画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PDTA123JQAZ | - | ![]() | 6946 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-PDTA123JQAZ-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144EM 、315 | - | ![]() | 1783 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | 250 MW | DFN1006-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-PDTC144EM、315-954 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | 230 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP3091NR1 | - | ![]() | 6863 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | 115 v | 表面マウント | TO-270AB | 470MHz〜1.215GHz | ldmos (デュアル)、共通のソース | TO-270 WB-4 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MRF6VP3091NR1-954 | 1 | 2 nチャネル | 10µA | 450 Ma | 90W | 22dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114EE 、115 | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | 廃止 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-PDTA114EE、115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZM、315 | 1.0000 | ![]() | 6664 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTA143 | 250 MW | DFN1006-3 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18H455W23NR6 | 162.2600 | ![]() | 153 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | 65 v | 表面マウント | OM-1230-4L2S | 1.805GHz1.88GHz | ldmos | OM-1230-4L2S | - | 2156-A2T18H455W23NR6 | 2 | nチャネル | 10µA | 1.08 a | 87W | 14.5db @ 1.805GHz | - | 31.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP11KGSR5 | 271.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | 110 v | 表面マウント | NI-1230-4S GW | 1.8MHz〜150MHz | ldmos (デュアル) | NI-1230-4Sカモメ | - | 2156-MRF6VP11KGSR5 | 2 | 2 nチャネル | 100µA | 150 Ma | 1000W | 26DB @ 130MHz | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT1004NR3 | 124.8400 | ![]() | 158 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | OM-780-2 | - | ldmos | OM-780-2 | - | 2156-MHT1004NR3 | 3 | nチャネル | 10µA | 100 Ma | 280W | 15.2db | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008NBKSH | - | ![]() | 3171 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | モスフェット(金属酸化物) | 280MW | 6-tssop | - | 2156-NX3008NBKSH | 1 | 2 nチャネル | 30V | 350ma(ta) | 1.4OHM @ 350MA 、4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.68NC @ 4.5V | 50pf @ 15V | 標準 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S20010NR1 | 34.2200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | 68 v | 表面マウント | TO-270-2 | 1.6GHz〜2.2GHz | ldmos | TO-270-2 | - | 2156-MRF6S20010NR1 | 9 | nチャネル | 10µA | 130 Ma | 10W | 15.5db @ 2.17GHz | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP42CTU-F129 | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 2156-TIP42CTU-F129 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFX600HSR5 | 138.9000 | ![]() | 9931 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 179 v | 表面マウント | NI-780S-4L | 1.8MHz〜400MHz | ldmos (デュアル) | NI-780S-4L | - | 2156-MRFX600HSR5 | 2 | 2 nチャネル | 10µA | 100 Ma | 600W | 26.4db @ 230MHz | - | 65 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002AK215 | - | ![]() | 3044 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | - | 2156-NX7002AK215 | 1 | nチャネル | 60 V | 190ma(ta )、 300ma (tc) | 5V、10V | 4.5OHM @ 100MA 、10V | 2.1V @ 250µA | 0.43 NC @ 4.5 v | ±20V | 20 pf @ 10 v | - | 265MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB75UPE/S500Z | - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | DFN1010D-3 | - | 2156-PMXB75UPE/S500Z | 1 | pチャネル | 20 v | 2.9a(ta) | 1.2V 、4.5V | 85mohm @ 2.9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 12 NC @ 4.5 v | ±8V | 608 PF @ 10 V | - | 317MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMH13147 | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 2156-PQMH13147 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I35D012WNR1 | 30.4600 | ![]() | 396 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 65 v | 表面マウント | TO-270-17 バリアント、フラットリード | 3.2GHz〜4GHz | ldmos (デュアル) | TO-270WB-17 | - | 2156-A3I35D012WNR1 | 10 | 2 nチャネル | 10µA | 138 Ma | 1.8W | 27.8db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF5014HR5 | 523.3200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 125 v | シャーシマウント | NI-360H-2SB | 1MHz〜2.7GHz | nチャネル | NI-360H-2SB | - | 2156-MMRF5014HR5 | 1 | nチャネル | 5MA | 350 Ma | 125W | 18db @ 2.5GHz | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2V09H400-04NR3 | 95.5000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 105 v | 表面マウント | OM-780-4L | 720MHz〜960MHz | ldmos (デュアル) | OM-780-4L | - | 2156-A2V09H400-04NR3 | 4 | 2 nチャネル | 10µA | 688 Ma | 107W | 17.9db | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB350UPEZ | 0.0600 | ![]() | 675 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | DFN1010D-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PMXB350UPEZ-954 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 20 v | 1.2a(ta) | 1.2V 、4.5V | 447mohm @ 1.2a 、4.5V | 950MV @ 250µA | 2.3 NC @ 4.5 v | ±8V | 116 PF @ 10 V | - | 360MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | AFV10700HSR5178 | 538.8700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-AFV10700HSR5178-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114ET215 | 0.0200 | ![]() | 235 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114EMB 315 | - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTA114 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 5MA 、5V | 180 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R1-30PL、127 | - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | 2156-PSMN1R1-30PL、127-954 | 1 | nチャネル | 30 V | 120a(tc) | 4.5V 、10V | 1.3mohm @ 25a 、10V | 2.2V @ 1MA | 243 NC @ 10 V | ±20V | 14850 PF @ 15 V | - | 338W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144WU 、115 | 0.0200 | ![]() | 162 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PDTA144WU 、115-954 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/ZLF | 0.0200 | ![]() | 160 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | 6-tssop | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BC846BW/ZLF-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R8-40BS | - | ![]() | 8495 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 |
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