SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
PDTA123JQAZ NXP Semiconductors PDTA123JQAZ -
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTA123JQAZ-954 1
PDTC144EM,315 NXP Semiconductors PDTC144EM 、315 -
RFQ
ECAD 1783 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 250 MW DFN1006-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTC144EM、315-954 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 230 MHz 47 Kohms 47 Kohms
MRF6VP3091NR1 NXP Semiconductors MRF6VP3091NR1 -
RFQ
ECAD 6863 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 115 v 表面マウント TO-270AB 470MHz〜1.215GHz ldmos (デュアル)、共通のソース TO-270 WB-4 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MRF6VP3091NR1-954 1 2 nチャネル 10µA 450 Ma 90W 22dB - 50 v
PDTA114EE,115 NXP Semiconductors PDTA114EE 、115 -
RFQ
ECAD 9293 0.00000000 NXP半導体 * バルク 廃止 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTA114EE、115-954 1
PDTA143ZM,315 NXP Semiconductors PDTA143ZM、315 1.0000
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA143 250 MW DFN1006-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 47 Kohms
A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors A2T18H455W23NR6 162.2600
RFQ
ECAD 153 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント OM-1230-4L2S 1.805GHz1.88GHz ldmos OM-1230-4L2S - 2156-A2T18H455W23NR6 2 nチャネル 10µA 1.08 a 87W 14.5db @ 1.805GHz - 31.5 v
MRF6VP11KGSR5 NXP Semiconductors MRF6VP11KGSR5 271.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 110 v 表面マウント NI-1230-4S GW 1.8MHz〜150MHz ldmos (デュアル) NI-1230-4Sカモメ - 2156-MRF6VP11KGSR5 2 2 nチャネル 100µA 150 Ma 1000W 26DB @ 130MHz - 50 v
MHT1004NR3 NXP Semiconductors MHT1004NR3 124.8400
RFQ
ECAD 158 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v シャーシマウント OM-780-2 - ldmos OM-780-2 - 2156-MHT1004NR3 3 nチャネル 10µA 100 Ma 280W 15.2db - 32 v
NX3008NBKSH NXP Semiconductors NX3008NBKSH -
RFQ
ECAD 3171 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 モスフェット(金属酸化物) 280MW 6-tssop - 2156-NX3008NBKSH 1 2 nチャネル 30V 350ma(ta) 1.4OHM @ 350MA 、4.5V 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 標準
MRF6S20010NR1 NXP Semiconductors MRF6S20010NR1 34.2200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 68 v 表面マウント TO-270-2 1.6GHz〜2.2GHz ldmos TO-270-2 - 2156-MRF6S20010NR1 9 nチャネル 10µA 130 Ma 10W 15.5db @ 2.17GHz - 28 v
TIP42CTU-F129 NXP Semiconductors TIP42CTU-F129 -
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 - 2156-TIP42CTU-F129 1
MRFX600HSR5 NXP Semiconductors MRFX600HSR5 138.9000
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 179 v 表面マウント NI-780S-4L 1.8MHz〜400MHz ldmos (デュアル) NI-780S-4L - 2156-MRFX600HSR5 2 2 nチャネル 10µA 100 Ma 600W 26.4db @ 230MHz - 65 v
NX7002AK215 NXP Semiconductors NX7002AK215 -
RFQ
ECAD 3044 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23-3 - 2156-NX7002AK215 1 nチャネル 60 V 190ma(ta )、 300ma (tc) 5V、10V 4.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.43 NC @ 4.5 v ±20V 20 pf @ 10 v - 265MW
PMXB75UPE/S500Z NXP Semiconductors PMXB75UPE/S500Z -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド モスフェット(金属酸化物) DFN1010D-3 - 2156-PMXB75UPE/S500Z 1 pチャネル 20 v 2.9a(ta) 1.2V 、4.5V 85mohm @ 2.9a 、4.5V 1V @ 250µA 12 NC @ 4.5 v ±8V 608 PF @ 10 V - 317MW
PQMH13147 NXP Semiconductors PQMH13147 -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-PQMH13147 1
A3I35D012WNR1 NXP Semiconductors A3I35D012WNR1 30.4600
RFQ
ECAD 396 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 65 v 表面マウント TO-270-17 バリアント、フラットリード 3.2GHz〜4GHz ldmos (デュアル) TO-270WB-17 - 2156-A3I35D012WNR1 10 2 nチャネル 10µA 138 Ma 1.8W 27.8db - 28 v
MMRF5014HR5 NXP Semiconductors MMRF5014HR5 523.3200
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 125 v シャーシマウント NI-360H-2SB 1MHz〜2.7GHz nチャネル NI-360H-2SB - 2156-MMRF5014HR5 1 nチャネル 5MA 350 Ma 125W 18db @ 2.5GHz - 50 v
A2V09H400-04NR3 NXP Semiconductors A2V09H400-04NR3 95.5000
RFQ
ECAD 250 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 105 v 表面マウント OM-780-4L 720MHz〜960MHz ldmos (デュアル) OM-780-4L - 2156-A2V09H400-04NR3 4 2 nチャネル 10µA 688 Ma 107W 17.9db - 48 v
PMXB350UPEZ NXP Semiconductors PMXB350UPEZ 0.0600
RFQ
ECAD 675 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド モスフェット(金属酸化物) DFN1010D-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PMXB350UPEZ-954 ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 20 v 1.2a(ta) 1.2V 、4.5V 447mohm @ 1.2a 、4.5V 950MV @ 250µA 2.3 NC @ 4.5 v ±8V 116 PF @ 10 V - 360MW
AFV10700HSR5178 NXP Semiconductors AFV10700HSR5178 538.8700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-AFV10700HSR5178-954 1
PDTC114ET215 NXP Semiconductors PDTC114ET215 0.0200
RFQ
ECAD 235 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PDTA114EMB,315 NXP Semiconductors PDTA114EMB 315 -
RFQ
ECAD 6345 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA114 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 5MA 、5V 180 MHz 10 Kohms 10 Kohms
PSMN1R1-30PL,127 NXP Semiconductors PSMN1R1-30PL、127 -
RFQ
ECAD 9567 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN1R1-30PL、127-954 1 nチャネル 30 V 120a(tc) 4.5V 、10V 1.3mohm @ 25a 、10V 2.2V @ 1MA 243 NC @ 10 V ±20V 14850 PF @ 15 V - 338W(TC)
PDTA144WU,115 NXP Semiconductors PDTA144WU 、115 0.0200
RFQ
ECAD 162 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PDTA144WU 、115-954 0000.00.0000 1
BC846BW/ZLF NXP Semiconductors BC846BW/ZLF 0.0200
RFQ
ECAD 160 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 6-tssop ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-BC846BW/ZLF-954 1
PSMN2R8-40BS NXP Semiconductors PSMN2R8-40BS -
RFQ
ECAD 8495 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫