画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | byg22b-e3/tr | 0.4700 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg22 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.1 V @ 2 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||
![]() | byg24d-e3/tr | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg24 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 1.5 a | 140 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | byg24j-e3/tr | 0.5300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg24 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1.5 a | 140 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||
![]() | BYM07-100-E3/98 | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | bym07 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM07-100HE3/98 | - | ![]() | 5966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | bym07 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM07-400-E3/98 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | bym07 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.35 V @ 500 MA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM07-400HE3/98 | - | ![]() | 1264 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | bym07 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.35 V @ 500 MA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym10-100he3/96 | - | ![]() | 1212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym10-100he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM10-200-E3/96 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||
![]() | bym10-400he3/96 | - | ![]() | 4463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym10-400he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM11-1000-E3/96 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym11 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | BYM11-200HE3/96 | - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym11 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym11-200he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |
![]() | BYM11-400HE3/96 | - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym11 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym11-400he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |
![]() | BYM11-50-E3/96 | 0.1190 | ![]() | 3374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym11 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym11-50he3/96 | - | ![]() | 1457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym11 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym11-50he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |
![]() | bym12-100-e3/96 | 0.4100 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym12-100he3/96 | - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym12-150he3/96 | - | ![]() | 9307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym12-50-e3/96 | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bym13-60he3/96 | - | ![]() | 8587 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | bym13 | ショットキー | gl41(do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym13-60he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 80pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | bys10-25-e3/tr | 0.4300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 25 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | |||
![]() | bys10-25he3/tr | - | ![]() | 5175 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 25 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | |||
![]() | bys10-35he3/tr | - | ![]() | 6562 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 35 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | |||
![]() | bys10-45-e3/tr | 0.4300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | |||
![]() | bys11-90he3/tr | - | ![]() | 9814 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys11 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 90 v | 750 mv @ 1 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||
![]() | EGF1C-E3/67A | 0.2805 | ![]() | 2615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214BA | EGF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | egf1che3/67a | - | ![]() | 5217 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214BA | EGF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | egf1the3/67a | - | ![]() | 2352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214BA | EGF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1300 v | 3 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1300 v | -55°C〜150°C | 1a | - | ||
![]() | EGL34B-E3/98 | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | EGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||
![]() | EGL34C-E3/98 | 0.1513 | ![]() | 7970 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | EGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 500mA | - |
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