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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
HGT1S14N41G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N41G3VLT 1.9100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-HGT1S14N41G3VLT-600039 1
FPF2C110BI07AS2 Fairchild Semiconductor FPF2C110BI07AS2 77.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-FPF2C110BI07AS2-600039 1
TIP121TU Fairchild Semiconductor tip121tu 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-TIP121TU-600039 ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 500µA npn-ダーリントン 4V @ 20ma 、5a 1000 @ 3a 、3V -
FDC697P Fairchild Semiconductor FDC697P 0.7200
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-ssot フラットリード、 supersot™-6 flmp モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 FLMP ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-FDC697P-600039 1 pチャネル 20 v 8a（ta） 1.8V 、4.5V 20mohm @ 8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ±8V 3524 PF @ 10 V - 2W （TA）
FDC655BN-F40 Fairchild Semiconductor FDC655BN-F40 -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-FDC655BN-F40-600039 1 nチャネル 30 V 6.3a（ta） 4.5V 、10V 25mohm @ 6.3a 、10V 3V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 620 PF @ 15 V - 800MW
2SC4027T-N-TL-E Fairchild Semiconductor 2SC4027T-N-TL-E 0.2900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-2SC4027T-N-TL-E-600039 1
2SC4853A-4-TL-E Fairchild Semiconductor 2SC4853A-4-TL-E 0.1400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-2SC4853A-4-TL-E-600039 1
FDP032N08 Fairchild Semiconductor FDP032N08 -
RFQ
 ECAD 9849 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-FDP032N08-600039 1 nチャネル 75 v 120a（tc） 10V 3.2mohm @ 75a 、10V 4.5V @ 250µA 220 NC @ 10 V ±20V 15160 PF @ 25 V - 375W
TIP31C Fairchild Semiconductor tip31c 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-TIP31C-600039 873 100 V 3 a 200µA npn 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V 3MHz
FDP8442-F085 Fairchild Semiconductor FDP8442-F085 1.2700
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-FDP8442-F085-600039 1 nチャネル 40 v 23a（タタ）、 80a（tc） 10V 3.1mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 V ±20V 12200 PF @ 25 V - 254W
NDP4050 Fairchild Semiconductor NDP4050 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156p4050-600039 1 nチャネル 50 v 15a（tc） 100mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V 450 pf @ 25 v -
KSE800STU Fairchild Semiconductor KSE800STU 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 40 W TO-126-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-KSE800STU-600039 747 60 V 4 a 100µA npn-ダーリントン 2.5V @ 30MA 、1.5a 750 @ 1.5a、3V -
NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor NJVMJB41CT4G 0.5600
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 2 W d²pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-NJVMJB41CT4G-600039 ear99 8541.29.0095 577 700µA npn 1.5V @ 600MA 、6a 15 @ 3a 、4V 3MHz
MMBTH10 Fairchild Semiconductor mmbth10 0.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MMBTH10-600039 1
KSC5402DTTU Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU 0.4700
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 50 W TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-KSC5402DTTU-600039 1 450 v 2 a 100µA npn 750mv @ 200ma、1a 6 @ 1a、1V 11MHz
KSC10080BU Fairchild Semiconductor KSC10080BU 0.0200
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 800 MW to-92-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-KSC10080BU-600039 ear99 8541.21.0095 1 60 V 700 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 40 @ 50ma 、2V 50MHz
FDP2614 Fairchild Semiconductor FDP2614 -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDP2614 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 62a（tc） 10V 27mohm @ 31a 、10V 5V @ 250µA 99 NC @ 10 V ±30V 7230 PF @ 25 V - 260W
KSR1004BU Fairchild Semiconductor KSR1004BU 0.0700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 KSR1004 300 MW to-92-3 - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-KSR1004BU ear99 8541.21.0095 1 50 v 100 Ma 100NA npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
FCP165N65S3R0 Fairchild Semiconductor FCP165N65S3R0 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®iii バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FCP165N65S3R0 ear99 8541.29.0095 155 nチャネル 650 V 19a（tc） 10V 165mohm @ 9.5a 、10V 4.5V @ 440ma 39 NC @ 10 V ±30V 1500 pf @ 400 v - 154W
FMM7G30US60N Fairchild Semiconductor FMM7G30US60N 28.1700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して モジュール 104 w 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-FMM7G30US60N ear99 8541.29.0095 1 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 30 a 2.7V @ 15V 、30a 250 µA はい 2.1 nf @ 30 v
FMM7G30US60I Fairchild Semiconductor FMM7G30US60I 28.1700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して モジュール 104 w 三相ブリッジ整流器 - - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-FMM7G30US60I ear99 8541.29.0095 1 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 30 a 2.7V @ 15V 、30a 250 µA はい 2.1 nf @ 30 v
FDBL0150N60 Fairchild Semiconductor FDBL0150N60 4.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 8-hpsof ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDBL0150N60 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 240a 10V 1.5mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 169 NC @ 10 V ±20V 10300 PF @ 30 V - 357W （TJ）
FDMS8350LET40 Fairchild Semiconductor FDMS8350LET40 1.0000
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDMS8350LET40 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 49a 4.5V 、10V 0.85mohm @ 47a 、10V 3V @ 250µA 219 NC @ 10 V ±20V 16590 PF @ 20 V - 3.33W （TA ）、 125W （TC
FCPF190N60E-F152 Fairchild Semiconductor FCPF190N60E-F152 -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FCPF190N60E-F152 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 20.6a 10V 190mohm @ 10a 、10V 3.5V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±20V 3175 PF @ 25 V - 39W （TC）
FMM7G20US60I Fairchild Semiconductor FMM7G20US60I 28.1700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して モジュール 89 W 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-FMM7G20US60I ear99 8541.29.0095 1 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 20 a 2.7V @ 15V 、20a 250 µA はい 1.277 NF @ 30 V
FDT86106LZ Fairchild Semiconductor FDT86106LZ -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDT86106LZ ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 3.2a（ta） 4.5V 、10V 108mohm @ 3.2a 、10V 2.2V @ 250µA 7 NC @ 10 V ±20V 315 PF @ 50 V - 1W
FMM6G30US60 Fairchild Semiconductor FMM6G30US60 28.1700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して モジュール 104 w 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-FMM6G30US60 ear99 8541.29.0095 1 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 30 a 2.7V @ 15V 、30a 250 µA はい 2.1 nf @ 30 v
FCPF380N60E-F152 Fairchild Semiconductor FCPF380N60E-F152 -
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 - 2156-FCPF380N60E-F152 1 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 1770 PF @ 25 V - 31W （TC）
FDMS8050ET30 Fairchild Semiconductor FDMS8050ET30 -
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） Power56 - 2156-FDMS8050ET30 1 nチャネル 30 V 55a（タタ）、423a（tc） 4.5V 、10V 0.65mohm @ 55a 、10V 3V @ 750µA 285 NC @ 10 V ±20V 22610 PF @ 15 V - 3.3W （TA ）、 180W （TC
BD14016STU Fairchild Semiconductor BD14016STU -
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 フェアチャイルド半導体 BD140 バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.25 w TO-126-3 - 2156-BD14016STU 1 80 v 1.5 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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