画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMBT2222A 、235 | - | ![]() | 4493 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | PMBT2222 | 250 MW | TO-236AB | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PMBT2222A 、235-954 | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 600 Ma | 10µa(icbo) | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 300MHz | |||||||||||||
![]() | PDTA114EK115 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-PDTA114EK115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bcv62c、215 | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | BCV62 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BCV62C、215-954 | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3906,215 | 0.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | PMBT3906 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PMBT3906,215-954 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 200 ma | 50na(icbo) | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | |||||||||||||
![]() | buk7y59-60ex | - | ![]() | 7909 | 0.00000000 | NXP半導体 | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット(金属酸化物) | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BUK7Y59-60EX-954 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 60 V | 17a(tc) | 10V | 59mohm @ 5a、10V | 4V @ 1MA | 7.8 NC @ 10 V | ±20V | 494 PF @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||||||||
![]() | PSMN070-200P、127 | 1.1300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | NXP半導体 | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PSMN070-200P、127-954 | 1 | nチャネル | 200 v | 35a(tc) | 10V | 70mohm @ 17a 、10V | 4V @ 1MA | 77 NC @ 10 V | ±20V | 4570 PF @ 25 V | - | 250W | ||||||||||||
![]() | buk7e3r1-40e、127 | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半導体 | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BUK7E3R1-40E、127-954 | 1 | nチャネル | 40 v | 100a(tc) | 10V | 3.1mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 79 NC @ 10 V | ±20V | 6200 PF @ 25 V | - | 234W | ||||||||||||
![]() | BC54PAS115 | 0.0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BC54PAS115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9540-100A、127 | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BUK9540-100A、127-954 | 1 | nチャネル | 100 V | 39a | 4.5V 、10V | 39mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | 48 NC @ 5 V | ±15V | 3072 PF @ 25 V | - | 158W | ||||||||||||
![]() | PEMF21,115 | 0.1500 | ![]() | 124 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PEMF21,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144VU 、115 | 0.0200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PDTC144VU 、115-954 | 14,990 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7675-55A 、118 | 0.3900 | ![]() | 75 | 0.00000000 | NXP半導体 | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BUK7675-55A 、118-954 | 763 | nチャネル | 55 v | 20.3a | 10V | 75mohm @ 10a 、10V | 4V @ 1MA | ±20V | 483 PF @ 25 V | - | 62W | |||||||||||||
![]() | BUK7509-55A、127 | 0.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP半導体 | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BUK7509-55A、127-954 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 55 v | 75a(tc) | 10V | 9mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 62 NC @ 0 V | ±20V | 3271 PF @ 25 V | - | 211W (TC) | ||||||||||
![]() | phd71nq03lt 、118 | - | ![]() | 7622 | 0.00000000 | NXP半導体 | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PHD71NQ03LT 、118-954 | 1 | nチャネル | 30 V | 75a(tc) | 5V、10V | 10mohm @ 25a 、10V | 2.5V @ 1MA | 13.2 NC @ 5 V | ±20V | 1220 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||
![]() | PMPB95ENEA/FX | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-udfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | DFN2020MD-6 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PMPB95ENEA/FX-954 | 1 | nチャネル | 80 v | 4.1a(ta) | 4.5V 、10V | 105mohm @ 2.8a 、10V | 2.7V @ 250µA | 14.9 NC @ 10 V | ±20V | 504 PF @ 40 V | - | 1.6W | ||||||||||||
![]() | PMV20EN215 | 1.0000 | ![]() | 4213 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PMV20EN215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN70XPE 、115 | 0.0600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PMN70XPE 、115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PB709BRL 、215 | 0.0300 | ![]() | 184 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-2PB709BRL 、215-954 | 1 | 50 v | 200 ma | 10na (icbo) | PNP | 250MV @ 10MA 、100mA | 210 @ 2MA 、10V | 200MHz | ||||||||||||||||
![]() | PDTC123EM 、315 | 0.0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | PDTC123 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PDTC123EM、315-954 | 15,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R0-60ES、127 | 1.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | PSMN2R0 | モスフェット(金属酸化物) | i2pak | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PSMN2R0-60ES、127-954 | 1 | nチャネル | 60 V | 120a(tc) | 10V | 2.2mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 137 NC @ 10 V | ±20V | 9997 PF @ 30 V | - | 338W(TC) | |||||||||||
![]() | buk6218-40c、118 | 0.2200 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | NXP半導体 | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BUK6218-40C 、118-954 | 1 | nチャネル | 40 v | 42a | 10V | 16mohm @ 10a 、10v | 2.8V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ±16V | 1170 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||
![]() | BC55-16PASX | - | ![]() | 1555 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | 420 MW | DFN2020D-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BC55-16PASX-954 | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 180MHz | ||||||||||||||
![]() | BUK625R0-40C 、118 | - | ![]() | 3532 | 0.00000000 | NXP半導体 | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BUK625R0-40C、118-954 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 90a(ta) | 5mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ±16V | 5200 PF @ 25 V | - | 158W | |||||||||||
![]() | BCM847DS 、115 | 0.0700 | ![]() | 6217 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | BCM847 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BCM847DS 、115-954 | 1,750 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9608-55A 、118 | 0.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | 影響を受けていない | 2156-BUK9608-55A 、118-954 | 1 | nチャネル | 55 v | 75a(tc) | 4.5V 、10V | 7.5mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | 92 NC @ 5 V | ±15V | 6021 PF @ 25 V | - | 253W | |||||||||||||
![]() | PBSS4130QAZ | 0.0700 | ![]() | 243 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | 325 MW | DFN1010D-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PBSS4130QAZ-954 | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 245MV @ 50MA、1a | 180 @ 1a 、2v | 190MHz | ||||||||||||||
![]() | buk6610-75c、118 | 0.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半導体 | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BUK6610-75C 、118-954 | 1 | nチャネル | 75 v | 78a(tc) | 10V | 10mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ±16V | 5251 PF @ 25 V | - | 158W | ||||||||||||
![]() | PHB29N08T 、118 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PHB29N08T、118-954 | 812 | nチャネル | 75 v | 27a(tc) | 11V | 50mohm @ 14a 、11v | 5V @ 2MA | 19 NC @ 10 V | ±30V | 810 pf @ 25 V | - | 88W | ||||||||||||
![]() | PBSS5220T 、215 | - | ![]() | 8901 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 480 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PBSS5220T、215-954 | 1 | 20 v | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 225MV @ 200MA 、2a | 200 @ 1a 、2V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | PEMH30,115 | 0.0400 | ![]() | 128 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PEMH30,115-954 | 1 |
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