TJ） | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4747 | 1.3 w | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 22オーム | ||||||||
| 1N4751A-TAP | 0.3600 | | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C （TJ） | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4751 | 1.3 w | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | ||||||||
| 1N4756A-TAP | 0.3600 | | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C （TJ） | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4756 | 1.3 w | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | ||||||||
| 1N4933GP-M3/73 | - | | 6047 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4933 | 標準 | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||
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| 1N4934GP-M3/73 | - | | 7956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4934 | 標準 | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 100 V | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||
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| 1N4937E-E3/53 | - | | 6373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4937 | 標準 | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||
| 1N4947GPHM3/73 | - | | 1237 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4947 | 標準 | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||
 | 1N5224B-TAP | 0.0288 | | 3012 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5224 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2.8 v | 30オーム | ||||||||
| 1N5227C-TAP | 0.0339 | | 4315 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5227 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||
| 1N5233B-TAP | 0.2300 | | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5233 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||
| 1N5236B-TAP | 0.2300 | | 33 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5236 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | ||||||||
| 1N5237C-TAP | 0.0288 | | 6964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5237 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 8オーム | ||||||||
| 1N5239C-TAP | 0.0288 | | 1683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5239 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||
| 1N5240B-TAP | 0.2300 | | 61 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5240 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||
| 1N5241B-TAP | 0.2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5241 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 8.4 v | 11 v | 22オーム | ||||||||
| 1N5241C-TAP | 0.0288 | | 5545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5241 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 8.4 v | 11 v | 22オーム | ||||||||
| 1N5242B-TAP | 0.2300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5242 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | ||||||||
 | 1N5244C-TAP | 0.0288 | | 3800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5244 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 10 V | 14 v | 15オーム | ||||||||
| 1N5248C-TAP | 0.0288 | | 5990 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5248 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | ||||||||
| 1N5250Cタップ | 0.0288 | | 1929年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5250 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||
| 1N5252B-TAP | 0.2300 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5252 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||
| 1N5253B-TAP | 0.2300 | | 4593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5253 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | ||||||||
| 1N5254C-TAP | 0.0288 | | 3899 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5254 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||
| 1N5257C-TAP | 0.0288 | | 5370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5257 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | ||||||||
| 1N5260Cタップ | 0.0288 | | 7629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5260 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93オーム | ||||||||
| 1N5261B-TAP | 0.2300 | | 5018 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ（CT） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5261 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||
| 1N5262C-TAP | 0.0288 | | 4560 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ＆ボックス（ TB） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5262 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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