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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N821A	-	RFQ	2638	Microsemi Corporation	-	バッグ	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N821		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V						6.2 v	10オーム
GHXS030A120S-D3	67.8600	RFQ	10	セミク	-	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GHXS030	sic （炭化シリコン）ショットキー		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	10	回復時間なし> 500ma	2独立	1200 v	30a	1.7 V @ 30 a		200 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C
GP2D006A065A	-	RFQ	9773	セミク	amp+™	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	1560-1041-5	ear99	8541.10.0080	50	回復時間なし> 500ma		650 V		1.65 V @ 6 a	0 ns	60 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	6a	316pf @ 1V、1MHz
GP2D006A065C	-	RFQ	2603	セミク	amp+™	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	to-252-3		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-252-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	1560-1042-5	ear99	8541.10.0080	75	回復時間なし> 500ma		650 V		1.65 V @ 6 a	0 ns	60 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	6a	316pf @ 1V、1MHz
GP2D010A120B	-	RFQ	1417	セミク	amp+™	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-247-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	1560-1044-5	ear99	8541.10.0080	30	回復時間なし> 500ma		1200 v		1.8 V @ 10 a	0 ns	20 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	10a	635pf @ 1V、1MHz
GP2D010A170B	-	RFQ	7483	セミク	amp+™	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-247-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	1560-1046-5	ear99	8541.10.0080	30	回復時間なし> 500ma		1700 v		1.75 V @ 10 a	0 ns	20 µA @ 1700 v	-55°C〜175°C	10a	812pf @ 1V、1MHz
1SMB5950B-13	0.4600	RFQ	2	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB5950		3 W	SMB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0050	3,000					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 83.6 v						110 v	300オーム
plz13b-g3/h	0.3100	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	plz13		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					800 mV @ 10 Ma		200 Na @ 10 V						13 v	14オーム
SE10DJ-M3/i	0.8900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	SE10	標準		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 10 a	3 µs	15 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	67pf @ 4V、1MHz
V40M150CHM3/4W	-	RFQ	1820	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	V40M150	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	V40M150CHM3/4WGI	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	20a	1.43 V @ 20 a		250 µA @ 150 V	-40°C〜175°C
V60M120C-M3/4W	2.2700	RFQ	4994	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	V60M120	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	V60M120C-M3/4WGI	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	30a	970 mV @ 30 a		500 µA @ 120 V	-40°C〜175°C
VT60M120CHM3/4W	-	RFQ	2278	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	VT60M120	ショットキー		TO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VT60M120CHM3/4WGI	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	30a	970 mV @ 30 a		500 µA @ 120 V	-40°C〜175°C
ISL9R1560G2-F085	1.9452	RFQ	5305	onsemi	自動車、AEC-Q101、ステルス™	チューブ	前回購入します			穴を通して	TO-247-2	ISL9R1560	標準		TO-247-2	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	450	高速回復= <500ns		600 V		2.2 V @ 15 a	40 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	15a	-
DF005S1	0.6500	RFQ	1	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF005	標準		4-sdip	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					1.1 V @ 1 a		3 µA @ 50 V		1 a		単相	50 v
DF08S1	0.6500	RFQ	9711	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF08	標準		4-sdip	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					1.1 V @ 1 a		3 µA @ 800 V		1 a		単相	800 V
SBR12U45LH1-13R	1.4800	RFQ	3	ダイオードが組み込まれています	SBR®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi™5sp	SBR12	スーパーバリア		PowerDi5sp™	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		45 v		500 mV @ 12 a		300 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	12a	-
GBPC2506-BP	2.7300	RFQ	2	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC2506	標準		GBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400					1.1 V @ 12.5 a		5 µA @ 600 v		25 a		単相	600 V
GBPC2510-BP	2.7300	RFQ	390	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC2510	標準		GBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400					1.1 V @ 12.5 a		5 µA @ 1000 v		25 a		単相	1 kV
STTH15AC06FP	1.3800	RFQ	2	stmicroelectronics	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	STTH15	標準		TO-220FPAC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.9 V @ 15 a	55 ns	2 µA @ 600 V	175°C （最大）	15a	-
GSXF030A120S1-D3	-	RFQ	8298	セミク	-	チューブ	廃止			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GSXF030	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	GSXF030A120S1D3	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	2独立	1200 v	30a	2.35 V @ 30 a	85 ns	25 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C
C3D02065E-TR	0.6954	RFQ	2879	wolfspeed	Z-REC®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	C3D02065	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-252-2	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		650 V		1.8 V @ 2 a		50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	8a	120pf @ 0V、1MHz
C3D03065E-TR	1.0499	RFQ	8811	wolfspeed	Z-REC®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	C3D03065	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-252-2	ダウンロード	ROHS準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		650 V		1.8 V @ 3 a		50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	11a	155pf @ 0V、1MHz
C3D04060E-TR	1.3226	RFQ	3166	wolfspeed	Z-REC®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	C3D04060	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-252-2	ダウンロード	ROHS準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		600 V		1.8 V @ 4 a		50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	13.5a	251pf @ 0V、1MHz
MDB10SV	-	RFQ	8224	onsemi	MLVC	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	MDB10	標準		4-microdip/smd	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000					1.015 V @ 1.2 a		10 µA @ 1000 v		1.2 a		単相	1 kV
VS-10CTQ150SPBF	-	RFQ	5893	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	10CTQ150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-10CTQ150SPBFGI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	5a	1.1 V @ 10 a		50 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
VS-30CTH02SPBF	-	RFQ	2852	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	30cth02	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-30CTH02SPBFGI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	15a	1.05 V @ 15 a	26 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
VS-40CTQ150SPBF	-	RFQ	8727	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	40CTQ150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-40CTQ150SPBFGI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	20a	1.16 V @ 40 a		50 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
VS-MBRB1045PBF	-	RFQ	9438	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-MBRB1045PBFGI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	600pf @ 5V、1MHz
s1jhe3_a/h	0.4200	RFQ	150	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1J	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
SE20AFJHM3/6A	0.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	se20	標準		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	2a	12pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²