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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
PMBT2222A,235 NXP Semiconductors PMBT2222A 、235 -
RFQ
ECAD 4493 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 PMBT2222 250 MW TO-236AB - 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PMBT2222A 、235-954 ear99 8541.21.0075 1 40 v 600 Ma 10µa(icbo) npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
PDTA114EK115 NXP Semiconductors PDTA114EK115 0.0300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-PDTA114EK115-954 1
BCV62C,215 NXP Semiconductors bcv62c、215 0.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ BCV62 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-BCV62C、215-954 ear99 8541.21.0075 1
PMBT3906,215 NXP Semiconductors PMBT3906,215 0.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 PMBT3906 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PMBT3906,215-954 ear99 8541.21.0095 1 40 v 200 ma 50na(icbo) PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
BUK7Y59-60EX NXP Semiconductors buk7y59-60ex -
RFQ
ECAD 7909 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット(金属酸化物) LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-BUK7Y59-60EX-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 17a(tc) 10V 59mohm @ 5a、10V 4V @ 1MA 7.8 NC @ 10 V ±20V 494 PF @ 25 V - 37W (TC)
PSMN070-200P,127 NXP Semiconductors PSMN070-200P、127 1.1300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN070-200P、127-954 1 nチャネル 200 v 35a(tc) 10V 70mohm @ 17a 、10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 V ±20V 4570 PF @ 25 V - 250W
BUK7E3R1-40E,127 NXP Semiconductors buk7e3r1-40e、127 0.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7E3R1-40E、127-954 1 nチャネル 40 v 100a(tc) 10V 3.1mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 79 NC @ 10 V ±20V 6200 PF @ 25 V - 234W
BC54PAS115 NXP Semiconductors BC54PAS115 0.0600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BC54PAS115-954 1
BUK9540-100A,127 NXP Semiconductors BUK9540-100A、127 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK9540-100A、127-954 1 nチャネル 100 V 39a 4.5V 、10V 39mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 48 NC @ 5 V ±15V 3072 PF @ 25 V - 158W
PEMF21,115 NXP Semiconductors PEMF21,115 0.1500
RFQ
ECAD 124 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PEMF21,115-954 1
PDTC144VU,115 NXP Semiconductors PDTC144VU 、115 0.0200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PDTC144VU 、115-954 14,990
BUK7675-55A,118 NXP Semiconductors BUK7675-55A 、118 0.3900
RFQ
ECAD 75 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-BUK7675-55A 、118-954 763 nチャネル 55 v 20.3a 10V 75mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA ±20V 483 PF @ 25 V - 62W
BUK7509-55A,127 NXP Semiconductors BUK7509-55A、127 0.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7509-55A、127-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 9mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 62 NC @ 0 V ±20V 3271 PF @ 25 V - 211W (TC)
PHD71NQ03LT,118 NXP Semiconductors phd71nq03lt 、118 -
RFQ
ECAD 7622 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PHD71NQ03LT 、118-954 1 nチャネル 30 V 75a(tc) 5V、10V 10mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 1MA 13.2 NC @ 5 V ±20V 1220 PF @ 25 V - 120W (TC)
PMPB95ENEA/FX NXP Semiconductors PMPB95ENEA/FX 0.1200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド モスフェット(金属酸化物) DFN2020MD-6 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMPB95ENEA/FX-954 1 nチャネル 80 v 4.1a(ta) 4.5V 、10V 105mohm @ 2.8a 、10V 2.7V @ 250µA 14.9 NC @ 10 V ±20V 504 PF @ 40 V - 1.6W
PMV20EN215 NXP Semiconductors PMV20EN215 1.0000
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMV20EN215-954 1
PMN70XPE,115 NXP Semiconductors PMN70XPE 、115 0.0600
RFQ
ECAD 47 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMN70XPE 、115-954 1
2PB709BRL,215 NXP Semiconductors 2PB709BRL 、215 0.0300
RFQ
ECAD 184 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-2PB709BRL 、215-954 1 50 v 200 ma 10na (icbo) PNP 250MV @ 10MA 、100mA 210 @ 2MA 、10V 200MHz
PDTC123EM,315 NXP Semiconductors PDTC123EM 、315 0.0300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTC123 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PDTC123EM、315-954 15,000
PSMN2R0-60ES,127 NXP Semiconductors PSMN2R0-60ES、127 1.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads PSMN2R0 モスフェット(金属酸化物) i2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN2R0-60ES、127-954 1 nチャネル 60 V 120a(tc) 10V 2.2mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 V ±20V 9997 PF @ 30 V - 338W(TC)
BUK6218-40C,118 NXP Semiconductors buk6218-40c、118 0.2200
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6218-40C 、118-954 1 nチャネル 40 v 42a 10V 16mohm @ 10a 、10v 2.8V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±16V 1170 PF @ 25 V - 60W (TC)
BC55-16PASX NXP Semiconductors BC55-16PASX -
RFQ
ECAD 1555 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-BC55-16PASX-954 ear99 8541.21.0075 1 60 V 1 a 100na(icbo) npn 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 180MHz
BUK625R0-40C,118 NXP Semiconductors BUK625R0-40C 、118 -
RFQ
ECAD 3532 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK625R0-40C、118-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 90a(ta) 5mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 88 NC @ 10 V ±16V 5200 PF @ 25 V - 158W
BCM847DS,115 NXP Semiconductors BCM847DS 、115 0.0700
RFQ
ECAD 6217 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ BCM847 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-BCM847DS 、115-954 1,750
BUK9608-55A,118 NXP Semiconductors BUK9608-55A 、118 0.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード 影響を受けていない 2156-BUK9608-55A 、118-954 1 nチャネル 55 v 75a(tc) 4.5V 、10V 7.5mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 92 NC @ 5 V ±15V 6021 PF @ 25 V - 253W
PBSS4130QAZ NXP Semiconductors PBSS4130QAZ 0.0700
RFQ
ECAD 243 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 3-XDFN露出パッド 325 MW DFN1010D-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PBSS4130QAZ-954 ear99 8541.29.0075 1 30 V 1 a 100na(icbo) npn 245MV @ 50MA、1a 180 @ 1a 、2v 190MHz
BUK6610-75C,118 NXP Semiconductors buk6610-75c、118 0.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6610-75C 、118-954 1 nチャネル 75 v 78a(tc) 10V 10mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 81 NC @ 10 V ±16V 5251 PF @ 25 V - 158W
PHB29N08T,118 NXP Semiconductors PHB29N08T 、118 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PHB29N08T、118-954 812 nチャネル 75 v 27a(tc) 11V 50mohm @ 14a 、11v 5V @ 2MA 19 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 88W
PBSS5220T,215 NXP Semiconductors PBSS5220T 、215 -
RFQ
ECAD 8901 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 480 MW TO-236AB ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PBSS5220T、215-954 1 20 v 2 a 100na(icbo) PNP 225MV @ 200MA 、2a 200 @ 1a 、2V 100MHz
PEMH30,115 NXP Semiconductors PEMH30,115 0.0400
RFQ
ECAD 128 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PEMH30,115-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫