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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
PQMD2147 NXP Semiconductors PQMD2147 0.0300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PQMD2 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PQMD2147-954 1
BCW72,235 NXP Semiconductors BCW72,235 0.0300
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCW72,235-954 1 45 v 100 Ma 100na（icbo） npn 210MV @ 2.5MA 、50MA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
PSMN8R7-80PS,127 NXP Semiconductors PSMN8R7-80PS、127 0.7500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN8R7-80PS、127-954 ear99 0000.00.0000 398 nチャネル 80 v 90a 10V 8.7mohm @ 10a 、10v 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3346 PF @ 40 V - 170W
PSMN9R5-100PS,127 NXP Semiconductors PSMN9R5-100PS、127 1.0700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN9R5-100PS、127-954 ear99 8541.29.0075 280
PMZB1200UPEYL NXP Semiconductors PMZB1200UPEYL 0.0400
RFQ
 ECAD 604 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-xfdfn モスフェット（金属酸化物） DFN1006B-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMZB1200UPEYL-954 ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 30 V 410ma（ta） 1.5V 、4.5V 1.4OHM @ 410MA 、4.5V 950MV @ 250µA 1.2 NC @ 4.5 v ±8V 43.2 PF @ 15 V - 310MW
BUK7107-55AIE,118 NXP Semiconductors buk7107-55aie 、118 1.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-5 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7107-55AIE 、118-954 1 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 7mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V 現在のセンシング 272W
NX7002AK2,215 NXP Semiconductors NX7002AK2,215 -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-NX7002AK2,215-954 1
MMBT3906,215 NXP Semiconductors MMBT3906,215 0.0200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-MMBT3906,215-954 1 40 v 200 ma 50na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
2PD601BRL,215 NXP Semiconductors 2PD601BRL 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-2PD601BRL 、215-954 1 50 v 200 ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 210 @ 2MA 、10V 250MHz
PSMN9R5-30YLC,115 NXP Semiconductors psmn9r5-30ylc 、115 -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PSMN9R5-30YLC 、115-954 ear99 8541.29.0075 1
BC807-25,215 NXP Semiconductors BC807-25,215 0.0200
RFQ
 ECAD 774 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC807-25,215-954 1 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 80MHz
PMZ950UPEYL NXP Semiconductors PMZ950UPEYL 0.0400
RFQ
 ECAD 356 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 モスフェット（金属酸化物） SOT-883 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMZ950UPEYL-954 ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 20 v 500ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.4OHM @ 500MA 、4.5V 950MV @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ±8V 43 PF @ 10 V - 360MW
BF570,215 NXP Semiconductors BF570,215 0.0500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BF570,215-954 1 15 V 100 Ma 400na（icbo） npn - 40 @ 10ma、1V 490MHz
PBSS4230QAZ NXP Semiconductors PBSS4230QAZ 0.0700
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-XDFN露出パッド 325 MW DFN1010D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4230QAZ-954 ear99 8541.29.0075 4,480 30 V 2 a 100na（icbo） npn 190mv @ 50ma、1a 100 @ 2a 、2V 190MHz
PBSS4220V,115 NXP Semiconductors PBSS4220V、115 0.0500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 900 MW SOT-666 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4220V、115-954 ear99 8541.21.0075 1 20 v 2 a 100NA npn 350MV @ 200MA 、2a 200 @ 1a 、2V 210MHz
PBSS5230PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5230PAP 、115 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS5230PAP 、115-954 1
PMSS3906,115 NXP Semiconductors PMSS3906,115 0.0200
RFQ
 ECAD 387 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMSS3906,115-954 1 40 v 100 Ma 50na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 150MHz
BC869,115 NXP Semiconductors BC869,115 0.1000
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1.2 w SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC869,115-954 1 20 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 100MA、1a 85 @ 500MA、1V 140MHz
BC54-16PA,115 NXP Semiconductors BC54-16PA 、115 0.0600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 420 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC54-16PA 、115-954 ear99 8541.21.0075 1 45 v 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 180MHz
PH2525L,115 NXP Semiconductors PH2525L 、115 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PH2525L 、115-954 1,268 nチャネル 25 v 100a（tc） 4.5V 、10V 2.5mohm @ 25a 、10V 2.15V @ 1MA 34.7 NC @ 4.5 v ±20V 4470 PF @ 12 v - 62.5W
PDTC123TU115 NXP Semiconductors PDTC123TU115 0.0200
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTC123 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1
BUK9614-60E,118 NXP Semiconductors buk9614-60e 、118 -
RFQ
 ECAD 1845年 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK9614-60E 、118-954 1 nチャネル 60 V 56a（tc） 5V 12.8mohm @ 15a 、10V 2.1V @ 1MA 20.5 NC @ 5 V ±10V 2651 PF @ 25 V - 96W
BUK9275-100A,118 NXP Semiconductors BUK9275-100A 、118 1.0000
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK9275-100A 、118-954 1 nチャネル 100 V 21.7a 4.5V 、10V 72mohm @ 10a 、10V 2V @ 1MA ±10V 1690 PF @ 25 V - 88W
PMSTA05,115 NXP Semiconductors PMSTA05,115 0.0200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMSTA05,115-954 1 60 V 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 50 @ 100MA、1V 100MHz
PDTA144VU,115 NXP Semiconductors PDTA144VU 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA144VU 、115-954 1
PMV30XPEA215 NXP Semiconductors PMV30XPEA215 -
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMV30XPEA215-954 1
BC847CW,115 NXP Semiconductors BC847CW 、115 -
RFQ
 ECAD 5099 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC847CW、115-954 1 45 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
PHPT610035PKX NXP Semiconductors PHPT610035PKX -
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PHPT610035 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT610035PKX-954 ear99 8541.29.0075 1
BSV52,215 NXP Semiconductors BSV52,215 0.0500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BSV52,215-954 1 12 v 100 Ma 400na（icbo） npn 400mv @ 5ma 、50ma 40 @ 10ma、1V 500MHz
PMCM4401VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM4401VNE/S500Z -
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMCM4401VNE/S500Z-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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