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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格設定（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PBLS4003D,115 NXP Semiconductors PBLS4003D 、115 0.0700
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PBLS4003 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBLS4003D、115-954 4,473
PMXB65ENEZ NXP Semiconductors PMXB65ENEZ 0.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMXB65ENEZ-954 0000.00.0000 1
BC55-16PA,115 NXP Semiconductors BC55-16PA 、115 -
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 650 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC55-16PA 、115-954 1 60 V 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、2V 180MHz
BC807-40,235 NXP Semiconductors BC807-40,235 -
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC807-40,235-954 1 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 250 @ 100MA、1V 80MHz
NX3008PBKV,115 NXP Semiconductors nx3008pbkv、115 -
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ NX3008 - ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-NX3008PBKV 、115-954 ear99 8541.21.0095 1 -
PDTD123YQAZ NXP Semiconductors pdtd123yqaz 0.0300
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTD123 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTD123YQAZ-954 ear99 8541.21.0075 1
PDTC123YMB,315 NXP Semiconductors PDTC123 -IMB 、315 0.0300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTC123 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC123YMB 、315-954 1
PDTA123TT,215 NXP Semiconductors PDTA123TT 215 0.0200
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA123TT 、215-954 1
BC68-25PA,115 NXP Semiconductors BC68-25PA 、115 0.0700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 420 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC68-25PA 、115-954 1 20 v 2 a 100na（icbo） npn 600mv @ 200ma 、2a 160 @ 500MA、1V 170MHz
PMCM6501VPE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VPE/S500Z 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMCM6501VPE/S500Z-954 1
BUK662R5-30C,118 NXP Semiconductors buk662R5-30c、118 0.5200
RFQ
 ECAD 927 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK662R5-30C、118-954 1 nチャネル 30 V 100a（tc） 10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 V ±16V 6960 PF @ 25 V - 204W
PSMN2R0-60PS,127 NXP Semiconductors PSMN2R0-60PS、127 1.0000
RFQ
 ECAD 5598 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 PSMN2R0 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN2R0-60PS、127-954 1 nチャネル 60 V 120a（tc） 10V 2.2mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 V ±20V 9997 PF @ 30 V - 338W（TC）
BC846AW,115 NXP Semiconductors BC846AW 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 535 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC846AW、115-954 1 65 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 100MHz
BF820,235 NXP Semiconductors BF820,235 -
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BF820,235-954 ear99 8541.21.0095 1 300 V 50 Ma 10na （icbo） npn 600mv @ 5ma 、30ma 50 @ 25ma 、20V 60MHz
BSP100,135 NXP Semiconductors BSP100,135 0.2000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-bsp100,135-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 3.2a（ta） 4.5V 、10V 100mohm @ 2.2a 、10V 2.8V @ 1MA 6 NC @ 10 V ±20V 250 PF @ 20 V - 8.3W
PDTA113ZU,115 NXP Semiconductors PDTA113ZU 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA113ZU 、115-954 1
2N7002BKM/V,315 NXP Semiconductors 2N7002bkm/v、315 -
RFQ
 ECAD 9930 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ 2N7002 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-2N7002bkm/v、315-954 1
BC807,215 NXP Semiconductors BC807,215 0.0200
RFQ
 ECAD 497 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC807,215-954 1 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 80MHz
PMXB56ENZ NXP Semiconductors PMXB56ENZ 1.0000
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN1010D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMXB56ENZ-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 3.2a（ta） 4.5V 、10V 55mohm @ 3.2a 、10V 2V @ 250µA 6.3 NC @ 10 V ±20V 209 PF @ 15 V - 400MW
PBSS4240Y,115 NXP Semiconductors PBSS4240Y 、115 -
RFQ
 ECAD 2824 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 430 MW 6-tssop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4240Y 、115-954 1 40 v 2 a 100na（icbo） npn 320MV @ 200MA 、2a 300 @ 1a 、2V 230MHz
BC56-10PA,115 NXP Semiconductors BC56-10PA 、115 0.0600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 420 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC56-10PA 、115-954 1 80 v 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 180MHz
NMBT3906VL NXP Semiconductors NMBT3906VL 0.0200
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-NMBT3906VL-954 1
PMMT591A,215 NXP Semiconductors PMMT591A 、215 0.0400
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMMT591A 、215-954 ear99 8541.21.0075 3,740 40 v 1 a 100NA PNP 500MV @ 100MA、1a 300 @ 100MA 、5V 150MHz
BUK7219-55A,118 NXP Semiconductors BUK7219-55A 、118 0.5400
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7219-55A 、118-954 1 nチャネル 55 v 55a（tc） 10V 19mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 2108 PF @ 25 V - 114W
PMBF4391 NXP Semiconductors PMBF4391 0.8700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 NXP半導体 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB - ROHS3準拠 1 （無制限） リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2832-PMBF4391TR ear99 8541.21.0080 575 nチャネル 40 v 14pf @ 20V 40 v 50 mA @ 20 v 4 V @ 1 Na 30オーム
PHPT610030PKX NXP Semiconductors PHPT610030PKX -
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 175°C （TJ） 表面マウント SOT-205、8-LFPAK56 PHPT610030 1.25W LFPAK56D - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PHPT610030PKX ear99 8541.29.0075 1 100V 3a 100NA 2 PNP （デュアル） 360MV @ 200MA 、2a 150 @ 500MA 、10V 125MHz
PSMN015-100B,118 NXP Semiconductors PSMN015-100B 、118 0.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PSMN015-100B 、118-954 ear99 8541.29.0075 407 nチャネル 100 V 75a（ta） 10V 15mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 300W （TA
BFU550WX NXP Semiconductors BFU550WX 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SC-70、SOT-323 450MW SC-70 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BFU550WX ear99 8541.21.0075 1 18db 12V 50ma npn 60 @ 15ma 、8V 11ghz 1.3db @ 1.8GHz
MMRF1304NR1 NXP Semiconductors MMRF1304NR1 25.6700
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 133 v 表面マウント TO-270AA 1.8MHz〜2GHz ldmos TO-270-2 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MMRF1304NR1 ear99 8541.29.0075 1 7µA 10 Ma 25W 25.4db - 50 v
PMPB20EN/S500X NXP Semiconductors PMPB20EN/S500X 0.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN2020MD-6 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 2156-PMPB20EN/S500X ear99 8541.21.0075 1 nチャネル 30 V 7.2a（ta） 4.5V 、10V 19.5mohm @ 7a 、10V 2V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ±20V 435 PF @ 10 V - 1.7W （TA ）、 12.5W （TC
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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