SIC
close

トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
PHB29N08T,118 NXP Semiconductors PHB29N08T 、118 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHB29N08T、118-954 812 nチャネル 75 v 27a（tc） 11V 50mohm @ 14a 、11v 5V @ 2MA 19 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 88W
PMSTA56,115 NXP Semiconductors PMSTA56,115 0.0200
RFQ
 ECAD 9148 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMSTA56,115-954 1,000 80 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
PBSS4021PX,115 NXP Semiconductors PBSS4021px、115 1.0000
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2.5 W SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4021PX、115-954 ear99 8541.21.0095 1 20 v 6.2 a 100NA PNP 265MV @ 345MA 、6.9a 150 @ 4a 、2V 105MHz
PEMD12,115 NXP Semiconductors PEMD12,115 0.0700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PEMD12,115-954 4,699
PBLS1504Y,115 NXP Semiconductors PBLS1504Y 、115 0.0700
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PBLS1504 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBLS1504Y、115-954 4,873
PSMN8R5-100ESFQ NXP Semiconductors PSMN8R5-100ESFQ 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN8R5-100ESFQ-954 1 nチャネル 100 V 97a（ta） 7V 、10V 8.8mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 44.5 NC @ 10 V ±20V 3181 PF @ 50 V - 183W
PHPT60610PYX NXP Semiconductors PHPT60610pyx -
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント SC-100 、SOT-669 1.5 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 60 V 10 a 100NA PNP 470mv @ 1a 、10a 120 @ 500MA 、2V 85MHz
PHPT60406NYX NXP Semiconductors PHPT60406NYX -
RFQ
 ECAD 1984年年 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント SC-100 、SOT-669 1.35 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT60406NYX-954 ear99 8541.29.0075 1 40 v 6 a 100NA npn 380MV @ 300MA 、6a 230 @ 500MA 、2V 153MHz
BCP51-10,135 NXP Semiconductors BCP51-10,135 -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BCP51 1 W SOT-223 ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
PBHV8115TLHR NXP Semiconductors PBHV8115TLHR -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT23-3 - 2156-PBHV8115TLHR 1 150 v 1 a 100NA npn 60mv @ 10ma 、100ma 70 @ 50ma 、10V 30MHz
PEMB17,115 NXP Semiconductors pemb17,115 0.0400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PEMB17,115-954 ear99 8541.21.0095 1
PBSS5330PASX NXP Semiconductors PBSS5330PASX -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 600 MW DFN2020D-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 30 V 3 a 100NA PNP 320MV @ 300MA、3a 175 @ 1a 、2V 165MHz
BC847CM,315 NXP Semiconductors BC847CM 、315 -
RFQ
 ECAD 2710 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BC847CM 、315-954 1
PBSS5160QAZ NXP Semiconductors PBSS5160QAZ -
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-XDFN露出パッド 325 MW DFN1010D-3 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PBSS5160QAZ ear99 8541.29.0075 1 60 V 1 a 100NA PNP 460mv @ 50ma、1a 160 @ 100MA 、2V 150MHz
PMN70XPE,115 NXP Semiconductors PMN70XPE 、115 0.0600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMN70XPE 、115-954 1
PHPT60410NYX NXP Semiconductors PHPT60410NYX 0.1900
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント SC-100 、SOT-669 1.3 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT60410NYX-954 ear99 8541.29.0075 1,550 40 v 10 a 100NA npn 460MV @ 500MA 、10A 230 @ 500MA 、2V 128MHz
PBSS5612PA,115 NXP Semiconductors PBSS5612PA 、115 0.1100
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 2.1 w 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS5612PA 、115-954 1 12 v 6 a 100NA PNP 300MV @ 300MA 、6a 190 @ 2a 、2V 60MHz
PDTC143ZU,115 NXP Semiconductors PDTC143ZU 115 -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC143ZU 115-954 1
PDTC124XM,315 NXP Semiconductors PDTC124XM 、315 -
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTC124 250 MW DFN1006-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 22 Kohms 47 Kohms
PSMN015-60PS,127 NXP Semiconductors PSMN015-60PS、127 -
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN015-60PS、127-954 1 nチャネル 60 V 50a（tc） 10V 14.8mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 20.9 NC @ 10 V ±20V 1220 pf @ 30 v - 86W
PHK31NQ03LT,518 NXP Semiconductors PHK31NQ03LT 、518 0.5400
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PHK31NQ03LT 、518-954 1 nチャネル 30 V 30.4a 4.5V 、10V 4.4mohm @ 25a 、10V 2.15V @ 1MA 33 NC @ 4.5 v ±20V 4235 PF @ 12 v - 6.9W
PHP27NQ11T,127 NXP Semiconductors php27nq11t 、127 0.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PHP27NQ11T、 127-954 536 nチャネル 110 v 27.6a 10V 50mohm @ 14a 、10V 4V @ 1MA 30 NC @ 10 V ±20V 1240 PF @ 25 V - 107W （TC）
PDTD113ZT,215 NXP Semiconductors PDTD113ZT 、215 0.0300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTD113 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTD113ZT 、215-954 ear99 8541.21.0095 10,764
BCX70J,215 NXP Semiconductors bcx70j 、215 -
RFQ
 ECAD 8888 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCX70J、215-954 1 45 v 100 Ma 20na（icbo） npn 550MV @ 1.25MA 、50mA 250 @ 2MA 、5V 250MHz
PMV160UP235 NXP Semiconductors PMV160UP235 -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PMV160UP235-954 1
BLF1046,112 NXP Semiconductors BLF1046,112 67.6000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BLF1046,112-954 1
PMST2222,115 NXP Semiconductors PMST222,115 0.0200
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMST2222,115-954 1 30 V 600 Ma 10na （icbo） npn 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 250MHz
PHP45NQ10T,127 NXP Semiconductors php45nq10t 、127 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PHP45NQ10T、 127-954 341 nチャネル 100 V 47a（tc） 10V 25mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 61 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 150W
PBSS4160PANPSX NXP Semiconductors PBSS4160PANPSX 0.1200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PBSS4160 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4160PANPSX-954 ear99 8541.29.0075 2,423
PBSS4160PANP,115 NXP Semiconductors PBSS4160PANP 、115 -
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 NXP半導体 aec-q100 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufdfn露出パッド PBSS4160 510MW 6-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4160PANP、115-954 1 60V 1a 100na（icbo） NPN、PNP 120mv @ 50ma 、500ma 150 @ 500MA 、2V 175MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます