画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FES16athe3/45 | - | ![]() | 6744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | FES16 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
FES16CT-E3/45 | 0.6780 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FES16 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
FES16FTHE3/45 | - | ![]() | 4886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | FES16 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
FES16HT-E3/45 | 1.5900 | ![]() | 975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FES16 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.5 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
FES16HTHE3/45 | - | ![]() | 1897 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | FES16 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.5 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
FES16JTHE3/45 | - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | FES16 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
fes8athe3/45 | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | FES8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||
FES8DT-E3/45 | 1.1200 | ![]() | 949 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FES8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||
FES8DTHE3/45 | - | ![]() | 4578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | FES8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||
FES8FTHE3/45 | - | ![]() | 7987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | FES8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||
![]() | FESB16CT-E3/45 | 0.9182 | ![]() | 4540 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 16a | 175pf @ 4V、1MHz | ||||
![]() | FESB16GT-E3/45 | 0.9504 | ![]() | 8838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 16a | 175pf @ 4V、1MHz | ||||
![]() | fesb8cthe3_a/p | 0.8085 | ![]() | 7828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | fesb8dthe3_a/p | 0.8085 | ![]() | 5137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | FESB8GT-E3/45 | 0.6409 | ![]() | 3396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | fesb8jthe3_a/p | 0.8910 | ![]() | 7267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | FESF16AT-E3/45 | 1.1055 | ![]() | 7597 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF16 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||
![]() | FESF16BT-E3/45 | 1.1055 | ![]() | 9766 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF16 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||
![]() | FESF16DT-E3/45 | 2.1000 | ![]() | 5724 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF16 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||
![]() | FESF16GT-E3/45 | 1.1055 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF16 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||
![]() | FESF16HT-E3/45 | 1.1220 | ![]() | 4343 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF16 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.5 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||
![]() | fesf16hthe3_a/p | 1.1055 | ![]() | 8667 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF16 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.5 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||
![]() | FESF8BT-E3/45 | 0.6320 | ![]() | 6959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | fesf8cthe3_a/p | 0.9405 | ![]() | 7799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | fesf8jthe3_a/p | 0.9405 | ![]() | 3545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||
G2SBA20-E3/45 | - | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | G2SBA20 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 単相 | 200 v | |||||||
G2SBA60-E3/45 | - | ![]() | 5880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | G2SBA60 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||
![]() | G3SBA20-E3/45 | 0.7722 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | G3SBA20 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 200 V | 2.3 a | 単相 | 200 v | ||||||
![]() | G3SBA60-E3/45 | 1.5700 | ![]() | 5127 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | G3SBA60 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 600 v | 2.3 a | 単相 | 600 V | ||||||
![]() | G5SBA20L-E3/45 | - | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | G5SBA20 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 3 a | 5 µA @ 200 V | 2.8 a | 単相 | 200 v |
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