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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
IRFU330BTU Fairchild Semiconductor IRFU330BTU 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 400 V 4.5a 10V 1OHM @ 2.25A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 2.5W
IRFS630A Fairchild Semiconductor IRFS630A 0.4400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 6.5a（tc） 10V 400mohm @ 3.25a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 38W
IRFS840B Fairchild Semiconductor IRFS840B -
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 536 nチャネル 500 V 8a（tc） 10V 800mohm @ 4a、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 44W
FDW2502PZ Fairchild Semiconductor FDW2502PZ -
RFQ
 ECAD 8406 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW25 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 4.4a（ta） 35mohm @ 4.4a 、4.5V 1.5V @ 250µA 21NC @ 5V 1465pf @ 10V -
IRFS250B Fairchild Semiconductor IRFS250B -
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 21.3a 10V 85mohm @ 10.65a 、10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 90W
HUF76009P3 Fairchild Semiconductor HUF76009p3 0.5300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 20 v 20a（tc） 5V、10V 27mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 470 PF @ 20 V - 41W
IRL620A Fairchild Semiconductor IRL620A 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 5a（tc） 5V 800mohm @ 2.5a 、5V 2V @ 250µA 15 NC @ 5 V ±20V 430 PF @ 25 V - 39W （TC）
KSE13007FSMTU Fairchild Semiconductor KSE13007FSMTU 1.0000
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック KSE13007 TO-220F-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 - npn 3V @ 2a 、8a 8 @ 2a 、5V 4MHz
IRFW730BTM Fairchild Semiconductor IRFW730BTM 0.6400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 400 V 5.5a（tc） 10V 1OHM @ 2.75A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、73W（TC）
KSE13007FH2SMTU Fairchild Semiconductor KSE13007FH2SMTU -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック KSE13007 TO-220F-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 - npn 3V @ 2a 、8a 8 @ 2a 、5V 4MHz
IRFW610BTMFP001 Fairchild Semiconductor IRFW610BTMFP001 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 200 v 3.3a（tc） 10V 1.5OHM @ 1.65A 、10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 225 PF @ 25 V - 3.13W
IRLS620A Fairchild Semiconductor IRLS620A 0.1900
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1,494 nチャネル 200 v 4.1a（tc） 5V 800mohm @ 2.05a 、5V 2V @ 250µA 15 NC @ 5 V ±20V 430 PF @ 25 V - 26W （TC）
IRFU430BTU Fairchild Semiconductor IRFU430BTU 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 3.5a 10V 1.5OHM @ 1.75A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 2.5W
IRFS640A Fairchild Semiconductor IRFS640A 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 9.8a（tc） 10V 180mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±30V 1500 PF @ 25 V - 43W
IRFS730B Fairchild Semiconductor IRFS730B 0.2900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 400 V 5.5a 10V 1OHM @ 2.75A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 38W
HUF75345S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75345S3ST_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 7mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 325W
HUF75339S3ST Fairchild Semiconductor HUF75339S3ST 0.8800
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 12mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
IRFW610BTM Fairchild Semiconductor IRFW610BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 3.3a（tc） 10V 1.5OHM @ 1.65A 、10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 225 PF @ 25 V - 3.13W
HUF75823D3S Fairchild Semiconductor HUF75823D3S 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 150 v 14a（tc） 10V 150mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 54 NC @ 20 V ±20V 800 PF @ 25 V - 85W
KSC5042TU Fairchild Semiconductor KSC5042TU -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 KSC5042 TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,000 10µa（icbo） npn 5V @ 4MA 、20ma 30 @ 10ma 、5v -
HUF75321S3ST Fairchild Semiconductor HUF75321S3ST 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 35a（tc） 10V 34mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ±20V 680 PF @ 25 V - 93W
IRLS540A Fairchild Semiconductor IRLS540A 0.7100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 17a（tc） 5V 58mohm @ 8.5a 、5v 2V @ 250µA 54 NC @ 5 V ±20V 1580 PF @ 25 V - 44W
HUF76129S3ST Fairchild Semiconductor HUF76129S3ST -
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 641 nチャネル 30 V 56a（tc） 4.5V 、10V 16OHM @ 56A 、10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 1350 PF @ 25 V - 105W
HUF76107P3 Fairchild Semiconductor HUF76107p3 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 20a（tc） 4.5V 、10V 52mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 V ±16V 315 PF @ 25 V - 45W
HUF76145S3S Fairchild Semiconductor HUF76145S3S 1.9000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 4.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 156 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 270W
HUF75939S3ST Fairchild Semiconductor HUF75939S3ST 2.3100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 200 v 22a（tc） 10V 125mohm @ 22a 、10V 4V @ 250µA 152 NC @ 20 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 180W
KST2907A-MTF Fairchild Semiconductor KST2907A-MTF 0.0200
RFQ
 ECAD 355 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 KST2907 350 MW SOT-23-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 600 Ma 10na （icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
HUF75925P3 Fairchild Semiconductor HUF75925p3 0.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 11a（tc） 10V 275mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 78 NC @ 20 V ±20V 1030 PF @ 25 V - 100W （TC）
HUF76145S3 Fairchild Semiconductor HUF76145S3 -
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 4.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 156 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 270W
HUF75229P3_NL Fairchild Semiconductor huf75229p3_nl 0.7000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 319 nチャネル 50 v 44a（tc） 10V 22mohm @ 44a 、10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 V ±20V 1060 PF @ 25 V - 90W
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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