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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PMCM6501VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VNE/S500Z 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMCM6501VNE/S500Z-954 1
PMDPB95XNE2X NXP Semiconductors pmdpb95xne2x 0.0900
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PMDPB95 - ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMDPB95XNE2X-954 1 -
BUK6215-75C,118 NXP Semiconductors buk6215-75c、118 0.2700
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6215-75C 、118-954 ear99 8541.29.0095 720 nチャネル 75 v 57a（ta） 15mohm @ 15a 、10V 2.8V @ 1MA 61.8 NC @ 10 V ±16V 3900 PF @ 25 V - 128W
MRF6VP3450HR5 NXP Semiconductors MRF6VP3450HR5 230.3700
RFQ
 ECAD 497 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 110 v シャーシマウント NI-1230 470MHz〜860MHz ldmos NI-1230 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MRF6VP3450HR5 ear99 8541.29.0075 1 デュアル、共通のソース 10µA 1.4 a 450W 22.5dB - 50 v
MRFX1K80H-230MHZ NXP Semiconductors MRFX1K80H-230MHz 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 179 v シャーシマウント SOT-979A 1.8MHz〜400MHz ldmos NI-1230-4H ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-MRFX1K80H-230MHz ear99 8541.29.0075 1 デュアル 100mA 1.5 a 1800w 25.1db - 65 v
BFU768F,115 NXP Semiconductors BFU768F 、115 0.1600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-343F 220MW 4-dfp - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BFU768F 、115 ear99 8541.21.0075 1 13.1db 2.8V 70ma npn 155 @ 10MA 、2V 110GHz 1.1DB〜1.2DB @ 5GHz〜5.9GHz
MRFE6VP8600HR5 NXP Semiconductors MRFE6VP8600HR5 311.0600
RFQ
 ECAD 640 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 130 v シャーシマウント NI-1230 470MHz〜860MHz ldmos NI-1230 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MRFE6VP8600HR5 ear99 8541.29.0075 1 デュアル、共通のソース 20µA 1.4 a 600W 19.3db - 50 v
PMPB23XNEZ NXP Semiconductors PMPB23XNEZ 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN2020MD-6 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PMPB23XNEZ ear99 8541.21.0075 3,600 nチャネル 20 v 7a（ta） 1.8V 、4.5V 22mohm @ 7a 、4.5V 900MV @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ±12V 1136 PF @ 10 V - 1.7W
PDTB114ETR NXP Semiconductors pdtb114etr 0.0300
RFQ
 ECAD 7334 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTB114 320 MW TO-236AB ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTB114ETR ear99 8541.21.0075 6,000 50 v 500 Ma 500na pnp-前バイアス 100MV @ 2.5MA 、50mA 70 @ 50MA 、5V 140 MHz 10 Kohms 10 Kohms
A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors A2T18H455W23NR6 162.2600
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント OM-1230-4L2S 1.805GHz1.88GHz ldmos OM-1230-4L2S - 2156-A2T18H455W23NR6 2 nチャネル 10µA 1.08 a 87W 14.5db @ 1.805GHz - 31.5 v
MRF6VP11KGSR5 NXP Semiconductors MRF6VP11KGSR5 271.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 110 v 表面マウント NI-1230-4S GW 1.8MHz〜150MHz ldmos （デュアル） NI-1230-4Sカモメ - 2156-MRF6VP11KGSR5 2 2 nチャネル 100µA 150 Ma 1000W 26DB @ 130MHz - 50 v
MHT1004NR3 NXP Semiconductors MHT1004NR3 124.8400
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v シャーシマウント OM-780-2 - ldmos OM-780-2 - 2156-MHT1004NR3 3 nチャネル 10µA 100 Ma 280W 15.2db - 32 v
NX3008NBKSH NXP Semiconductors NX3008NBKSH -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 モスフェット（金属酸化物） 280MW 6-tssop - 2156-NX3008NBKSH 1 2 nチャネル 30V 350ma（ta） 1.4OHM @ 350MA 、4.5V 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 標準
MRF6S20010NR1 NXP Semiconductors MRF6S20010NR1 34.2200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 68 v 表面マウント TO-270-2 1.6GHz〜2.2GHz ldmos TO-270-2 - 2156-MRF6S20010NR1 9 nチャネル 10µA 130 Ma 10W 15.5db @ 2.17GHz - 28 v
MRFX600HSR5 NXP Semiconductors MRFX600HSR5 138.9000
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 179 v 表面マウント NI-780S-4L 1.8MHz〜400MHz ldmos （デュアル） NI-780S-4L - 2156-MRFX600HSR5 2 2 nチャネル 10µA 100 Ma 600W 26.4db @ 230MHz - 65 v
NX7002AK215 NXP Semiconductors NX7002AK215 -
RFQ
 ECAD 3044 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 - 2156-NX7002AK215 1 nチャネル 60 V 190ma（ta ）、 300ma （tc） 5V、10V 4.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.43 NC @ 4.5 v ±20V 20 pf @ 10 v - 265MW
PMXB75UPE/S500Z NXP Semiconductors PMXB75UPE/S500Z -
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN1010D-3 - 2156-PMXB75UPE/S500Z 1 pチャネル 20 v 2.9a（ta） 1.2V 、4.5V 85mohm @ 2.9a 、4.5V 1V @ 250µA 12 NC @ 4.5 v ±8V 608 PF @ 10 V - 317MW
PQMH13147 NXP Semiconductors PQMH13147 -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-PQMH13147 1
A3I35D012WNR1 NXP Semiconductors A3I35D012WNR1 30.4600
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 65 v 表面マウント TO-270-17 バリアント、フラットリード 3.2GHz〜4GHz ldmos （デュアル） TO-270WB-17 - 2156-A3I35D012WNR1 10 2 nチャネル 10µA 138 Ma 1.8W 27.8db - 28 v
MMRF5014HR5 NXP Semiconductors MMRF5014HR5 523.3200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 125 v シャーシマウント NI-360H-2SB 1MHz〜2.7GHz nチャネル NI-360H-2SB - 2156-MMRF5014HR5 1 nチャネル 5MA 350 Ma 125W 18db @ 2.5GHz - 50 v
A2V09H400-04NR3 NXP Semiconductors A2V09H400-04NR3 95.5000
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 105 v 表面マウント OM-780-4L 720MHz〜960MHz ldmos （デュアル） OM-780-4L - 2156-A2V09H400-04NR3 4 2 nチャネル 10µA 688 Ma 107W 17.9db - 48 v
PDTD123ET,215 NXP Semiconductors PDTD123ET 、215 -
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 NXP半導体 PDTD123E バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTD123ET 、215-954 1 50 v 500 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 2.5MA 、50mA 40 @ 50ma 、5v 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
PDTA113ZMB,315 NXP Semiconductors PDTA113ZMB 、315 -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTA113ZMB 、315-954 1
PDTA123JQAZ NXP Semiconductors PDTA123JQAZ -
RFQ
 ECAD 6946 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTA123JQAZ-954 1
PDTC144EM,315 NXP Semiconductors PDTC144EM 、315 -
RFQ
 ECAD 1783 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 250 MW DFN1006-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTC144EM、315-954 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 230 MHz 47 Kohms 47 Kohms
MRF6VP3091NR1 NXP Semiconductors MRF6VP3091NR1 -
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 115 v 表面マウント TO-270AB 470MHz〜1.215GHz ldmos （デュアル）、共通のソース TO-270 WB-4 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MRF6VP3091NR1-954 1 2 nチャネル 10µA 450 Ma 90W 22dB - 50 v
PDTA114EE,115 NXP Semiconductors PDTA114EE 、115 -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 NXP半導体 * バルク 廃止 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTA114EE、115-954 1
PMXB350UPEZ NXP Semiconductors PMXB350UPEZ 0.0600
RFQ
 ECAD 675 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN1010D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMXB350UPEZ-954 ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 20 v 1.2a（ta） 1.2V 、4.5V 447mohm @ 1.2a 、4.5V 950MV @ 250µA 2.3 NC @ 4.5 v ±8V 116 PF @ 10 V - 360MW
PDTC114ET215 NXP Semiconductors PDTC114ET215 0.0200
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PSMN1R1-30PL,127 NXP Semiconductors PSMN1R1-30PL、127 -
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN1R1-30PL、127-954 1 nチャネル 30 V 120a（tc） 4.5V 、10V 1.3mohm @ 25a 、10V 2.2V @ 1MA 243 NC @ 10 V ±20V 14850 PF @ 15 V - 338W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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