RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

トランジスタ（506）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PBLS4003D 、115	0.0700	RFQ	66	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					PBLS4003					ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PBLS4003D、115-954			4,473
PBSS5612PA 、115	0.1100	RFQ	99	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn				2.1 w	3-HUSON （2x2）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PBSS5612PA 、115-954			1																		12 v	6 a					100NA		PNP	300MV @ 300MA 、6a	190 @ 2a 、2V	60MHz
pemb17,115	0.0400	RFQ	12	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PEMB17,115-954	ear99	8541.21.0095	1
PMXB65ENEZ	0.0900	RFQ	3	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
PEMD12,115	0.0700	RFQ	4	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PEMD12,115-954			4,699
BC55-16PA 、115	-	RFQ	1284	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn				650 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BC55-16PA 、115-954			1																		60 V	1 a					100na（icbo）		npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	180MHz
BF820,235	-	RFQ	3735	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BF820,235-954	ear99	8541.21.0095	1																		300 V	50 Ma					10na （icbo）		npn	600mv @ 5ma 、30ma	50 @ 25ma 、20V	60MHz
BUK625R0-40C 、118	-	RFQ	3532	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BUK625R0-40C、118-954	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	90a（ta）		5mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	88 NC @ 10 V	±16V	5200 PF @ 25 V	-	158W
BCM847DS 、115	0.0700	RFQ	6217	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					BCM847					ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BCM847DS 、115-954			1,750
BUK9608-55A 、118	0.7800	RFQ	2	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード			影響を受けていない	2156-BUK9608-55A 、118-954			1		nチャネル					55 v	75a（tc）	4.5V 、10V	7.5mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	92 NC @ 5 V	±15V	6021 PF @ 25 V	-	253W
PMBF4391	0.8700	RFQ	22	NXP半導体	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2832-PMBF4391TR	ear99	8541.21.0080	575		nチャネル					40 v							14pf @ 20V							40 v	50 mA @ 20 v	4 V @ 1 Na		30オーム
PHPT610030PKX	-	RFQ	9811	NXP半導体	-	バルク	廃止		175°C （TJ）	表面マウント	SOT-205、8-LFPAK56	PHPT610030			1.25W	LFPAK56D	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-PHPT610030PKX	ear99	8541.29.0075	1																		100V	3a					100NA		2 PNP （デュアル）	360MV @ 200MA 、2a	150 @ 500MA 、10V	125MHz
BFU550WX	0.3700	RFQ	7	NXP半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	SC-70、SOT-323				450MW	SC-70	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-BFU550WX	ear99	8541.21.0075	1						18db												12V	50ma							npn		60 @ 15ma 、8V	11ghz			1.3db @ 1.8GHz
MMRF1304NR1	25.6700	RFQ	410	NXP半導体	-	バルク	廃止	133 v		表面マウント	TO-270AA		1.8MHz〜2GHz	ldmos		TO-270-2	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MMRF1304NR1	ear99	8541.29.0075	1			7µA	10 Ma	25W	25.4db											-			50 v
PMPB20EN/S500X	0.0700	RFQ	5	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-udfn露出パッド			モスフェット（金属酸化物）		DFN2020MD-6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	2156-PMPB20EN/S500X	ear99	8541.21.0075	1		nチャネル					30 V	7.2a（ta）	4.5V 、10V	19.5mohm @ 7a 、10V	2V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	435 PF @ 10 V	-	1.7W （TA ）、 12.5W （TC
PBSS5130QAZ	0.0600	RFQ	9	NXP半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	3-XDFN露出パッド				325 MW	DFN1010D-3	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-PBSS5130QAZ			1																		30 V	1 a					100NA		PNP	240MV @ 100MA、1a	250 @ 100MA 、2V	170MHz
PSMN017-30EL、127	0.3400	RFQ	7	NXP半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		i2pak	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-PSMN017-30EL、127	ear99	8541.29.0075	1		nチャネル					30 V	32a（ta）	4.5V 、10V	17mohm @ 10a 、10V	2.15V @ 1MA	10.7 NC @ 10 V	±20V	552 PF @ 15 V	-	47W （TA
BUK7225-55A 、118	0.2700	RFQ	9	NXP半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-BUK7225-55A 、118	ear99	8541.29.0075	1		nチャネル					55 v	43a（ta）	10V	25mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA		±20V	1310 pf @ 25 v	-	94W
PSMN015-100B 、118	0.8000	RFQ	3	NXP半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-PSMN015-100B 、118-954	ear99	8541.29.0075	407		nチャネル					100 V	75a（ta）	10V	15mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	90 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	300W （TA
MW7IC930NR1	59.9800	RFQ	2	NXP半導体	-	バルク	廃止	65 v		表面マウント	TO-270-16 バリアント、フラットリード		920MHz〜960MHz	ldmos （デュアル）		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	ear99	8542.33.0001	6	2 nチャネル		10µA	285 Ma	3.2W	35.9db											-			28 v
AFT21S230SR3	192.4100	RFQ	1	NXP半導体	-	バルク	廃止	65 v		表面マウント	NI-780S-6		2.11GHz〜2.17GHz	ldmos		NI-780S-6	-				2156-FAFT21S230SR3			2	nチャネル		-	1.5 a	50W	16.7db @ 2.11GHz											-			28 v
MW7IC930GNR1	-	RFQ	3875	NXP半導体	-	バルク	廃止	65 v		表面マウント	TO-270-16 バリアント、ガルウィング		920MHz〜960MHz	ldmos （デュアル）		TO-270 WBL-16カモメ	-				2156-MW7IC930GNR1			1	2 nチャネル		10µA	285 Ma	3.2W	35.9db											-			28 v
BLF8G20LS-220J	-	RFQ	3448	NXP半導体	-	バルク	廃止	65 v		表面マウント	SOT-502B		1.81GHz1.88GHz	ldmos		SOT502B	-				2156-BLF8G20LS-220J			1	nチャネル		4.2µA	1.6 a	55W	18.9db											-			28 v
MRF6V2150NBR1	59.8400	RFQ	164	NXP半導体	-	バルク	廃止	110 v		シャーシマウント	TO-272bb		450MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-				2156-MRF6V2150NBR1	ear99	8541.21.0075	6	nチャネル		-	450 Ma	150W	25dB											-			50 v
PQMH9Z	0.0300	RFQ	8934	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	6-XFDFN露出パッド				230MW	DFN1010B-6	-				2156-PQMH9Z			2,592																		50V	100mA					1µA		2 npn-バイアス化	100MV @ 250µA、5MA	100 @ 5MA 、5V	230MHz	10kohms	47kohms
MRF1517NT1	4.3100	RFQ	5	NXP半導体	-	バルク	廃止	25 v		表面マウント	PLD-1.5		-	ldmos		PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	nチャネル		4a	150 Ma	8W	14DB @ 520MHz											-			7.5 v
PQMH11147	-	RFQ	1700	NXP半導体	-	バルク	アクティブ										-				2156-PQMH11147			1
A2I20H060GNR1	30.9400	RFQ	500	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		表面マウント	TO-270WBG-15		1.8GHz〜2.2GHz	ldmos （デュアル）		TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 nチャネル		-	24 Ma	12W	32.4db											-			28 v
BLS7G2729L-350P 、11	-	RFQ	1733	NXP半導体	-	バルク	アクティブ										-				2156-BLS7G2729L-350P 、11			1
PRMH9147	-	RFQ	8150	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	6-XFDFN露出パッド				325MW	DFN1412-6	-				2156-PRMH9147			1																		50V	100mA					1µA		2 npn-バイアス化	100MV @ 250µA、5MA	100 @ 5MA 、5V	230MHz	10kohms	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²