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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PBSS4021PX,115 NXP Semiconductors PBSS4021px、115 1.0000
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2.5 W SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4021PX、115-954 ear99 8541.21.0095 1 20 v 6.2 a 100NA PNP 265MV @ 345MA 、6.9a 150 @ 4a 、2V 105MHz
PDTC143ZU,115 NXP Semiconductors PDTC143ZU 115 -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC143ZU 115-954 1
BUK7219-55A,118 NXP Semiconductors BUK7219-55A 、118 0.5400
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7219-55A 、118-954 1 nチャネル 55 v 55a（tc） 10V 19mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 2108 PF @ 25 V - 114W
PMBF4391 NXP Semiconductors PMBF4391 0.8700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 NXP半導体 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB - ROHS3準拠 1 （無制限） リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2832-PMBF4391TR ear99 8541.21.0080 575 nチャネル 40 v 14pf @ 20V 40 v 50 mA @ 20 v 4 V @ 1 Na 30オーム
PHPT610030PKX NXP Semiconductors PHPT610030PKX -
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 175°C （TJ） 表面マウント SOT-205、8-LFPAK56 PHPT610030 1.25W LFPAK56D - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PHPT610030PKX ear99 8541.29.0075 1 100V 3a 100NA 2 PNP （デュアル） 360MV @ 200MA 、2a 150 @ 500MA 、10V 125MHz
PSMN015-100B,118 NXP Semiconductors PSMN015-100B 、118 0.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PSMN015-100B 、118-954 ear99 8541.29.0075 407 nチャネル 100 V 75a（ta） 10V 15mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 300W （TA
BFU550WX NXP Semiconductors BFU550WX 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SC-70、SOT-323 450MW SC-70 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BFU550WX ear99 8541.21.0075 1 18db 12V 50ma npn 60 @ 15ma 、8V 11ghz 1.3db @ 1.8GHz
MMRF1304NR1 NXP Semiconductors MMRF1304NR1 25.6700
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 133 v 表面マウント TO-270AA 1.8MHz〜2GHz ldmos TO-270-2 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MMRF1304NR1 ear99 8541.29.0075 1 7µA 10 Ma 25W 25.4db - 50 v
PMPB20EN/S500X NXP Semiconductors PMPB20EN/S500X 0.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN2020MD-6 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 2156-PMPB20EN/S500X ear99 8541.21.0075 1 nチャネル 30 V 7.2a（ta） 4.5V 、10V 19.5mohm @ 7a 、10V 2V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ±20V 435 PF @ 10 V - 1.7W （TA ）、 12.5W （TC
BUK7225-55A,118 NXP Semiconductors BUK7225-55A 、118 0.2700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BUK7225-55A 、118 ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 55 v 43a（ta） 10V 25mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 1310 pf @ 25 v - 94W
PBSS5130QAZ NXP Semiconductors PBSS5130QAZ 0.0600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-XDFN露出パッド 325 MW DFN1010D-3 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PBSS5130QAZ 1 30 V 1 a 100NA PNP 240MV @ 100MA、1a 250 @ 100MA 、2V 170MHz
BCP51 NXP Semiconductors BCP51 -
RFQ
 ECAD 3460 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BCP51-954 1 45 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
BC807-25 NXP Semiconductors BC807-25 -
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BC807-25-954 1 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 80MHz
SMMUN2116LT1G NXP Semiconductors SMMUN2116LT1G -
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 246 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-SMMUN2116LT1G-954 1 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 250MV @ 1MA 、10ma 160 @ 5MA 、10V 4.7 Kohms
BC847CM,315 NXP Semiconductors BC847CM 、315 -
RFQ
 ECAD 2710 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BC847CM 、315-954 1
2PB1219AS,115 NXP Semiconductors 2PB1219AS 115 -
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-2PB1219AS 、115-954 1
BFU610F,115 NXP Semiconductors BFU610F 、115 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-343F 136MW 4-dfp - 2156-BFU610F、115 1,391 17dB 5.5V 10ma npn 90 @ 1MA 、2V 15GHz 0.9db〜1.7db @ 1.5GHz〜5.8GHz
PRMH9147 NXP Semiconductors PRMH9147 -
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント 6-XFDFN露出パッド 325MW DFN1412-6 - 2156-PRMH9147 1 50V 100mA 1µA 2 npn-バイアス化 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 5MA 、5V 230MHz 10kohms -
PMPB55ENEA/S500X NXP Semiconductors PMPB55ENEA/S500X -
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-pmpb5555eenea/s500x 1
PBHV8115TLHR NXP Semiconductors PBHV8115TLHR -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT23-3 - 2156-PBHV8115TLHR 1 150 v 1 a 100NA npn 60mv @ 10ma 、100ma 70 @ 50ma 、10V 30MHz
A2I20H060GNR1 NXP Semiconductors A2I20H060GNR1 30.9400
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 65 v 表面マウント TO-270WBG-15 1.8GHz〜2.2GHz ldmos （デュアル） TO-270WBG-15 - 2156-A2I20H060GNR1 10 2 nチャネル - 24 Ma 12W 32.4db - 28 v
MRF1517NT1 NXP Semiconductors MRF1517NT1 4.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 25 v 表面マウント PLD-1.5 - ldmos PLD-1.5 - 2156-MRF1517NT1 70 nチャネル 4a 150 Ma 8W 14DB @ 520MHz - 7.5 v
MW7IC930NR1 NXP Semiconductors MW7IC930NR1 59.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント TO-270-16 バリアント、フラットリード 920MHz〜960MHz ldmos （デュアル） TO-270WB-16 - 2156-MW7IC930NR1 ear99 8542.33.0001 6 2 nチャネル 10µA 285 Ma 3.2W 35.9db - 28 v
PQMH11147 NXP Semiconductors PQMH11147 -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-PQMH11147 1
BLC8G27LS-180AVY NXP Semiconductors BLC8G27LS-180AVY -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-BLC8G27LS-180AVY 1
PQMH2147 NXP Semiconductors PQMH2147 -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-PQMH2147 1
PQMB11147 NXP Semiconductors PQMB11147 -
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-PQMB11147 1
PQMH9Z NXP Semiconductors PQMH9Z 0.0300
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント 6-XFDFN露出パッド 230MW DFN1010B-6 - 2156-PQMH9Z 2,592 50V 100mA 1µA 2 npn-バイアス化 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 5MA 、5V 230MHz 10kohms 47kohms
BLS7G2729L-350P,11 NXP Semiconductors BLS7G2729L-350P 、11 -
RFQ
 ECAD 1733 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-BLS7G2729L-350P 、11 1
AFV10700HR5 NXP Semiconductors AFV10700HR5 537.6400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 105 v シャーシマウント NI-780-4 960MHz〜1.215GHz ldmos （デュアル） NI-780-4 - 2156-AFV10700HR5 1 2 nチャネル 1µA 100 Ma 700W 19.2DB @ 1.03GHz - 52 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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