SIC
close

トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FCH190N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH190N65F-F155 3.3400
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 66 nチャネル 650 V 20.6a（tc） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 2MA 78 NC @ 10 V ±20V 3225 PF @ 100 V - 208W
FCI25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCI25N60N-F102 -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 25a（tc） 10V 125mohm @ 12.5a 、10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±30V 3352 PF @ 100 V - 216W
FDB8443 Fairchild Semiconductor FDB8443 -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 40 v 25a（ta ）、120a（tc） 10V 3mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±20V 9310 PF @ 25 V - 188W
FDMT800152DC Fairchild Semiconductor FDMT800152DC 3.3400
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8-Dual Cool™88 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 13a 6V 、10V 9mohm @ 13a 、10v 4V @ 250µA 83 NC @ 10 V ±20V 5875 PF @ 75 v - 3.2W
FGA6065ADF Fairchild Semiconductor FGA6065ADF -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 306 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、60a 、6ohm15V 110 ns トレンチフィールドストップ 650 V 120 a 180 a 2.3V @ 15V 、60a 2.46MJ （オン）、520µJ 84 NC 25.6ns/71ns
FDB2572 Fairchild Semiconductor FDB2572 1.0000
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 4a（ta ）、29a（tc） 6V 、10V 54mohm @ 9a、10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 1770 PF @ 25 V - 135W
FJB5555TM Fairchild Semiconductor fjb5555tm 0.7600
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 1.6 W d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400 V 5 a - npn 1.5V @ 1a 、3.5a 20 @ 800ma、3V -
FJP3305H2TU Fairchild Semiconductor FJP3305H2TU -
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 75 W TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400 V 4 a 1µa（icbo） npn 1V @ 1a 、4a 26 @ 1a 、5V 4MHz
FDPF10N60ZUT Fairchild Semiconductor FDPF10N60ZUT 1.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 246 nチャネル 600 V 9a（tc） 10V 800mohm @ 4.5a 、10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 1980 pf @ 25 v - 42W
FDS3992 Fairchild Semiconductor FDS3992 -
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS39 モスフェット（金属酸化物） 2.5W 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 100V 4.5a 62mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 15NC @ 10V 750pf @ 25V -
FCPF380N65FL1 Fairchild Semiconductor FCPF380N65FL1 -
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 650 V 10.2a 10V 380mohm @ 5.1a 、10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 V ±20V 1680 PF @ 100 V - 33W （TC）
FQD4P40TM Fairchild Semiconductor FQD4P40TM 1.0000
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 0000.00.0000 1 pチャネル 400 V 2.7a 10V 3.1OHM @ 1.35A 、10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 680 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、50W（TC）
FGP3440G2 Fairchild Semiconductor FGP3440G2 -
RFQ
 ECAD 8360 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 1
HGTG27N120BN Fairchild Semiconductor HGTG27N120BN -
RFQ
 ECAD 8388 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 500 W TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 960v npt 1200 v 72 a 216 a 2.7V @ 15V 、27a 2.2MJ 270 NC 24ns/195ns
BS170-D26Z Fairchild Semiconductor BS170-D26Z 0.1000
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 3,406 nチャネル 60 V 500ma（ta） 10V 5OHM @ 200MA 、10V 3V @ 1MA ±20V 40 pf @ 10 v - 830MW
FJL4215OTU Fairchild Semiconductor fjl4215otu 2.4200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-264-3、TO-264AA 150 W HPM F2 ダウンロード ear99 8542.39.0001 124 250 v 17 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
FJPF13009H1TU Fairchild Semiconductor fjpf13009h1tu 0.8900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード 50 W TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 337 400 V 12 a - npn 3V @ 3a 、12a 6 @ 8a 、5V 4MHz
FDN306P Fairchild Semiconductor FDN306P -
RFQ
 ECAD 1935年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 12 v 2.6a（ta） 1.8V 、4.5V 40mohm @ 2.6a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ±8V 1138 PF @ 6 V - 500MW
FDC653N Fairchild Semiconductor FDC653N 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,192 nチャネル 30 V 5a（ta） 4.5V 、10V 35mohm @ 5a 、10V 2V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 350 PF @ 15 V - 1.6W
FDC5661N Fairchild Semiconductor FDC5661N -
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） TSOT-23-6 ダウンロード ear99 8542.29.0095 1 nチャネル 60 V 4.3a（ta） 4.5V 、10V 47mohm @ 4.3a 、10V 3V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±20V 763 PF @ 25 V - 1.6W
FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFTU 1.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8542.39.0001 160
FCH067N65S3-F155 Fairchild Semiconductor FCH067N65S3-F155 -
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®iii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 650 V 44a（tc） 10V 67mohm @ 22a 、10V 4.5V @ 4.4ma 78 NC @ 10 V ±30V 3090 PF @ 400 v - 312W
NZT751 Fairchild Semiconductor NZT751 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.2 w SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 583 60 V 4 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 200MA 、2a 40 @ 2a 、2V 75MHz
FDB0260N1007L Fairchild Semiconductor FDB0260N1007L -
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） TO-263-7 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 200a（tc） 10V 2.6mohm @ 27a 、10V 4V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 8545 PF @ 50 V - 3.8W
BCV71 Fairchild Semiconductor BCV71 0.0300
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 8,663 60 V 500 Ma 100na（icbo） npn 250mv @ 500µa 、10ma 110 @ 2MA 、5V -
FDD3680 Fairchild Semiconductor FDD3680 -
RFQ
 ECAD 5170 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 25a（ta） 6V 、10V 46mohm @ 6.1a 、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 1735 PF @ 50 V - 68W
FGAF40N60UFDTU Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFDTU 2.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 100 W to-3pf ダウンロード ear99 8542.39.0001 122 300V 、20A 、10OHM15V 95 ns - 600 V 40 a 160 a 3V @ 15V、 20a 470µj（130µj （オフ） 77 NC 15ns/65ns
FGD3040G2-F085 Fairchild Semiconductor FGD3040G2-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、ECOSPARK® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 FGD3040 論理 150 W TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 300V 、6.5a、1kohm 、5V - 400 V 41 a 1.25V @ 4V、6a - 21 NC -/4.8µs
FGP10N60UNDF Fairchild Semiconductor FGP10N60UNDF 0.9900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8542.39.0001 305
HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D 6.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 208 w TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 44 - 60 ns - 600 V 63 a 252 a 1.8V @ 15V 、30a 1.05MJ （オン）、2.5MJ 162 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます