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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
PBHV9115TLH215 NXP Semiconductors PBHV9115TLH215 0.0900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PBHV9115TLH215-954 1
PMBT2907A,215 NXP Semiconductors PMBT2907A 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 PMBT2907 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMBT2907A 、215-954 1 60 V 600 Ma 10na （icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
PHP29N08T,127 NXP Semiconductors php29n08t 、127 0.5400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PHP29N08T、 127-954 600 nチャネル 75 v 27a（tc） 11V 50mohm @ 14a 、11v 5V @ 2MA 19 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 88W
PSMN7R0-100PS,127 NXP Semiconductors PSMN7R0-100PS、127 -
RFQ
 ECAD 9099 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN7R0-100PS、127-954 1 nチャネル 100 V 100a（tc） 10V 12mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 125 NC @ 10 V ±20V 6686 PF @ 50 V - 269W
BLM7G1822S-20PBY NXP Semiconductors BLM7G1822S-20PBY 22.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BLM7G1822S-20PBY-954 14
PDTA114TMB,315 NXP Semiconductors PDTA114TMB 、315 0.0300
RFQ
 ECAD 668 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA114TMB、315-954 1
BUK7660-100A,118 NXP Semiconductors Buk7660-100a 、118 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7660-100A 、118-954 1 nチャネル 100 V 26a（tc） 10V 60mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA ±20V 1377 PF @ 25 V - 106W
BC68PASX NXP Semiconductors BC68PASX 0.0700
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC68PASX-954 ear99 8541.21.0075 1 20 v 2 a 100na（icbo） npn 600mv @ 200ma 、2a 85 @ 500MA、1V 170MHz
PBSS4240XF NXP Semiconductors PBSS4240xf -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4240XF-954 ear99 8541.21.0095 1 40 v 2 a 100na（icbo） npn 140mv @ 50ma 、500ma 300 @ 500MA 、5V 150MHz
BC68-25PASX NXP Semiconductors BC68-25PASX 0.0700
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC68-25PASX-954 ear99 8541.21.0075 1 20 v 2 a 100na（icbo） npn 600mv @ 200ma 、2a 85 @ 500MA、1V 170MHz
BUK9Y11-80EX NXP Semiconductors buk9y11-80ex -
RFQ
 ECAD 8848 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK9Y11-80EX-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 80 v 84a（tc） 5V 10mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 44.2 NC @ 5 V ±10V 6506 PF @ 25 V - 194W （TC）
PBSS5630PA,115 NXP Semiconductors PBSS5630PA 、115 0.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 2.1 w 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS5630PA 、115-954 1 30 V 6 a 100NA PNP 350MV @ 300MA 、6a 190 @ 2a 、2V 80MHz
PBSS4230T,215 NXP Semiconductors PBSS4230T 、215 1.0000
RFQ
 ECAD 9776 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 480 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4230T、215-954 ear99 8541.21.0075 1 30 V 2 a 100na（icbo） npn 320MV @ 200MA 、2a 300 @ 1a 、2V 230MHz
PSMN012-80BS,118 NXP Semiconductors PSMN012-80BS 、118 -
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PSMN012-80BS 、118-954 1 nチャネル 80 v 74a（tc） 10V 11mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 43 NC @ 10 V ±20V 2782 PF @ 12 v - 148W
2PD2150,115 NXP Semiconductors 2PD2150,115 0.0800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2 W SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-2PD2150,115-954 ear99 8541.29.0075 1 20 v 3 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA 、2a 180 @ 100MA 、2V 220MHz
PDTA143ZT,215 NXP Semiconductors PDTA143ZT 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA143ZT 、215-954 1
PBLS4002Y,115 NXP Semiconductors PBLS4002Y 、115 0.0700
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PBLS4002 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBLS4002Y、115-954 4,873
PMBTA14,215 NXP Semiconductors PMBTA14,215 0.0400
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMBTA14,215-954 7,378 30 V 500 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
PMCM6501VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VNE/S500Z 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMCM6501VNE/S500Z-954 1
PEMB16,115 NXP Semiconductors pemb16,115 0.0400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PEMB16,115-954 1
PMZB950UPEL315 NXP Semiconductors PMZB950UPEL315 0.0500
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PMZB950UPEL315-954 1
PHPT610035NKX NXP Semiconductors PHPT610035NKX 1.0000
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PHPT610035 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT610035NKX-954 ear99 8541.29.0075 1
PMDPB95XNE2X NXP Semiconductors pmdpb95xne2x 0.0900
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PMDPB95 - ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMDPB95XNE2X-954 1 -
BUK6215-75C,118 NXP Semiconductors buk6215-75c、118 0.2700
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6215-75C 、118-954 ear99 8541.29.0095 720 nチャネル 75 v 57a（ta） 15mohm @ 15a 、10V 2.8V @ 1MA 61.8 NC @ 10 V ±16V 3900 PF @ 25 V - 128W
CLF1G0035-200P NXP Semiconductors CLF1G0035-200P -
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-CLF1G0035-200P-954 ear99 8541.29.0095 1
BC55-10PA,115 NXP Semiconductors BC55-10PA 、115 1.0000
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 650 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC55-10PA 、115-954 1 60 V 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 180MHz
PSMN4R3-80PS,127 NXP Semiconductors PSMN4R3-80PS、127 1.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN4R3-80PS、127-954 207 nチャネル 80 v 120a（tc） 10V 4.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 V ±20V 8161 PF @ 40 V - 306W
PBHV9115Z,115 NXP Semiconductors PBHV9115Z 、115 -
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBHV9115Z、115-954 200
BC857CW,115 NXP Semiconductors bc857cw、115 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC857CW、115-954 ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
BUK663R2-40C,118 NXP Semiconductors buk663r2-40c、118 0.5000
RFQ
 ECAD 724 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK663R2-40C 、118-954 1 nチャネル 40 v 100a（tc） 10V 3.2mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 125 NC @ 10 V ±16V 8020 PF @ 25 V - 204W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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