SIC
close

トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
PSMN035-150P,127 NXP Semiconductors PSMN035-150P 、127 0.7500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN035-150P、127-954 1 nチャネル 150 v 50a（tc） 10V 35mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 79 NC @ 10 V ±20V 4720 PF @ 25 V - 250W
BUK7K89-100EX NXP Semiconductors buk7k89-100ex 1.0000
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ buk7k89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK7K89-100EX-954 ear99 8541.29.0095 1
PSMN1R8-30PL,127 NXP Semiconductors PSMN1R8-30PL、127 1.0000
RFQ
 ECAD 1915年年 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 PSMN1R8 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN1R8-30PL、127-954 1 nチャネル 30 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1.8mohm @ 25a 、10V 2.15V @ 1MA 170 NC @ 10 V ±20V 10180 PF @ 12 v - 270W
PBSS5350D,115 NXP Semiconductors PBSS5350D 、115 -
RFQ
 ECAD 7066 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 750 MW 6-tsop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS5350D 、115-954 1 50 v 3 a 100na（icbo） PNP 300MV @ 200MA 、2a 100 @ 2a 、2V 100MHz
PUMD14,115 NXP Semiconductors PUMD14,115 -
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PUMD14,115-954 1
PBSS304PZ,135 NXP Semiconductors PBSS304PZ 、135 0.1900
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 2 W SOT-223 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS304PZ、135-954 ear99 8541.21.0095 1 60 V 4.5 a 100na（icbo） PNP 375MV @ 225MA 、4.5a 150 @ 2a 、2V 130MHz
PMZB370UNE,315 NXP Semiconductors PMZB370UNE 、315 0.0400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMZB370UNE、315-954 1
BSR41,115 NXP Semiconductors BSR41,115 0.1900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1.35 w SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BSR41,115-954 1 60 V 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 100MA 、5V 100MHz
PMCM4401VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM4401VNE/S500Z -
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMCM4401VNE/S500Z-954 1
PBHV9115TLH215 NXP Semiconductors PBHV9115TLH215 0.0900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PBHV9115TLH215-954 1
BUK7660-100A,118 NXP Semiconductors Buk7660-100a 、118 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7660-100A 、118-954 1 nチャネル 100 V 26a（tc） 10V 60mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA ±20V 1377 PF @ 25 V - 106W
BC68PASX NXP Semiconductors BC68PASX 0.0700
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC68PASX-954 ear99 8541.21.0075 1 20 v 2 a 100na（icbo） npn 600mv @ 200ma 、2a 85 @ 500MA、1V 170MHz
PBSS4240XF NXP Semiconductors PBSS4240xf -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4240XF-954 ear99 8541.21.0095 1 40 v 2 a 100na（icbo） npn 140mv @ 50ma 、500ma 300 @ 500MA 、5V 150MHz
BC68-25PASX NXP Semiconductors BC68-25PASX 0.0700
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC68-25PASX-954 ear99 8541.21.0075 1 20 v 2 a 100na（icbo） npn 600mv @ 200ma 、2a 85 @ 500MA、1V 170MHz
BUK9Y11-80EX NXP Semiconductors buk9y11-80ex -
RFQ
 ECAD 8848 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK9Y11-80EX-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 80 v 84a（tc） 5V 10mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 44.2 NC @ 5 V ±10V 6506 PF @ 25 V - 194W （TC）
PBSS5630PA,115 NXP Semiconductors PBSS5630PA 、115 0.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 2.1 w 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS5630PA 、115-954 1 30 V 6 a 100NA PNP 350MV @ 300MA 、6a 190 @ 2a 、2V 80MHz
PBSS4230T,215 NXP Semiconductors PBSS4230T 、215 1.0000
RFQ
 ECAD 9776 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 480 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4230T、215-954 ear99 8541.21.0075 1 30 V 2 a 100na（icbo） npn 320MV @ 200MA 、2a 300 @ 1a 、2V 230MHz
PMV30XPEA215 NXP Semiconductors PMV30XPEA215 -
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMV30XPEA215-954 1
BUK9614-60E,118 NXP Semiconductors buk9614-60e 、118 -
RFQ
 ECAD 1845年 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK9614-60E 、118-954 1 nチャネル 60 V 56a（tc） 5V 12.8mohm @ 15a 、10V 2.1V @ 1MA 20.5 NC @ 5 V ±10V 2651 PF @ 25 V - 96W
BUK9275-100A,118 NXP Semiconductors BUK9275-100A 、118 1.0000
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK9275-100A 、118-954 1 nチャネル 100 V 21.7a 4.5V 、10V 72mohm @ 10a 、10V 2V @ 1MA ±10V 1690 PF @ 25 V - 88W
PHPT610035NKX NXP Semiconductors PHPT610035NKX 1.0000
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PHPT610035 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT610035NKX-954 ear99 8541.29.0075 1
PQMD10147 NXP Semiconductors PQMD10147 0.0300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PQMD10 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PQMD10147-954 1
BCV61A,215 NXP Semiconductors BCV61A 、215 0.0800
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCV61A 、215-954 1
BCW89,215 NXP Semiconductors BCW89,215 0.0200
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BCW89 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCW89,215-954 1 60 V 100 Ma 100na（icbo） PNP 150MV @ 2.5MA 、50mA 120 @ 2MA 、5V 150MHz
BC857A,215 NXP Semiconductors BC857A 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC857 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC857A 、215-954 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 125 @ 2MA 、5V 100MHz
PDTA144VU,115 NXP Semiconductors PDTA144VU 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA144VU 、115-954 1
PSMN012-80BS,118 NXP Semiconductors PSMN012-80BS 、118 -
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PSMN012-80BS 、118-954 1 nチャネル 80 v 74a（tc） 10V 11mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 43 NC @ 10 V ±20V 2782 PF @ 12 v - 148W
2PD2150,115 NXP Semiconductors 2PD2150,115 0.0800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2 W SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-2PD2150,115-954 ear99 8541.29.0075 1 20 v 3 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA 、2a 180 @ 100MA 、2V 220MHz
PMSTA05,115 NXP Semiconductors PMSTA05,115 0.0200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMSTA05,115-954 1 60 V 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 50 @ 100MA、1V 100MHz
BC847CW,115 NXP Semiconductors BC847CW 、115 -
RFQ
 ECAD 5099 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC847CW、115-954 1 45 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます